制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3P-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 32 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 135 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 54 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
系列: X-Class
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 28 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 13 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 49 ns
30
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 58 ns
典型接通延遲時(shí)間: 23 ns
單位重量: 1.600 g
IXTP8N70X2M
IXTQ34N65X2M
IXTQ48N65X2M
IXTR102N65X2
IXTT34N65X2HV
IXTU4N70X2
IXTU8N70X2
IXTX102N65X2
IXTX120N65X2
IXTY14N60X2
IXTY2N65X2
IXTY4N65X2
