制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 140 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 82 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 180 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
系列: IXTP140N055
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 17 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 40 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 35 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
單位重量: 2 g
IXTP140N12T2
IXTP160N04T2
IXTP170N075T2
IXTP200N055T2
IXTP220N04T2
IXTP230N075T2
IXTP260N055T2
IXTP300N04T2
IXTP70N075T2
IXTP80N12T2
IXTP90N055T2
IXTP90N075T2
