NVMFS6H800NWFT1G 場效應管

NVMFS6H800NWFT1G的詳細參數
參數名稱 參數值
Source Content uid NVMFS6H800NWFT1G
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 8311069839
零件包裝代碼 DFNW5 4.90x5.90x1.00, 1.27P
包裝說明 SO-8FL, DFN5, 6 PIN
制造商包裝代碼 507BA
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Malaysia
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 18 weeks
風險等級 7.45
Samacsys Description Single N-Channel Power MOSFET 80V, 203A, 2.1mΩ 1500 / Tape & Reel. Wettable Flank
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
YTEOL 5.9
雪崩能效等級（Eas） 1271 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE
最小漏源擊穿電壓 80 V
最大漏極電流 (ID) 203 A
最大漏源導通電阻 0.0021 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 27 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-F5
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 200 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 900 A
參考標準 AEC-Q101
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管元件材料 SILICON

場效應管的工作原理與應用分析

場效應管（Field Effect Transistor, FET）是一種常用的電子器件，廣泛應用于放大器、開關電源和射頻信號處理等領域。其中，NVMFS6H800NWFT1G型號的場效應管在現代電子設備中得到越來越多的關注。這種器件的特點和應用場景值得深入探討。

一、場效應管的基本結構與工作原理

場效應管主要由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三部分構成。與普通的雙極型晶體管（BJT）不同，場效應管通過柵極電壓控制源極與漏極之間的電流流動。這使得場效應管具有高輸入阻抗的優勢，能夠在較小的柵極電壓變化下實現較大的輸出電流變化。

在N型場效應管中，通常在半導體材料的外層摻入多余的電子，這樣形成導電通道。當施加柵極電壓時，電場的變化會影響通道中載流子的密度及運動方向，進而實現對電流的調節。當柵極電壓為正值時，電子被吸引至柵極下方，增強通道的導電性，流經源極和漏極的電流就會增加。

二、NVMFS6H800NWFT1G的設計特點

作為一款N型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），NVMFS6H800NWFT1G具有低導通電阻和高開關速度的特點。它的導電性能使其適合在高頻率和高效率的應用場景中使用。在其設計過程中，制造商采用了先進的工藝，以便實現更小的尺寸和更低的功耗。

同時，該器件能夠承受的電壓和電流也十分可觀，最大漏極電壓達到了800V，因此適合用于高電壓應用。加之其較低的柵極驅動電壓要求，NVMFS6H800NWFT1G可以與多種控制電路兼容，使其在電源管理和電機控制等領域表現出色。

三、NVMFS6H800NWFT1G的應用領域

1. 開關電源 NVMFS6H800NWFT1G由于其高效率和低功耗的特性，常被用作開關電源中的功率轉換器。開關電源在現代電子設備中得到廣泛應用，對改善能效和降低體積具有重要意義。

2. 電機控制 在電機驅動控制系統中，NVMFS6H800NWFT1G能夠高度集成并發揮其開關特性，確保高效能的電流調節。其出色的熱管理能力使得電機可以長時間穩定運行。

3. 逆變器 在太陽能和風能等可再生能源逆變器中，NVMFS6H800NWFT1G可確保高效的能量轉換，極大地提高了系統的整體能效。由于該器件能承受高電壓，其在高壓逆變器中的應用前景非常廣泛。

4. 消費電子 在智能手機、平板電腦、筆記本等消費類電子產品中，NVMFS6H800NWFT1G以其高集成度和優良的電性能，成為了關鍵的功率管件，幫助實現更小型化和輕量化的設計。

四、對技術發展的影響

NVMFS6H800NWFT1G的廣泛應用不僅推動了相關領域技術的發展，也為高效節能產品的推廣提供了可靠的基礎。其先進的材料科學和制造工藝，使得我們對電子產品的設計理念產生了更深遠的影響。

隨著電子科技的不斷進步，新型半導體材料的出現為場效應管的發展帶來了新的契機。例如，硅基氮化物和碳化硅材料正在逐步取代傳統的硅材料，這為高溫、高壓及高頻應用提供了更好的解決方案。

與此同時，NVMFS6H800NWFT1G所展示出的高性能特性，還促進了更智能的控制算法的發展。在智能電源管理和主動負載調節等新興技術中，場效應管的優越性能為系統的動態響應提供了基礎保障。

五、未來發展趨勢

隨著對環境保護和能效需求的提高，NVMFS6H800NWFT1G及其系列產品的市場需求將進一步增加。針對這一趨勢，廠家們需要不斷優化產品性能，以滿足不同行業的需求。

此外，隨著電動汽車及可再生能源相關產業的蓬勃發展，NVMFS6H800NWFT1G的應用前景極為廣闊。廠商將采用更為先進的技術，以提高產品的效率和耐用性，包括納米技術和智能制造等新技術的應用將有助于提升產品的市場競爭力。

NVMFS6H800NWFT1G ON(安森美)
SMI130 Bosch(博世)
ST1S09IPUR ST(意法)
UCC27424QDRQ1 TI(德州儀器)
ADA4528-2ARMZ-R7 ADI(亞德諾)
ADA4897-1ARJZ-R7 ADI(亞德諾)
MSP430F5172IRSBR TI(德州儀器)
STPS20M100SG-TR ST(意法)
LMZ35003RKGT TI(德州儀器)
ADCLK914BCPZ-R7 ADI(亞德諾)
REF02CSZ-REEL7 ADI(亞德諾)
HMC432ETR Hittite Microwave
LM2904QPWRQ1 TI(德州儀器)
LM7805CT/NOPB NS(國半)
AD5422BCPZ-REEL7 ADI(亞德諾)
AD8132ARZ-R7 ADI(亞德諾)
AP2210K-3.3TRG1 BCD Semiconductor Manufacturing Limited
LMZ10505TZ-ADJ/NOPB TI(德州儀器)
BSZ123N08NS3G Infineon(英飛凌)
DS34LV86TMX/NOPB NS(國半)
HC32L130J8TA-LQ48 HDSC（華大）
MAX824SEUK+T Maxim(美信)
BSS138WH6327 Infineon(英飛凌)
DS90LV804TSQ/NOPB TI(德州儀器)
IRF7380TRPBF Infineon(英飛凌)
NB690GRP-Z MPS(美國芯源)
BC807-40LT1G LRC(樂山無線電)
HMC7992LP3DETR ADI(亞德諾)
ATMEGA328P-AN Microchip(微芯)
IR4426STRPBF IR(國際整流器)
NCV4296-2CSN50T1G ON(安森美)
SMBJ15A Diodes(美臺)
SN74CB3Q3253DBQR TI(德州儀器)
TLV6741DCKR TI(德州儀器)
CS8900A-IQZ CirrusLogic(凌云邏輯)
SMBJ24A Littelfuse(力特)
TPS54061QDRBRQ1 TI(德州儀器)
SN74LVC541ANSR TI(德州儀器)
LFCN-575+ Mini-Circuits
LT1962EMS8-3.3#PBF LINEAR(凌特)
SN74HC4851PWR TI(德州儀器)
AD8672ARMZ-REEL ADI(亞德諾)
ADG819BRTZ-500RL7 ADI(亞德諾)
GRM31CR71H475KA12L MURATA(村田)
LM358AMX/NOPB TI(德州儀器)
MAX13256ATB+T Maxim(美信)
MAX4372FEUK+T Maxim(美信)
1N4148W-TP Diodes(美臺)
AD5621BKSZ-REEL7 ADI(亞德諾)
AD8642ARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
A6260KLJTR-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
AD8641AKSZ-REEL7 ADI(亞德諾)
LP2951-50QDRGRQ1 TI(德州儀器)
XCKU040-1FFVA1156C XILINX(賽靈思)
10M04SAU324I7G ALTERA(阿爾特拉)
AD7927BRUZ-REEL7 ADI(亞德諾)
AD8646ARMZ-REEL ADI(亞德諾)
ADA4841-2YRZ-R7 ADI(亞德諾)
INA301A1IDGKR TI(德州儀器)
SI4178DY-T1-GE3 Vishay(威世)
293D106X9035D2TE3 Vishay(威世)
ESDA6V1-5W6 ST(意法)
HYC5000 TMC
L4981BD013TR ST(意法)
AD8304ARUZ-RL7 Spectron Glass and Electronics Inc
AT25640AN-10SU-2.7 Microchip(微芯)
DM3730CBPD100 TI(德州儀器)
IRFH5302TRPBF IR(國際整流器)
LT8614IUDC#TRPBF ADI(亞德諾)
MAX3232EIDWR TI(德州儀器)
TK12A50D TOSHIBA(東芝)
TLE2142QDRQ1 TI(德州儀器)
TLV70025DSER TI(德州儀器)
ADM485EARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
ATTINY4-TSHR Microchip(微芯)
IRFP150MPBF IR(國際整流器)
MAX3969ETP+T Maxim(美信)
NUP4114UCLW1T2G ON(安森美)
XAL6030-222MEC Coilcraft(線藝)
ADP3338AKCZ-1.8-R7 ADI(亞德諾)
B340B-13-F Diodes(美臺)
CDSOD323-T03C PROTEK
CSD17578Q3A TI(德州儀器)
EP4CGX30CF19I7N ALTERA(阿爾特拉)
TLP781GB TOSHIBA(東芝)
ADSP-2185MKSTZ-300 ADI(亞德諾)
AT42QT1040-MMHR Microchip(微芯)
OPA2673IRGVR TI(德州儀器)
PKLCS1212E4001-R1 MURATA(村田)
TLC5971PWPR TI(德州儀器)
TLE2142MD TI(德州儀器)
CC1121RHBR TI(德州儀器)
MLX90615SSG-DAG-000-TU Melexis(邁來芯)
TPS23880RTQR TI(德州儀器)
ADUM2201ARWZ-RL ADI(亞德諾)
RC0603FR-070RL YAGEO(國巨)
SFH6206-2T Vishay(威世)
SI7149ADP-T1-GE3 Vishay(威世)
SPC560B60L5B6E0X ST(意法)
TMS320C6657CZH8 TI(德州儀器)
TPS73218DBVR TI(德州儀器)
AD5620BRJZ-1500RL7 ADI(亞德諾)
BTT6200-1ENA Infineon(英飛凌)
HMC1119LP4METR ADI(亞德諾)
NC7S14P5X ON(安森美)
NCP1421DMR2G ON(安森美)
SA612AD/01 Philips(飛利浦)
TPS22914BYFPR TI(德州儀器)
XC2S200-5PQ208I XILINX(賽靈思)
ADC121S101CIMF/NOPB TI(德州儀器)
ADM7172ACPZ-1.8-R7 ADI(亞德諾)
INA849DR TI(德州儀器)
M25P64-VME6G micron(鎂光)
MSP430F2013IPWR TI(德州儀器)
STM32L471VET6TR ST(意法)
ADC-20-4+ Mini-Circuits
AP65111AWU-7 Diodes(美臺)
BAV70WT1G ON(安森美)
BZV55-C10 Philips(飛利浦)
ENC28J60T-I/SS MIC(昌福)
NX3215SA-32.768K-STD-MUA-8 NDK(日本電波工業株式會社)
TC77-3.3MCTTR Microchip(微芯)
TPS78218DDCR TI(德州儀器)
24LC1025T-E/SN MIC(昌福)
AD8402ARZ10-REEL ADI(亞德諾)
AD9106BCPZ ADI(亞德諾)
GRM21BR60J226ME39L MURATA(村田)
IRLB4132PBF Infineon(英飛凌)
LTC6820IMS#PBF ADI(亞德諾)
LTM4630EY#PBF LINEAR(凌特)
MSP430F2618TPM TI(德州儀器)
PCF2131TFY NXP(恩智浦)