SN74HCS4075DR 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
SN74HCS4075DR
Brand Name
Texas Instruments
是否無(wú)鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
145154427495
包裝說(shuō)明
SOP, SOP14,.25
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Date Of Intro
2020-06-11
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.93
Samacsys Description
Logic Gates 3-channel, 3-input OR gates with schmitt-trigger inputs
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
系列
HC/UH
JESD-30 代碼
R-PDSO-G14
JESD-609代碼
e3
長(zhǎng)度
8.65 mm
負(fù)載電容(CL)
50 pF
邏輯集成電路類型
OR GATE
最大I(ol)
0.0078 A
濕度敏感等級(jí)
1
功能數(shù)量
3
輸入次數(shù)
3
端子數(shù)量
14
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP14,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
包裝方法
TR
峰值回流溫度(攝氏度)
260
最大電源電流(ICC)
0.002 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup
15 ns
傳播延遲(tpd)
32 ns
施密特觸發(fā)器
YES
座面最大高度
1.75 mm
最大供電電壓 (Vsup)
6 V
最小供電電壓 (Vsup)
2 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)
4.5 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
CMOS
溫度等級(jí)
AUTOMOTIVE
端子面層
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
寬度
3.9 mm
SN74HCS4075DR 邏輯開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用研究
引言
SN74HCS4075DR是德州儀器(Texas Instruments)推出的一款高性能CMOS邏輯開(kāi)關(guān),其主要功能是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的邏輯運(yùn)算。這款器件特別適用于需要低功耗、高速操作的數(shù)字電路設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中,涵蓋了從計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備到消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。通過(guò)對(duì)SN74HCS4075DR的詳細(xì)分析,可以深入理解其工作原理、特性及應(yīng)用場(chǎng)合,為電子設(shè)計(jì)工程師提供關(guān)鍵的技術(shù)參考。
器件介紹
SN74HCS4075DR為三輸入與門邏輯電路,由三個(gè)獨(dú)立的與門組成。每一個(gè)與門都有三個(gè)輸入和一個(gè)輸出,因此在廣泛的應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)多種邏輯功能。該器件采用管腳布局,既便于焊接又有助于電路的緊湊設(shè)計(jì)。相較于傳統(tǒng)的TTL邏輯電路,SN74HCS4075DR采用CMOS技術(shù),具有更低的功耗和更高的輸入信號(hào)兼容性,這使得它在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中備受青睞。
邏輯功能與電氣特性
SN74HCS4075DR的基本邏輯功能是邏輯與運(yùn)算。邏輯與運(yùn)算的特性是,只有當(dāng)所有輸入均為高電平時(shí),輸出才為高電平。在SN74HCS4075DR中,輸入電壓高于VT+的值時(shí),相應(yīng)的輸出為高電平,反之,若輸入電壓低于VT-的值,輸出則為低電平。這一邏輯特性使得SN74HCS4075DR可以用于各種組合邏輯電路的設(shè)計(jì)。
從電氣特性來(lái)看,SN74HCS4075DR的工作電壓范圍為2V至6V,具有卓越的電源電壓或電流的穩(wěn)定性,確保了其在不同的工作環(huán)境下都能正常運(yùn)行。此外,該器件的靜態(tài)功耗極低,讓其在電池供電的便攜設(shè)備中表現(xiàn)出色。輸入引腳具有高阻抗特性,能夠與各種信號(hào)源兼容,增強(qiáng)了電路的適應(yīng)性。
器件的應(yīng)用
SN74HCS4075DR因其卓越的性能可用于眾多電路設(shè)計(jì),其中最典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括數(shù)字邏輯電路、控制電路、信號(hào)處理電路等。
1. 數(shù)字邏輯電路 在數(shù)字邏輯電路中,SN74HCS4075DR能夠作為基礎(chǔ)元件構(gòu)建復(fù)雜的邏輯電路。例如,多個(gè)SN74HCS4075DR可以串聯(lián)并組合成多輸入的邏輯電路,這對(duì)于加法器、乘法器等復(fù)雜數(shù)字電路的設(shè)計(jì)是必不可少的。設(shè)計(jì)工程師可以靈活地使用這一器件來(lái)實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能,滿足不同的設(shè)計(jì)要求。
2. 控制電路 在自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,SN74HCS4075DR可以被用作信號(hào)選擇器。通過(guò)合適的邏輯條件組合,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出設(shè)備的控制。例如,在汽車電子控制單元中,SN74HCS4075DR可用于引擎管理、車載信息系統(tǒng)等應(yīng)用,在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的同時(shí)提高了控制精度。
3. 信號(hào)處理電路 在信號(hào)處理領(lǐng)域,SN74HCS4075DR可以用于構(gòu)建數(shù)據(jù)選擇電路和多路復(fù)用器。通過(guò)邏輯控制,可以有效地切換信號(hào)源,從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的動(dòng)態(tài)選擇。此外,該器件也可以在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,幫助實(shí)現(xiàn)信號(hào)的數(shù)字化處理,提高系統(tǒng)的整體性能。
設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
在使用SN74HCS4075DR設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)考慮若干重要因素,以確保電路功能的有效性和可靠性。首先,器件的工作電壓和電流參數(shù)必須保持在其規(guī)范范圍內(nèi),過(guò)高或過(guò)低的電壓都會(huì)影響邏輯門的正常工作。其次,在多輸入的情況下,輸入信號(hào)的穩(wěn)定性和完整性至關(guān)重要,設(shè)計(jì)師需要合理配置輸入信號(hào)的上拉或下拉電阻,以防止輸入懸空導(dǎo)致邏輯不確定。
此外,時(shí)序分析也是設(shè)計(jì)過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。確保在信號(hào)輸入變化時(shí),與門能及時(shí)響應(yīng),并輸出相應(yīng)的邏輯狀態(tài)是電路設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。為了避免信號(hào)延遲造成的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤,建議采用短的引線和合理的布局方式,減少干擾信號(hào)對(duì)電路性能的影響。
結(jié)束語(yǔ)(不包括結(jié)論、綜述和總結(jié))
通過(guò)對(duì)SN74HCS4075DR的各個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)分析,不難發(fā)現(xiàn)其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的重要性和廣泛應(yīng)用。隨著電子技術(shù)的不斷演進(jìn),SN74HCS4075DR及類似的邏輯器件仍然發(fā)揮著不可或缺的作用。其卓越的電氣特性和靈活的應(yīng)用潛能,使得工程師在設(shè)計(jì)復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)時(shí)擁有更多選擇,推動(dòng)了電子技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新。
SN74HCS4075DR
TI(德州儀器)
STB120N4F6
ST(意法)
STM32F207VFT6
ST(意法)
T491D106K050AT
KEMET(基美)
THC63LVDM83R
THine Electronics Inc
TLD5190QV
Infineon(英飛凌)
TLE6225G
Infineon(英飛凌)
TPS65941213RWERQ1
TI(德州儀器)
TUSB217RGYRQ1
TI(德州儀器)
XC7A200T-3FBG676E
XILINX(賽靈思)
AD5314BRMZ
ADI(亞德諾)
AD5371BSTZ
ADI(亞德諾)
ADE9078ACPZ-RL
ADI(亞德諾)
ADS1216Y/2K
TI(德州儀器)
BCM5464RA1KFBG
Broadcom(博通)
BTS6143DAUMA1
Infineon(英飛凌)
CAT5113VI-10-GT3
ON(安森美)
CDBQC0130L-HF
Comchip Technology
CMX994Q4
CML Innovative Technologies(CML-IT)
EL2501S(K)(TU)-G
Everlight(億光)
FP6296XR-G1
Feeling Technology
GL852G-MNY60
GENESYS(創(chuàng)惟)
HI-8422PQIF
Holt Integrated Circuits Inc.
HMC1022
Honeywell(霍尼韋爾)
IP2365
INJOINIC(英集芯)
ISL6146BFUZ
Intersil(英特矽爾)
JANTX2N2222A
ST(意法)
MTFC32GAKAEDQ-AIT
micron(鎂光)
NC7WZ125L8X
ON(安森美)
PCAL6408ABSHP
NXP(恩智浦)
SD24C.TCT
Semtech(商升特)
SGM4568YTS20G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SII164CTG64
SII Semiconductor Corporation
SIR882ADP-T1-GE3
Vishay(威世)
SIT3491EESD
SIT(芯力特)
SLVU2.8-4-LF-T7
PROTEK
SN74HCT573PWR
TI(德州儀器)
STM32H753AII6
ST(意法)
TLP127(TPL,U,F)
TOSHIBA(東芝)
TLV7021DCKR
TI(德州儀器)
TVS1400DRVR
TI(德州儀器)
USB3380-AB50NIG
PLX
ZXM61N02FTA
Diodes(美臺(tái))
10M25SCE144C8G
ALTERA(阿爾特拉)
7447709680
Wurth(伍爾特)
AD7191BRUZ
ADI(亞德諾)
AD823ANZ
ADI(亞德諾)
ADP2108AUJZ-3.3-R7
ADI(亞德諾)
AK5388AEQ
AKM(旭化成)
AQW214SX
Panasonic(松下)
BCM56465B0KFSBG
Broadcom(博通)
BD6231F-E2
Rohm(羅姆)
C8051F133-GQ
SILICON LABS(芯科)
CCG15-24-05S
TDK-Lambda
CD4046BPWR
TI(德州儀器)
CMX998Q1
CML Innovative Technologies(CML-IT)
DK-621-0412-S
Raychem
EN80C196KC20
INTEL(英特爾)
ETA3486S2F
ETA(鈺泰)
FDMS8018
ON(安森美)
FZ2400R17HP4_B29
Infineon(英飛凌)
GD25LQ128DSIGR
GD(兆易創(chuàng)新)
H26M51002KPR
SK(海力士)
HSMS-282C-TR1G
Avago(安華高)
IRG4PH50UPBF
IR(國(guó)際整流器)
LM358AMX
Freescale(飛思卡爾)
LR8N3-G
SUPERTEX(超科)
LTC2480IMS#TRPBF
LINEAR(凌特)
MAX1452AAE+T
Maxim(美信)
MC1458DR
ON(安森美)
MC9S08PA4VWJ
NXP(恩智浦)
MCHSC705C8ACFNE
NXP(恩智浦)
MKV42F256VLH16
Freescale(飛思卡爾)
MMSZ5252BT1G
ON(安森美)
MP8001DS-LF-Z
MPS(美國(guó)芯源)
MT28EW01GABA1LJS-0SIT
micron(鎂光)
PI3108-00-HVMZ
Vicor Corporation
RDC-19224-203
Data Device Corporation(DDC)
RT6219AGQW
RICHTEK(臺(tái)灣立锜)
RTL8188EUS-VH-CG
REALTEK(瑞昱)
SGM8273-2XS8G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SI8640BD-B-ISR
SILICON LABS(芯科)
SN65HVD1050QDRQ1
TI(德州儀器)
STL9P3LLH6
ST(意法)
TL431CDBVR
TI(德州儀器)
TLC272ACDR
TI(德州儀器)
TPL5110DDCR
TI(德州儀器)
TPSB107M010R0400
AVX(京瓷)
TSV992IDT
ST(意法)
XC2S150-5PQ208I
XILINX(賽靈思)
XCKU15P-2FFVA1156I
XILINX(賽靈思)
0456030.ER
Littelfuse(力特)
10M16DAU324I7G
ALTERA(阿爾特拉)
2SK3078A
TOSHIBA(東芝)
74AHC1G32GW
NXP(恩智浦)
74LCX16373MTDX
Fairchild(飛兆/仙童)
A1304ELHLX-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
AD5142BRUZ10
ADI(亞德諾)
AD5934YRSZ-REEL7
ADI(亞德諾)
AD7946BRMZRL7
ADI(亞德諾)
AD8418AWBRZ-RL
ADI(亞德諾)
ADP3303ARZ-3.3
ADI(亞德諾)
ADS8365IPAGR
Burr-Brown(TI)
AO3480C
AOS(萬(wàn)代)
AZ431LBNTR-G1
Diodes(美臺(tái))
C2M0040120D
Wolfspeed
CF775-04/P
Microchip(微芯)
CJ78L12
CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
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TI(德州儀器)
CSD18531Q5AT
TI(德州儀器)
DAC081S101CIMK/NOPB
TI(德州儀器)
DCR011205U
TI(德州儀器)
DPS1133FIA-13
Diodes(美臺(tái))
DS89C387TMEA
NS(國(guó)半)
EG2133
GRM155R61E105KA12D
MURATA(村田)
HI3516DRBCV100
Hisilicon
LP3220SAB5F
NICOMATIC LP
LT3580IMS8E
LINEAR(凌特)
MABA-007569-ETK42T
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MPS(美國(guó)芯源)
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MXIC(旺宏)
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PGA2311U
TI(德州儀器)
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RFMD
SP1004U-ULC-04UTG
Littelfuse(力特)
SPC5607BF1MLU6
NXP(恩智浦)
STGP20H60DF
ST(意法)
STM32L462RET6
ST(意法)
STPS1150A
ST(意法)
TCS4525-WT
XC7VX690T-2FFG1930I
XILINX(賽靈思)
A3P030-VQG100I
Microsemi(美高森美)
AD5644RBRMZ-5
ADI(亞德諾)
AD7731BRUZ
ADI(亞德諾)
ADG788BCPZ
ADI(亞德諾)
AGN20012
Panasonic(松下)
APL5934DKAI-TRG
ANPEC(茂達(dá)電子)
ATMEGA64L-8MU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
BFU530AR
NXP(恩智浦)
BZX84-B5V1
Philips(飛利浦)