TPS62407QDRCRQ1的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
TPS62407QDRCRQ1
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
7198987946
包裝說明
VSON-10
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Philippines
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險等級
1.72
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2022-01-10 02:06:01
YTEOL
15
其他特性
ALSO AVAILABLE IN PFM MODE;IOUT2=1.15A; VOUT2=1.85
模擬集成電路 - 其他類型
DUAL SWITCHING CONTROLLER
控制模式
VOLTAGE-MODE
控制技術(shù)
PULSE WIDTH MODULATION
最大輸入電壓
6 V
最小輸入電壓
2.5 V
標(biāo)稱輸入電壓
3.6 V
JESD-30 代碼
S-PDSO-N10
JESD-609代碼
e4
長度
3 mm
濕度敏感等級
3
功能數(shù)量
1
輸出次數(shù)
2
端子數(shù)量
10
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
最大輸出電流
0.4 A
最大輸出電壓
1.225 V
最小輸出電壓
1.225 V
標(biāo)稱輸出電壓
1.225 V
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
HVSON
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流溫度(攝氏度)
260
篩選級別
AEC-Q100
座面最大高度
1 mm
表面貼裝
YES
切換器配置
BUCK
最大切換頻率
2500 kHz
溫度等級
AUTOMOTIVE
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
NO LEAD
端子節(jié)距
0.5 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
寬度
3 mm
TPS62407QDRCRQ1 電源芯片的性能及應(yīng)用分析
在現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計中,電源管理成為了一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。隨著對高效率、低功耗以及小型化的追求,電源管理芯片(PMIC)逐漸成為設(shè)計中不可或缺的組成部分。其中,TPS62407QDRCRQ1 型電源芯片以其卓越的性能和良好的應(yīng)用靈活性,在許多高端電子產(chǎn)品中得到了應(yīng)用。
1. 電源芯片的基本功能
電源管理芯片的主要功能是將輸入電源轉(zhuǎn)化為穩(wěn)定的輸出電壓,以滿足各種負(fù)載的需求。TPS62407QDRCRQ1 屬于步下轉(zhuǎn)換型DC-DC電源管理芯片,其主要特點是可以將較高的輸入電壓(最高可達17V)轉(zhuǎn)換為用戶所需的較低輸出電壓。其輸出電壓范圍靈活,可以在0.6V到5V之間進行調(diào)節(jié),充分滿足不同應(yīng)用場合的需求。
2. 性能參數(shù)分析
TPS62407QDRCRQ1 的輸出電流可以達到7A,這使其在很多高功率的電子設(shè)備中都能夠穩(wěn)定運行。該芯片具備低靜態(tài)功耗特性,在待機模式下能夠有效降低能耗,從而提高整體系統(tǒng)的效率。其開關(guān)頻率可調(diào),這一特性使得設(shè)計者可以根據(jù)具體需求在效率和設(shè)計空間之間進行權(quán)衡。
3. 芯片的工作原理
TPS62407QDRCRQ1 采用了先進的同步整流技術(shù),這種技術(shù)可以在電源轉(zhuǎn)換過程中最大化能量轉(zhuǎn)化效率。簡單來說,當(dāng)輸入電壓高于輸出電壓時,該芯片會通過開關(guān)管的快速開啟與關(guān)閉將能量逐步轉(zhuǎn)換,從而實現(xiàn)降壓。與傳統(tǒng)線性調(diào)節(jié)器相比,TPS62407QDRCRQ1 能夠以更高的效率完成這一過程,減少能量的損耗,同時降低發(fā)熱量。
4. 應(yīng)用領(lǐng)域
TPS62407QDRCRQ1 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于工業(yè)設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療器械以及消費類電子產(chǎn)品等。由于其高效能以及出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性,使其在需要快速響應(yīng)的場合尤為突出。例如,在移動設(shè)備內(nèi)部,其能夠迅速適應(yīng)不同負(fù)載條件,有效保證設(shè)備的穩(wěn)定性,從而提升用戶體驗。
5. 熱管理與散熱設(shè)計
熱管理是電源設(shè)計中重要的一環(huán)。TPS62407QDRCRQ1 在高負(fù)載下工作時,其發(fā)熱量需合理管理,以避免損壞芯片或影響性能。設(shè)計者通常會在PCB布線時考慮增加散熱裝置,如散熱片或者熱導(dǎo)材料,確保芯片的工作溫度在安全范圍內(nèi)。此外,合理的PCB設(shè)計,如良好的接地以及鋪銅面積,也能有效輔助散熱,提高整體系統(tǒng)的可靠性。
6. 設(shè)計中的考量
在使用 TPS62407QDRCRQ1 進行設(shè)計時,有幾個關(guān)鍵點需要特別關(guān)注。首先是輸入電源的選擇,合適的輸入電源不僅能保證芯片正常工作,還能最大化其效率。其次,輸出電壓的設(shè)定需要根據(jù)負(fù)載的具體需求而定,并在設(shè)計過程中留有一定的裕量,以應(yīng)對潛在的負(fù)載變化。
此外,設(shè)計過程中還需考慮電磁干擾(EMI)的影響。TPS62407QDRCRQ1 在高頻開關(guān)過程中可能產(chǎn)生一定的電磁輻射,因此采取適當(dāng)?shù)臑V波措施以及合理的布局設(shè)計是防止EMI的重要手段。適當(dāng)選用電容器與電感器的規(guī)格,配合合適的布局方式,可以降低系統(tǒng)的輻射干擾,提高電源設(shè)計的整體性能。
7. 性能評估與測試
在最終產(chǎn)品中,TPS62407QDRCRQ1 的性能評估與測試不可或缺。設(shè)計者通常在原型階段會使用示波器、數(shù)字萬用表等測試設(shè)備,對芯片在不同工作條件下的輸出電壓、輸出電流、效率進行全面測試,從而驗證其工作性能是否符合設(shè)計預(yù)期。同時,通過負(fù)載測試和過溫測試,可以評估其在極端條件下的工作穩(wěn)定性。
8. 未來的發(fā)展趨勢
隨著對能源效率和環(huán)保的要求不斷提高,電源管理芯片的設(shè)計也在持續(xù)創(chuàng)新和演進。TPS62407QDRCRQ1 的成功應(yīng)用為未來更高效的電源管理解決方案提供了重要的參考。在即將到來的智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和電動汽車領(lǐng)域,未來的電源管理芯片將需要在保持高效率的同時,進一步減小體積和重量,以適應(yīng)日益嚴(yán)苛的市場需求。
通過對 TPS62407QDRCRQ1 電源芯片的性能分析與應(yīng)用探索,我們不難發(fā)現(xiàn),它在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著不可或缺的角色。隨著技術(shù)的不斷進步,未來將會有更多創(chuàng)新的電源管理解決方案隨之推出,以滿足更加多樣化和高效的需求。
TPS62420QDRCRQ1
TI(德州儀器)
USB2513B-AEZC
Microchip(微芯)
XCZU19EG-2FFVC1760E
XILINX(賽靈思)
AD9744ARUZRL7
ADI(亞德諾)
CSR8670C-ICXT-R
CSR PLC
LPC1778FBD144K
NXP(恩智浦)
MAX98300ETA+T
Maxim(美信)
MSP430G2211IPW14R
TI(德州儀器)
RN8209D
S9014
CJ(江蘇長電/長晶)
24LC64T-I/ST
Microchip(微芯)
ATF1504AS-10JU84
Microchip(微芯)
FOD817SD
ON(安森美)
IRLML2246TRPBF
IR(國際整流器)
LM285DR-1-2
ON(安森美)
ADP122AUJZ-3.3-R7
ADI(亞德諾)
ADV7125KSTZ50
ADI(亞德諾)
CDSOD323-T05C
Bourns(伯恩斯)
LS1046AXN8T1A
NXP(恩智浦)
MIC4422YM
Microchip(微芯)
MOC3052M
ON(安森美)
MP28167GQ-A-Z
MPS(美國芯源)
NCV7691D10R2G
ON(安森美)
SGM7227YUWQ10G/TR
SGMICRO(圣邦微)
TPC116S1-VR
3PEAK(思瑞浦)
ATTINY24A-MU
Atmel(愛特梅爾)
FDB045AN08A0
Fairchild(飛兆/仙童)
PMV48XP
Nexperia(安世)
SM6T12CA
ST(意法)
STM32F205VBT6
ST(意法)
SYM-18H+
Mini-Circuits
TQ2-12V
Panasonic(松下)
CD4504BPWR
TI(德州儀器)
MIC2019A-1YM6-TR
Microchip(微芯)
MIMX8DX5AVLFZAC
NXP(恩智浦)
MKL03Z16VFK4
NXP(恩智浦)
MUR160RLG
ON(安森美)
OPA2241UA
Burr-Brown(TI)
PCA9555DBR
NXP(恩智浦)
PIC18F66J10-I/PT
Microchip(微芯)
74HCT573D
NXP(恩智浦)
ADS7828EB/2K5
TI(德州儀器)
CY8C4125LQI-483
Cypress(賽普拉斯)
DAC6311IDCKR
TI(德州儀器)
DLPC3436CZVB
TI(德州儀器)
MCIMX6Y2DVM05AB
NXP(恩智浦)
MP4423HGQ-Z
MPS(美國芯源)
NBA3N5573MNTXG
ON(安森美)
VN2460N8-G
SUPERTEX(超科)
AS4C32M16SB-7TIN
Alliance Memory
AT91SAM7S256C-AU
Atmel(愛特梅爾)
CDSOT23-SRV05-4
Bourns(伯恩斯)
MC33PF8100EQES
Freescale(飛思卡爾)
SCANSTA112VS
NS(國半)
TPS7A2050PDBVR
TI(德州儀器)
UCC27212AQDDARQ1
TI(德州儀器)
10M50SCE144I7G
ALTERA(阿爾特拉)
74AVC4T245PW
NXP(恩智浦)
ADV7125JSTZ240
ADI(亞德諾)
TMUX1104DGSR
TI(德州儀器)
VN5050JTR-E
ST(意法)
XC2C64A-7VQG100C
XILINX(賽靈思)
ADS8332IBPWR
TI(德州儀器)
AT24C32E-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
CA-IS3050G
Chipanalog(川土微)
CSTCE16M0V53-R0
MURATA(村田)
FF300R12ME4
Infineon(英飛凌)
IPD90P03P4L-04
VBsemi(臺灣微碧)
MC33363ADWR2G
ON(安森美)
PC28F512P30TFA
micron(鎂光)
SN74ACT04DR
TI(德州儀器)
UBX-G8020-KT
U-BLOX(優(yōu)北羅)
XCS30XL-4TQ144I
XILINX(賽靈思)
CH395Q
WCH(南京沁恒)
MBRB2535CTLT4G
ON(安森美)
MC79L05ABDR2G
ON(安森美)
MMBT6427LT1G
ON(安森美)
MP9928GL-Z
MPS(美國芯源)
NC7SZ04L6X
Fairchild(飛兆/仙童)
NCP1094MNRG
ON(安森美)
SBAV70LT1G
ON(安森美)
STM32F103RCT6TR
ST(意法)
CD4541BM96
TI(德州儀器)
CH341A
WCH(南京沁恒)
CM32181A3OP
Vishay(威世)
DSX321G
KDS
EPF10K20RI208-4N
ALTERA(阿爾特拉)
FDMS3669S
Freescale(飛思卡爾)
MAX1615EUK+T
Maxim(美信)
MCP6L91T-E/OT
MIC(昌福)
MSP430F1611IPM
TI(德州儀器)
NCP1117DTARKG
ON(安森美)
RT6365GSP
RICHTEK(臺灣立锜)
THB6064AH
TOSHIBA(東芝)
FE1.1
LTC1408CUH#PBF
LINEAR(凌特)
M74VHC1GT125DF2G
ON(安森美)
MAX6070BAUT25+T
Maxim(美信)
OPA2604AP
Burr-Brown(TI)
PEX8112-AA66BI
PLX
TLE7189F
Infineon(英飛凌)
TPA6130A2RTJR
TI(德州儀器)
USBUF01W6
ST(意法)
ADRF5021BCCZN
ADI(亞德諾)
ADUM241E0BRWZ
ADI(亞德諾)
AOD482
AOS(萬代)
HGTG11N120CND
Freescale(飛思卡爾)
LTC4124EV#TRMPBF
ADI(亞德諾)
MKV31F128VLL10
NXP(恩智浦)
PAM8302AADCR
PAM(龍鼎微)
REF191ESZ
PMI
10M04SAE144I7G
INTEL(英特爾)
3-5353652-6
TE(泰科)
74HCT595PW
NXP(恩智浦)
AT28C010-12JU
Atmel(愛特梅爾)
GRM32ER61C476KE15L
MURATA(村田)
IRFZ34NPBF
IR(國際整流器)
LM2594M-ADJ
NS(國半)
MAX30208CLB+T
Maxim(美信)
MC7915CTG
ON(安森美)
THC63LVDF84B
THine Electronics Inc
WSL36372L000FEA
Vishay(威世)
AOD464
AOS(萬代)
BAT30F4
ST(意法)
BCM5461SA2KQMG
Broadcom(博通)
CAT25256YI-GT3
ON(安森美)
F280048CPMQR
TI(德州儀器)
FD6288T
Fortior(峰岹科技)
HT66F018
HOLTEK(合泰)
MRFE6VS25GNR1
NXP(恩智浦)
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ON(安森美)
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Macronix International
TJA1054AT
NXP(恩智浦)
XC5VLX30-1FFG676C
XILINX(賽靈思)
AD7740KRMZ-REEL7
ADI(亞德諾)
ADE7858AACPZ-RL
TI(德州儀器)
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Marvell(美滿)
FM24V10-G
RAMTRON
IL213AT
Vishay(威世)
IPD60N10S4L-12
Infineon(英飛凌)
MAX5971BETI+T
Maxim(美信)
MBR2060CTG
ON(安森美)