MFRC52201HN1的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
MFRC52201HN1,115
Source Url Status Check Date
2013-06-14 00:00:00
Brand Name
NXP Semiconductor
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
113487767
零件包裝代碼
QFN
針數(shù)
32
制造商包裝代碼
SOT617-1
Reach Compliance Code
compliant
Factory Lead Time
13 weeks
風險等級
1.61
Samacsys Description
RFID Reader IC 13.56MHz ISO 14443, MIFARE I²C, SPI, UART 2.5V ~ 3.3V 32-VFQFN Exposed Pad
Samacsys Manufacturer
NXP
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
JESD-30 代碼
S-PQCC-N32
濕度敏感等級
1
端子數(shù)量
32
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-25 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
QCCN
封裝等效代碼
LCC32,.2SQ,20
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
CHIP CARRIER
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認證狀態(tài)
Not Qualified
最大壓擺率
100 mA
表面貼裝
YES
溫度等級
OTHER
端子形式
NO LEAD
端子節(jié)距
0.5 mm
端子位置
QUAD
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
uPs/uCs/外圍集成電路類型
MICROPROCESSOR CIRCUIT
MFRC52201HN1 射頻卡芯片的技術(shù)分析
引言
射頻識別（RFID）技術(shù)由于其非接觸式的數(shù)據(jù)傳輸模式，近年來在物流、資產(chǎn)管理、門禁控制等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在眾多射頻卡芯片中，MFRC52201HN1是一款性能優(yōu)越的射頻識別芯片，廣泛應(yīng)用于各種智能卡以及相關(guān)應(yīng)用中。本文將對MFRC52201HN1的技術(shù)特性、數(shù)據(jù)通信協(xié)議、應(yīng)用場景等進行深入分析。
一、MFRC52201HN1的基本特性
MFRC52201HN1是NXP Semiconductors公司推出的一款高性能的射頻卡芯片，支持ISO/IEC 14443 A/MIFARE協(xié)議。該芯片工作的頻率為13.56 MHz，能夠?qū)崿F(xiàn)高達424 kbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，同時具有較高的抗干擾能力和穩(wěn)定的性能。
其內(nèi)部集成了射頻調(diào)制解調(diào)器和數(shù)字信號處理器，使得其能夠處理復(fù)雜的射頻信號和數(shù)據(jù)交流過程。芯片內(nèi)部頻率合成器和功率放大器提供了有效的信號傳輸能力，能夠在一定的距離內(nèi)與讀寫器進行通信。
此外，MFRC52201HN1還具備了低功耗運行模式，適合用于電池供電的設(shè)備，這一特性使得其在可穿戴設(shè)備和小型終端應(yīng)用中體現(xiàn)出優(yōu)勢。
二、通信協(xié)議
MFRC52201HN1支持多種數(shù)據(jù)通信協(xié)議，主要包括ISO/IEC 14443 Type A和MIFARE協(xié)議。這些協(xié)議在數(shù)據(jù)傳輸時采用負載調(diào)制技術(shù)，確保了數(shù)據(jù)的可靠傳輸。在發(fā)射信號時，芯片通過改變電磁場的強度來實現(xiàn)信息的調(diào)制。在接收信號的過程中，芯片則能夠通過電流變化感知到信息的傳輸。
具體來說，MFRC52201HN1的操作包括發(fā)送命令、接收響應(yīng)、進行數(shù)據(jù)校驗等步驟。在實際應(yīng)用中，通常需要通過SPI或I2C接口與主控單元進行高效的數(shù)據(jù)交換。
三、物理特性
MFRC52201HN1的封裝形式為64引腳QFN（四方扁平無引腳封裝），其外形小巧，適合于空間受限的構(gòu)件。同時，該芯片的工作溫度范圍在-25°C至+85°C之間，適應(yīng)了各種環(huán)境的應(yīng)用需求。此外，芯片英文版數(shù)據(jù)手冊中提到其抗靜電能力，芯片的引腳抗靜電性能能夠達到±4 kV，這對于生產(chǎn)和使用過程中的安全性是至關(guān)重要的。
在電氣特性方面，MFRC52201HN1的工作電壓范圍為2.5V至3.6V，功耗可低至13μA，這使得其在長時間不活動時對電池的消耗極低，延長了設(shè)備的使用壽命。
四、應(yīng)用場景
MFRC52201HN1在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)秀的應(yīng)用潛力。首先，在交通運輸領(lǐng)域，其可用于交通一卡通系統(tǒng)，提供便捷的通行體驗。在這一應(yīng)用中，用戶只需將卡片靠近讀卡器，即可完成資金的扣費。而在門禁控制系統(tǒng)中，MFRC52201HN1也扮演著重要角色，允許或拒絕特定人員的入場。
此外，MFRC52201HN1在資產(chǎn)管理方面也有顯著的貢獻。通過在資產(chǎn)上貼附射頻標簽，企業(yè)可以實現(xiàn)實時的資產(chǎn)追蹤和監(jiān)控，顯著提升管理效率。在智能家居領(lǐng)域，MFRC52201HN1可與智能設(shè)備結(jié)合，實現(xiàn)家居的智能化控制，提升用戶的生活品質(zhì)。
在醫(yī)療領(lǐng)域，MFRC52201HN1亦被廣泛應(yīng)用于病歷管理及藥品追蹤，通過射頻卡片快速識別病人或藥品信息，從而提高醫(yī)療效率及安全性。由于其優(yōu)秀的特性，MFRC52201HN1的應(yīng)用范圍不斷擴展，可以預(yù)見其將在更多創(chuàng)新應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
五、未來發(fā)展
隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能城市的快速發(fā)展，射頻識別技術(shù)的應(yīng)用前景廣闊。MFRC52201HN1作為一款成熟的射頻卡芯片，其未來將繼續(xù)適應(yīng)不斷變化的市場需求。在數(shù)據(jù)安全性、傳輸速度和功耗等方面的不斷創(chuàng)新，對于MFRC52201HN1等芯片制造商來說，是一項重要的任務(wù)。未來，開發(fā)出更高效、更智能且更安全的射頻識別芯片將是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。
技術(shù)的進步和市場的需求將直接影響MFRC52201HN1的應(yīng)用范圍及其功能擴展。因此，如何結(jié)合先進的材料、優(yōu)質(zhì)的工藝以及創(chuàng)新的設(shè)計，來提升射頻芯片的綜合性能，將是NXP等廠家面臨的重要課題。通過不斷的創(chuàng)新和進步，MFRC52201HN1有望在更廣泛的應(yīng)用場景中大展身手，推動整個射頻識別技術(shù)的發(fā)展。
MFRC52201HN1
NXP(恩智浦)
SMBJ18A
Vishay(威世)
STR1550
ST(意法)
PI7C9X130DNDE
PERICOM(百利通)
TPD3S014DBVR
TI(德州儀器)
EP1C12F256I7N
ALTERA(阿爾特拉)
GVA-84+
Mini-Circuits
NT5CC128M16IP-DI
Nanya Technology
TLV70233QDBVRQ1
TI(德州儀器)
TOP244PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
XC6SLX25-2FGG484C
XILINX(賽靈思)
BFP780H6327XTSA1
Infineon(英飛凌)
LD1117S25CTR
ST(意法)
MSP430FE4272IPMR
TI(德州儀器)
N25Q064A13ESE40F
micron(鎂光)
1EDN7512BXTSA1
Infineon(英飛凌)
ADS8028IRTJR
TI(德州儀器)
MKL02Z32VFK4
NXP(恩智浦)
SN74HCT541PWR
TI(德州儀器)
TCD2564DG
TOSHIBA(東芝)
74HC1G08GW
Nexperia(安世)
MC7812BDTG
ON(安森美)
XFS5152CE
23LCV1024-I/SN
Microchip(微芯)
CY7C68001-56PVXC
Cypress(賽普拉斯)
EPCQ64SI16N
ALTERA(阿爾特拉)
MAX4172ESA+T
Maxim(美信)
UC2845AD8TR
TI(德州儀器)
HD64F2368VTE34V
Renesas(瑞薩)
IR2011STRPBF
Infineon(英飛凌)
VND5E006ASPTR-E
ST(意法)
B230A-13-F
Diodes(美臺)
CH32F103R8T6
WCH(南京沁恒)
HMC652LP2E
Hittite Microwave
NRVTSS3100ET3G
ON(安森美)
STM32L431KCU6
ST(意法)
TLC59281RGER
TI(德州儀器)
XC3S100E-4VQG100C
XILINX(賽靈思)
XC6SLX25-3CSG324I
XILINX(賽靈思)
AT24C02C-PUM
Atmel(愛特梅爾)
AT24C256C-MAHL-T
Atmel(愛特梅爾)
GD32F350RBT6
GD(兆易創(chuàng)新)
HI-8382CM-01
Holt Integrated Circuits Inc.
M41T01M6F
ST(意法)
RTD2660H-GR
REALTEK(瑞昱)
TLV1117LV25DCYR
TI(德州儀器)
TPS54228DDAR
TI(德州儀器)
L76-M33
移遠 Quectel
P89V51RD2FN
Philips(飛利浦)
SI53301-B-GMR
Skyworks(思佳訊)
STM32F413VGH6
ST(意法)
TLV1117IDCYR
TI(德州儀器)
TS3021ICT
ST(意法)
AD9467BCPZ-200
ADI(亞德諾)
ADUM3402ARWZ-RL
ADI(亞德諾)
HSMS-2827-TR1G
Agilent(安捷倫)
MBR20200CT
Mospec Semiconductor Corp
PAM8406DR
Diodes(美臺)
RTL8761BTV-CG
REALTEK(瑞昱)
TLV76733DRVR
TI(德州儀器)
5CSEBA6U19I7N
ALTERA(阿爾特拉)
ADS1294IPAG
TI(德州儀器)
BTS7080-2EPA
Infineon(英飛凌)
FDH45N50F-F133
ON(安森美)
HMC5983-TR
Honeywell(霍尼韋爾)
IPA60R180P7S
Infineon(英飛凌)
LMK1C1102PWR
TI(德州儀器)
MM3Z10VT1G
ON(安森美)
STM32G474VEH6
ST(意法)
ADUM2401CRWZ
ADI(亞德諾)
FGH40T120SMD-F155
ON(安森美)
TC58CVG2S0HRAIJ
KIOXIA(鎧俠)
TL3016IDR
TI(德州儀器)
A3901SEJTR-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
AD7357BRUZ
ADI(亞德諾)
FGH40N60UFDTU
ON(安森美)
LM5161QPWPTQ1
TI(德州儀器)
LTM8021IV#PBF
LINEAR(凌特)
MX35LF2GE4AB-MI
Macronix International
RTL8367RB-CG
REALTEK(瑞昱)
DS28E05R+T
Maxim(美信)
L9950XPTR
ST(意法)
LCMXO2-7000HC-4TG144C
Lattice(萊迪斯)
LM2940S-5.0
NS(國半)
SN74LVC1G80DBVR
TI(德州儀器)
STTH2003CFP
ST(意法)
TLP114A
TOSHIBA(東芝)
AP3015AKTR-G1
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
BISS0001
China(國產(chǎn))
MAX4372TEUK+T
Maxim(美信)
MC33978AEK
Freescale(飛思卡爾)
NCV8184DR2G
ON(安森美)
RT6228AGQUF
RICHTEK(臺灣立锜)
SM8103ADC
SILERGY(矽力杰)
TJA1027TK/20/1
NXP(恩智浦)
19S101-40ML5
AD9963BCPZ
ADI(亞德諾)
BTN8982TAAUMA1
Infineon(英飛凌)
IKCM20L60GD
LS Research
LM358ADR2G
TI(德州儀器)
MC908MR16CFUE
Freescale(飛思卡爾)
MC9S12XF512MLM
Freescale(飛思卡爾)
MIMXRT1176DVMAA
NXP(恩智浦)
MK26FN2M0VMD18
NXP(恩智浦)
MPM3695GRF-25-0022
MPS(美國芯源)
MTP2P50EG
ON(安森美)
NSS60601MZ4T1G
ON(安森美)
SN74LVCHR16245AGR
TI(德州儀器)
TJA1040T/VM
NXP(恩智浦)
5CGXBC9E6F31C7N
ALTERA(阿爾特拉)
AL8860QMP-13
Diodes(美臺)
CSD19505KCS
TI(德州儀器)
CY8C21234-24SXI
Cypress(賽普拉斯)
LT8640EUDC#PBF
LINEAR(凌特)
MIC2104YML-TR
Microchip(微芯)
RT7273GQW
RICHTEK(臺灣立锜)
TPIC6C596DR
TI(德州儀器)
TS04
China(國產(chǎn))
2EDN7524F
Infineon(英飛凌)
ATTINY861A-SU
Microchip(微芯)
ATXMEGA8E5-AU
Microchip(微芯)
