MJE5731A的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
MJE5731A
Brand Name
onsemi
是否無鉛
含鉛
生命周期
Obsolete
Objectid
1531631758
零件包裝代碼
TO-220 3 LEAD STANDARD
包裝說明
PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
針數(shù)
3
制造商包裝代碼
221A
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.29.00.95
風(fēng)險等級
8.71
Samacsys Description
PNP Bipolar Power Transistor
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
0
其他特性
LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外殼連接
COLLECTOR
最大集電極電流 (IC)
1 A
集電極-發(fā)射極最大電壓
375 V
配置
SINGLE
最小直流電流增益 (hFE)
10
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e0
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
最高工作溫度
140 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
235
極性/信道類型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
40 W
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
標(biāo)稱過渡頻率 (fT)
10 MHz
MJE5731A雙極性晶體管的特性與應(yīng)用
引言
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，半導(dǎo)體器件發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。晶體管作為一種重要的電子元器件，在信號放大、開關(guān)控制和其他應(yīng)用中不可或缺。其中，MJE5731A是一種常見的雙極性晶體管（BJT），因其優(yōu)異的性能及廣泛的應(yīng)用而備受關(guān)注。本文將對MJE5731A雙極性晶體管的基本特性、工作原理及應(yīng)用場景進(jìn)行深入探討。
基本特性
MJE5731A是一款NPN型功率雙極性晶體管，通常被用于放大和開關(guān)電路中。它的最大集電極電流為2A，最大集電極-發(fā)射極電壓為150V，具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。該器件的封裝形式一般為TO-220，能夠有效散熱，適合于高功率應(yīng)用。
在電氣特性方面，MJE5731A的直流增益（hFE）范圍在20至100之間，這使得它能夠在低輸入電流條件下保持較高的輸出電流。這一特性對于大多數(shù)功率放大器設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗軌蛟谛⌒盘枟l件下實(shí)現(xiàn)有效的信號放大。
MJE5731A的工作頻率范圍相對較寬，一般可達(dá)到幾十千赫茲，滿足各類中低頻電路的要求。此外，其開關(guān)速度也較快，適用于開關(guān)電源和脈沖信號應(yīng)用。其熱阻較低，能夠在高溫工作環(huán)境下保持良好的性能，這使得MJE5731A在工業(yè)及家電等多種領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
工作原理
雙極性晶體管的工作原理基于電流放大原理。對于NPN型晶體管而言，其工作主要依賴于三個區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)通過高摻雜來注入大量的載流子（電子），基區(qū)相對較薄且摻雜濃度較低，因此在發(fā)射區(qū)注入的載流子能迅速穿過基區(qū)，最終被集電區(qū)所收集。
MJE5731A通過施加適當(dāng)?shù)幕鶚O電流，能夠?qū)崿F(xiàn)集電極與發(fā)射極之間較高的電流流動。基極電流的變化會引起集電極電流的成比例變化，從而實(shí)現(xiàn)信號的放大。當(dāng)在基極施加正向偏置時，電子從發(fā)射區(qū)流向基區(qū)并進(jìn)入集電區(qū)，形成了集電極電流的流動。
在實(shí)際應(yīng)用中，MJE5731A的穩(wěn)定性與可靠性也受到許多因素的影響，包括溫度、偏置條件和負(fù)載情況等。在電路設(shè)計(jì)中，工程師常常需要對這些因素進(jìn)行充分考慮，以確保晶體管在各種工作條件下均能穩(wěn)定運(yùn)行。
應(yīng)用場景
由于MJE5731A的優(yōu)異特性，該晶體管在多個領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。在音頻放大器中，MJE5731A常作為輸出級的驅(qū)動元件，其高增益特性使得小信號能夠有效放大到大功率輸出，從而驅(qū)動揚(yáng)聲器。在這個應(yīng)用中，MJE5731A不僅需要具備良好的增益，還要有適應(yīng)各種負(fù)載的能力。
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MJE5731A也發(fā)揮了重要作用。開關(guān)電源通常需要高效率和快速的響應(yīng)能力，而MJE5731A的快速開關(guān)性能使其成為理想選擇。通過合理的電路設(shè)計(jì)，MJE5731A可以在高頻操作中實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換，從而提高整體系統(tǒng)的效率。
此外，MJE5731A還被廣泛應(yīng)用于逆變器、馬達(dá)驅(qū)動器、LED驅(qū)動電路等。這些應(yīng)用均要求晶體管具有高的耐壓、高的電流承載能力，以及良好的熱管理性能，而MJE5731A正好具備這些特性。
在汽車電子領(lǐng)域，隨著汽車智能化的發(fā)展，MJE5731A在各種傳感器、控制模塊及電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中的使用也日益增長。其穩(wěn)定性與抗干擾能力使得MJE5731A在惡劣環(huán)境下依然能夠正常工作，確保汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)健性和可靠性。
小結(jié)
MJE5731A雙極性晶體管因其優(yōu)良的電氣特性、廣泛的適用性以及良好的熱管理性能，被廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。無論是在音頻放大器、開關(guān)電源，還是在汽車電子和工業(yè)控制中，MJE5731A都展現(xiàn)出了其獨(dú)特的價值。同時，隨著電子技術(shù)的發(fā)展，對材料科學(xué)與制造工藝的不斷進(jìn)步，未來MJE5731A及類似晶體管的應(yīng)用前景仍將開闊。
MJE5731A
NXP(恩智浦)
ATMEGA328P-AU
Microchip(微芯)
ADS1248IPWR
Burr-Brown(TI)
STM32F103VET6
ST(意法)
LM3481QMM
TI(德州儀器)
LM3481MM
NS(國半)
STM32F407ZET6
TI(德州儀器)
W5500
WINBOND(華邦)
ATMEGA2560-16AU
Atmel(愛特梅爾)
VNH5180ATR-E
ST(意法)
ATMEGA128A-AU
Atmel(愛特梅爾)
TPS5430DDAR
TI(德州儀器)
STM32F103ZET6
ST(意法)
AD7606BSTZ
ADI(亞德諾)
STM32F429IGT6
ST(意法)
STM32F103CBT6
TI(德州儀器)
KLM8G1GETF-B041
SAMSUNG(三星)
FT232RL
FTDI(飛特帝亞)
LPC1768FBD100
NXP(恩智浦)
STM32F030K6T6
TI(德州儀器)
STM32F103RET6
ST(意法)
MBR0520LT1G
ON(安森美)
STM32H743ZIT6
ST(意法)
ULN2003ADR
TI(德州儀器)
STM32H750VBT6
ST(意法)
BSP75N
Infineon(英飛凌)
ISL8204MIRZ
Renesas(瑞薩)
TPS51200DRCR
TI(德州儀器)
TMS320F28034PNT
TI(德州儀器)
LM358DR
ON(安森美)
MCIMX6Y2CVM08AB
NXP(恩智浦)
MCIMX6Q5EYM10AD
Freescale(飛思卡爾)
W25Q128JVSIQ
WINBOND(華邦)
ATMEGA8A-AU
Atmel(愛特梅爾)
GD32F103C8T6
ST(意法)
XCF04SVOG20C
XILINX(賽靈思)
MK70FN1M0VMJ15
Freescale(飛思卡爾)
ISO1050DUBR
Burr-Brown(TI)
ATMEGA32A-AU
Atmel(愛特梅爾)
STM32H743IIT6
ST(意法)
XC6SLX75-3CSG484I
XILINX(賽靈思)
ADM2587EBRWZ
ADI(亞德諾)
SN75ALS181NSR
TI(德州儀器)
GD32F103RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
USBLC6-2SC6
ST(意法)
NRF52832-QFAA-R
NORDIC
TPS74501PQWDRVRQ1
TI(德州儀器)
ATMEGA64A-AU
Atmel(愛特梅爾)
AMS1117-3.3
AMS(艾邁斯)
LAN8720AI-CP-TR
smsc
XC7K325T-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
MCIMX6Q6AVT10AD
NXP(恩智浦)
SN65HVD230DR
TI(德州儀器)
TXS0108EPWR
TI(德州儀器)
74HC595D
ON(安森美)
BCM89811B1AWMLG
Broadcom(博通)
SN75176BDR
NXP(恩智浦)
N76E003AT20
Nuvoton(新唐)
STM32F103RBT6
ST(意法)
FS32K144HFT0VLLT
NXP(恩智浦)
MK66FN2M0VLQ18
Freescale(飛思卡爾)
STM32F427VGT6
ST(意法)
LM358DR2G
TI(德州儀器)
NCP1654BD65R2G
ON(安森美)
ADM2582EBRWZ
ADI(亞德諾)
ADUM1201ARZ
ADI(亞德諾)
MURS160T3G
ON(安森美)
STM8L052C6T6
ST(意法)
BSC030N08NS5
Infineon(英飛凌)
MCHC11F1CFNE4
NXP(恩智浦)
TPS1H100BQPWPRQ1
TI(德州儀器)
EPCQ64ASI16N
ALTERA(阿爾特拉)
VNS3NV04DPTR-E
ST(意法)
SN74HC595DR
TI(德州儀器)
O3853QDCARQ1
TI(德州儀器)
TJA1050T/CM
NXP(恩智浦)
ATMEGA16A-AU
Microchip(微芯)
STM32F030F4P6
TI(德州儀器)
LIS3DHTR
ST(意法)
DSP56F803BU80E
MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F411CEU6
ST(意法)
STM32G070CBT6
ST(意法)
MAX13487EESA
Maxim(美信)
STM32F427ZGT6
ST(意法)
ATMEGA88PA-AU
Atmel(愛特梅爾)
ADS1258IRTCR
ADI(亞德諾)
MBRA340T3G
ON(安森美)
TPS54331DR
TI(德州儀器)
NUP2105LT1G
NXP(恩智浦)
STM32G030C8T6
ST(意法)
MAX3232ESE
Maxim(美信)
VNH5019ATR-E
TI(德州儀器)
W25Q64JVSSIQ
WINBOND(華邦)
ADSP-21060LCW-160
ADI(亞德諾)
LPC1788FBD208
NXP(恩智浦)
5CEFA7F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
NTD2955T4G
ON(安森美)
MC34063ADR2G
MOTOROLA(摩托羅拉)
MK70FX512VMJ15
NXP(恩智浦)
NRF52840-QIAA-R
NORDIC
STM32L151RET6
ST(意法)
ISO3082DWR
TI(德州儀器)
LIS2DH12TR
ST(意法)
STM32F429IIT6
ST(意法)
VND7012AYTR
ST(意法)
NCP1117ST33T3G
ON(安森美)
LM3481QMMX
TI(德州儀器)
AT24C02C-SSHM-T
TI(德州儀器)
MCIMX6D6AVT10AD
NXP(恩智浦)
FT232RL-REEL
FTDI(飛特帝亞)
STM8L052R8T6
ST(意法)
ATMEGA328P-PU
Atmel(愛特梅爾)
MCF52259CAG80
Freescale(飛思卡爾)
VNH3SP30TR-E
ST(意法)
XCF32PFSG48C
XILINX(賽靈思)
W25Q32JVSSIQ
WINBOND(華邦)
CKS32F030C8T6
EPCS16SI8N
ALTERA(阿爾特拉)
STM32F107VCT6
ST(意法)
ADXL355BEZ
ADI(亞德諾)
GD32F103CBT6
TI(德州儀器)
CY62167EV30LL-45ZXA
Cypress(賽普拉斯)
STM32F427VIT6
ST(意法)
LMZ31710RVQR
TI(德州儀器)
ATMEGA168PA-AU
Atmel(愛特梅爾)
MBRS540T3G
ON(安森美)
MBRD835LT4G
ON(安森美)
MBRS340T3G
Freescale(飛思卡爾)
TPA3116D2DADR
TI(德州儀器)
BAV99
Diodes(美臺)
5CEFA9F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
