VNL5090S5TR-E的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
VNL5090S5TR-E
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1165388791
包裝說(shuō)明
SOP-8
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Morocco
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
16 weeks 3 days
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
1.67
Samacsys Description
Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower , 13A , 36V (Max) , -40°C ~ 150°C (TJ)
Samacsys Manufacturer
STMicroelectronics
Samacsys Modified On
2024-08-25 08:03:01
YTEOL
5.97
可調(diào)閾值
NO
模擬集成電路 - 其他類型
POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代碼
R-PDSO-G8
長(zhǎng)度
4.9 mm
信道數(shù)量
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
8
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
座面最大高度
1.75 mm
最大供電電壓 (Vsup)
5.5 V
最小供電電壓 (Vsup)
3.5 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)
5 V
表面貼裝
YES
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
NOT SPECIFIED
寬度
3.9 mm
VNL5090S5TR-E功率電子開(kāi)關(guān)的研究與應(yīng)用
功率電子開(kāi)關(guān)在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。它們用于控制和轉(zhuǎn)換電能，廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、可再生能源、電動(dòng)汽車以及高效率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。VNL5090S5TR-E便是一款具有良好性能的功率電子開(kāi)關(guān)，基于其獨(dú)特的技術(shù)與應(yīng)用，本文將探討其結(jié)構(gòu)原理、性能特點(diǎn)及在各類應(yīng)用中的適用性。
VNL5090S5TR-E是一種雙極型晶體管功率開(kāi)關(guān)，其關(guān)鍵特性在于能夠承受高電流和高電壓，同時(shí)具備較低的導(dǎo)通電阻。這種特性使其在高效能應(yīng)用中顯得尤為重要。晶體管的基本工作原理是通過(guò)施加在基極（Gate）上的電壓控制集電極（Collector）和發(fā)射極（Emitter）之間的電流流動(dòng)。其結(jié)構(gòu)通常包括具有廣泛擊穿電壓的半導(dǎo)體材料，這不僅提高了器件的安全性，也提升了其在高功率場(chǎng)合下的穩(wěn)定性。
在具體的性能指標(biāo)上，VNL5090S5TR-E具備顯著的熱管理特性，使其能夠在高工作溫度環(huán)境下維持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。其封裝設(shè)計(jì)使用了良好的散熱材料，這不僅能夠降低器件內(nèi)部溫度，也減少了由于高溫導(dǎo)致的性能衰減。同時(shí)，較低的開(kāi)關(guān)損耗也是VNL5090S5TR-E的一大優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)損耗通常會(huì)在設(shè)備頻繁開(kāi)關(guān)時(shí)顯著增加，因此在實(shí)際應(yīng)用中，選擇一種損耗較低的開(kāi)關(guān)有助于提升系統(tǒng)的整體能效。
在應(yīng)用方面，VNL5090S5TR-E可廣泛用于各種電力轉(zhuǎn)換裝置中。例如，在太陽(yáng)能逆變器中，該器件能夠?qū)?lái)自太陽(yáng)能電池的直流電進(jìn)行轉(zhuǎn)換，進(jìn)而提供穩(wěn)定的交流電輸送至電網(wǎng)。在電動(dòng)汽車充電裝置中，VNL5090S5TR-E同樣扮演著重要角色，能夠有效控制電流，提高充電效率。
此外，在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，VNL5090S5TR-E的快速開(kāi)關(guān)能力可以顯著提升電機(jī)的啟動(dòng)和調(diào)速性能。在風(fēng)力發(fā)電的現(xiàn)場(chǎng)，功率開(kāi)關(guān)可用于控制風(fēng)能轉(zhuǎn)化為電能的效率，確保設(shè)備在不同風(fēng)速下仍然能夠運(yùn)作自如。在高壓直流輸電（HVDC）領(lǐng)域，VNL5090S5TR-E也展現(xiàn)出了良好的應(yīng)用潛力，可以幫助實(shí)現(xiàn)電力的長(zhǎng)距離高效傳輸。
隨著技術(shù)的進(jìn)步，VNL5090S5TR-E在智能電網(wǎng)建設(shè)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。智能電網(wǎng)需要高效的功率電子開(kāi)關(guān)以實(shí)現(xiàn)能源的動(dòng)態(tài)管理與分配。通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和控制電能的流動(dòng)，能夠確保用戶在任何時(shí)刻都能享受到更穩(wěn)定、更可靠的電力供應(yīng)。
在選擇功率電子開(kāi)關(guān)時(shí)，除了考慮導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)頻率外，可靠性和耐用性同樣不可忽視。VNL5090S5TR-E的制造工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，使其具備更高的抗干擾能力和較長(zhǎng)的使用壽命。在高電壓和高電流的操作環(huán)境下，能夠有效抵御各種電氣和環(huán)境干擾，確保設(shè)備始終如一的性能表現(xiàn)。
除了傳統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域外，VNL5090S5TR-E在一些新興技術(shù)領(lǐng)域中展現(xiàn)出了潛力。例如，在無(wú)人機(jī)和電動(dòng)飛行器中，為了實(shí)現(xiàn)機(jī)動(dòng)性與高效能的結(jié)合，功率電子開(kāi)關(guān)的高功率密度和快速響應(yīng)特性得到了廣泛的關(guān)注。在這些領(lǐng)域中，功率電子開(kāi)關(guān)能夠幫助減少系統(tǒng)的整體重量，同時(shí)提升電池的使用效率，延長(zhǎng)飛行時(shí)間。
近年來(lái)，功率電子開(kāi)關(guān)的集成化程度不斷提高，VNL5090S5TR-E也朝著這一方向發(fā)展。傳統(tǒng)的單一器件在許多應(yīng)用場(chǎng)景下已經(jīng)無(wú)法滿足系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的復(fù)雜性需求，集成化設(shè)計(jì)不僅能夠減小系統(tǒng)的體積，還有助于實(shí)現(xiàn)更高的性能和效率。隨著高集成度電力電子設(shè)備的不斷推陳出新，VNL5090S5TR-E可能將在未來(lái)的智能電力系統(tǒng)中扮演更加重要的角色。
再者，VNL5090S5TR-E在數(shù)字化控制系統(tǒng)中的應(yīng)用前景也相當(dāng)廣闊。通過(guò)數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）或微控制器實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)控制，可以進(jìn)一步提高系統(tǒng)的靈活性和智能化水平。在這個(gè)背景下，VNL5090S5TR-E的高集成度和良好的電氣特性使其成為理想選擇，能夠滿足日益增長(zhǎng)的功率轉(zhuǎn)換和控制需求。
總體來(lái)看，VNL5090S5TR-E功率電子開(kāi)關(guān)以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，正在重新定義現(xiàn)代電力電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與工作方式。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的變化，VNL5090S5TR-E勢(shì)必將在智能電網(wǎng)、新能源、電動(dòng)交通等多元化領(lǐng)域中發(fā)揮更大的作用，推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的革新與發(fā)展。
VNL5090S5TR-E ST(意法)AD7980ARMZRL7 ADI(亞德諾)
MDC3105LT1G ON(安森美)
MMBD4148CC ON(安森美)
STD120N4F6 ST(意法)
UCC2808AQDR-1Q1 TI(德州儀器)
AD5061YRJZ-1500RL7 ADI(亞德諾)
AD9601BCPZ-200 ADI(亞德諾)
AK2302-E1 AKM(旭化成)
DRV8718SQRVJRQ1 TI(德州儀器)
IS181GB ISOCOM COMPONENTS
LC4064V-75TN48I Lattice(萊迪斯)
MCP23S18T-E/MJ Microchip(微芯)
MJD117T4G ON(安森美)
MMBTA05LT1G ON(安森美)
MMBZ5245BLT1G ON(安森美)
THS4541IRUNR TI(德州儀器)
MC33269DTG ON(安森美)
SMAJ33CA-TR ST(意法)
SMMBT2222ALT1G ON(安森美)
STP20NM60FP ST(意法)
TL082HIDR TI(德州儀器)
TPS72501DCQR TI(德州儀器)
1N5819HW1-7-F Diodes(美臺(tái))
ACS724LLCTR-20AU-T ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
BTS3104SDL Infineon(英飛凌)
LC709203FXE-01MH ON(安森美)
LM4041DIM3-1.2/NOPB TI(德州儀器)
LMR14020SQDDARQ1 TI(德州儀器)
MM3280J05NRH MITSUMI(美上美)
N25Q128A13EF8A0F micron(鎂光)
PIC18F2520-I/ML Microchip(微芯)
SN65LBC172A16DWR TI(德州儀器)
SN74LVC1G57DCKR TI(德州儀器)
SP706REN-L/TR SIPEX(西伯斯)
ST1S12GR ST(意法)
STM8AF6246TDSSSX ST(意法)
XC7S15-1FTGB196I XILINX(賽靈思)
FCP067N65S3 ON(安森美)
LP2980IM5X-5.0/NOPB TI(德州儀器)
LQP15MN3N9B02D MURATA(村田)
MK22FX512AVLQ12 NXP(恩智浦)
RB160M-60TR Rohm(羅姆)
SM05.TCT Semtech(商升特)
SN74AHC16244DGGR TI(德州儀器)
TLV9302IDR TI(德州儀器)
TX2-12V Panasonic(松下)
UC2843AD8TR TI(德州儀器)
1206L020YR Littelfuse(力特)
AD9859YSVZ ADI(亞德諾)
AM3357BZCZD60 TI(德州儀器)
AMC1300BQDWVRQ1 TI(德州儀器)
CM1000DU-34NF Mitsubishi Electric (三菱)
DRV8833CRTER TI(德州儀器)
FCH041N60E ON(安森美)
FDMF6823C ON(安森美)
GRM21BR60J476ME15L MURATA(村田)
L6472HTR ST(意法)
M25PE40-VMN6TP ST(意法)
M95128-RDW6TP ST(意法)
MAX3362EKA+T Maxim(美信)
MAX809MTRG Maxim(美信)
MCP3201T-CI/SN Micrel(麥瑞)
NCV4276CDT50RKG ON(安森美)
PSS30S71F6 Mitsubishi Electric (三菱)
SN74HC393DR TI(德州儀器)
STTH108A ST(意法)
STTH310S ST(意法)
TDA2005R ST(意法)
TL16C752DPFBRQ1 TI(德州儀器)
ACS70331EESATR-2P5U3 ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
AD8314ACPZ-RL7 ADI(亞德諾)
AIP650EO
DP83867IRRGZT TI(德州儀器)
DS75S+T&R Maxim(美信)
FS32K146HAT0VLLT NXP(恩智浦)
KP-1608SURC Kingbright(今臺(tái)電子)
LD1117AS12TR ST(意法)
LT3029EMSE#TRPBF ADI(亞德諾)
MAAVSS0006TR-3000 L-com
MAX1968EUI+T Maxim(美信)
SGM3209YS8G/TR SGMICRO(圣邦微)
SKQGABE010 Alps Electric
VIPER27LDTR ST(意法)
5PB1104PGGI8 Renesas(瑞薩)
AD8170ARZ ADI(亞德諾)
ADF7021BCPZ-RL7 ADI(亞德諾)
ADUM162N0BRZ ADI(亞德諾)
BAS70-04-7-F Diodes(美臺(tái))
BTS5215LAUMA1 Infineon(英飛凌)
DAC7513E/2K5 Burr-Brown(TI)
FDS6990AS Freescale(飛思卡爾)
HSMH-C190 Avago(安華高)
IPW65R110CFD Infineon(英飛凌)
ISO1042BQDWRQ1 TI(德州儀器)
LM317MABDTG ON(安森美)
ME6210A33PG MICRONE(南京微盟)
MOC3052SR2M Freescale(飛思卡爾)
MPC8321CVRAFDCA NXP(恩智浦)
OPA2192IDGKT TI(德州儀器)
SRV05-4ATCT TECH PUBLIC(臺(tái)舟)
STD30NF06LT4 ST(意法)
TJA1028TK/3V3/20/1 NXP(恩智浦)
TLE7184F Infineon(英飛凌)
TPS7B8233QDRVRQ1 TI(德州儀器)
XC6SLX75-2FGG676C XILINX(賽靈思)
1N5333BG Vishay(威世)
24AA256T-I/ST Microchip(微芯)
ADG453BRUZ ADI(亞德諾)
ATTINY261A-SU Atmel(愛(ài)特梅爾)
BGX50AE6327HTSA1 Infineon(英飛凌)
BQ24104RHLR TI(德州儀器)
BSC059N04LS6 Infineon(英飛凌)
CD40109BNSR TI(德州儀器)
ESP32-WROVER-E-N16R8 ESPRESSIF 樂(lè)鑫
ESP8266MOD Ai-Thinker(安信可)
ITS428L2ATMA1 Infineon(英飛凌)
LT7911D Lontium(龍迅)
MJD127 ON(安森美)
NCP308SNADJT1G ON(安森美)
OPA2369AIDCNR TI(德州儀器)
OPA627BP TI(德州儀器)
PESD5V0S1BSF Nexperia(安世)
PESD5V0V1BB Nexperia(安世)
SN74ALVC125PWR TI(德州儀器)
SZMM5Z5V6T1G ON(安森美)
TM1640B TM(天微)
TPS2500DRCR TI(德州儀器)
TPS2561AQDRCRQ1 TI(德州儀器)
VNI4140KTR-32 ST(意法)
XC6SLX45-3FGG676I XILINX(賽靈思)
ADP223ACPZ-R7 ADI(亞德諾)
B330A-13-F Diodes(美臺(tái))
