IRFB38N20DPBF的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Transferred
Objectid
2025208348
零件包裝代碼
TO-220AB
包裝說明
LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
7.42
雪崩能效等級(jí)（Eas）
460 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
200 V
最大漏極電流 (ID)
43 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.054 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
320 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
180 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IRFB38N20DPBF場(chǎng)效應(yīng)管的特性與應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電子技術(shù)中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。IRFB38N20DPBF是一種采用雙極性材料制成的功率場(chǎng)效應(yīng)管，廣泛應(yīng)用于電源管理、逆變器及其他功率電子裝置中。本文將詳細(xì)探討IRFB38N20DPBF的結(jié)構(gòu)、特性、應(yīng)用以及在實(shí)際電路中的表現(xiàn)。
首先，IRFB38N20DPBF是N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，這意味著其導(dǎo)通狀態(tài)需要通過施加正壓于其柵極實(shí)現(xiàn)。該器件的主要結(jié)構(gòu)包括源極、漏極和柵極。源極和漏極之間的電流流動(dòng)由柵極電壓來控制。在關(guān)斷狀態(tài)下，通道是高度阻抗的，防止電流流動(dòng)；而在開啟狀態(tài)下，柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，通道形成，高載流子濃度使得電流得以流通，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)作用。
IRFB38N20DPBF的一個(gè)重要參數(shù)是其額定電壓和電流。根據(jù)制造商的提供數(shù)據(jù)，該器件具有20V的最大漏極源極電壓(V_DS)和38A的最大漏極電流(I_D)，這使其適用于需要高效電源調(diào)節(jié)與控制的應(yīng)用。同時(shí)，該器件的R_DS(on)參數(shù)表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗，值越低，電流通過時(shí)的能量損耗就越小，從而提升了整體工作效率。
該器件的開關(guān)特性也非常引人注目。IRFB38N20DPBF的開關(guān)速度相對(duì)較快，這使得其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其柵電荷(Q_G)的參數(shù)表明要驅(qū)動(dòng)該MOSFET所需的柵電荷量，低柵電荷能使得驅(qū)動(dòng)電路功耗減少，并提升整體效率。這一點(diǎn)在高頻開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中尤為重要。
除了電氣特性，IRFB38N20DPBF的熱性能同樣值得關(guān)注。該器件采用改進(jìn)的封裝技術(shù)，能夠有效提高散熱能力。有效的散熱不僅能夠降低元件的工作溫度，延長(zhǎng)器件的壽命，還能提高設(shè)備的運(yùn)行穩(wěn)定性。這一點(diǎn)在一些高功率或高溫環(huán)境下的應(yīng)用中顯得尤為重要。
在實(shí)際應(yīng)用方面，IRFB38N20DPBF常常用于電源轉(zhuǎn)換電路，如開關(guān)電源（SMPS）和直流-直流轉(zhuǎn)換器（DC-DC Converter）。在這些電路中，IRFB38N20DPBF能夠高效地轉(zhuǎn)換電壓和電流，滿足負(fù)載變化的需求。此外，由于其高效的開關(guān)特性，IRFB38N20DPBF在逆變器、驅(qū)動(dòng)電機(jī)以及光伏逆變器等場(chǎng)合均發(fā)揮著重要的作用。
在電機(jī)控制系統(tǒng)中，IRFB38N20DPBF被廣泛用于電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。在PWM（脈寬調(diào)制）控制下，該器件能夠快速響應(yīng)信號(hào)變化，實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)速與扭矩的靈活控制。這種高效的控制能力不僅提升了電機(jī)的運(yùn)行性能，還有效降低了能耗。
總的來說，IRFB38N20DPBF作為一種高性能的N溝道MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣和熱性能，被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。隨著電子應(yīng)用的不斷發(fā)展，對(duì)功率器件的要求也越來越高，而IRFB38N20DPBF憑借其性能特征，有望在未來的電子產(chǎn)業(yè)中繼續(xù)發(fā)揮重要的作用。
在高頻開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，IRFB38N20DPBF的優(yōu)越性體現(xiàn)得尤為明顯。高效的開關(guān)切換以及低導(dǎo)通電阻，使得使用該器件能夠顯著提高電源的轉(zhuǎn)換效率。另外，其出色的抗干擾能力和較好的熱穩(wěn)定性，為電源設(shè)計(jì)提供了更多的靈活性與可靠性。在這些應(yīng)用中，設(shè)計(jì)者能夠充分利用IRFB38N20DPBF的各項(xiàng)特性，實(shí)現(xiàn)高性能、高效能的電源解決方案。
隨著技術(shù)的進(jìn)步，場(chǎng)效應(yīng)管的性能參數(shù)與應(yīng)用場(chǎng)景也在不斷擴(kuò)展。IRFB38N20DPBF作為這一進(jìn)程中的代表性器件，展示了現(xiàn)代功率電子技術(shù)的發(fā)展方向。對(duì)于電子工程師而言，了解和掌握這種器件的特性，將有利于更好地設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電子設(shè)備。而在未來的研究中，對(duì)IRFB38N20DPBF及其類似器件的性能優(yōu)化、熱管理以及應(yīng)用拓展等方面，仍然是具有廣泛前景的研究方向。
因此，IRFB38N20DPBF不僅是當(dāng)今電子市場(chǎng)上的一種重要組件，也是推動(dòng)各類電子設(shè)備高效化、智能化發(fā)展的重要力量。
IRFB38N20DPBF
INFINEON（英飛凌）
MSP430FR6870IPMR
TI(德州儀器)
DAC8532IDGKR
Burr-Brown(TI)
SN74HCT14DR
TI(德州儀器)
IR1168STRPBF
Infineon(英飛凌)
OPA4244EA/2K5
TI(德州儀器)
REF2933AIDBZR
TI(德州儀器)
SI7489DP-T1-GE3
Vishay(威世)
CDCM61002RHBR
TI(德州儀器)
TIC12400QDCPRQ1
TI(德州儀器)
LM397MFX/NOPB
NS(國(guó)半)
OP37GSZ-REEL7
TI(德州儀器)
TPD1E10B09DPYR
TI(德州儀器)
TPS62816QWRWYRQ1
TI(德州儀器)
1N5822
LRC(樂山無線電)
PVG612PBF
IR(國(guó)際整流器)
TPS54427DDAR
TI(德州儀器)
74LVC1T45GW
Nexperia(安世)
MC9S08QG8CFFE
Freescale(飛思卡爾)
SN74CBTLV3257DBQR
TI(德州儀器)
LM339ADR
TI(德州儀器)
PIC12F629T-I/SN
Microchip(微芯)
SN65HVD22DR
TI(德州儀器)
LM75AIMX/NOPB
NS(國(guó)半)
SN65ALS176DR
TI(德州儀器)
IKW40N65H5
Infineon(英飛凌)
MAX96712GTB/V+T
Maxim(美信)
24LC01BT-I/SN
Microchip(微芯)
MUR120RLG
ON(安森美)
S25FL127SABMFI101
SPANSION(飛索)
AD8479ARZ-RL
ADI(亞德諾)
DS90UH947TRGCRQ1
TI(德州儀器)
HT16K33
HOLTEK(合泰)
SI2392ADS-T1-GE3
Vishay(威世)
TIP35C
ST(意法)
BSH103
Philips(飛利浦)
NCP3230MNTXG
ON(安森美)
IRF830PBF
Infineon(英飛凌)
2309413-1
TE(泰科)
24LC32AT-I/OT
MIC(昌福)
SN74LVC244ADWR
TI(德州儀器)
VND5T050AKTR-E
ST(意法)
W9812G6KH-6
WINBOND(華邦)
AD9695BCPZ-1300
ADI(亞德諾)
ATMEGA168PA-AUR
Microchip(微芯)
CLA50E1200HB
IXYS(艾賽斯)
NCV7428D15R2G
ON(安森美)
SPF-5043Z
RFMD
TS4962IQT
ST(意法)
PL2303GC
PROLIFIC(旺玖科技)
SS8550
SK(海力士)
BQ24105RHLR
TI(德州儀器)
SBRS8340T3G
ON(安森美)
TMP01ESZ
ADI(亞德諾)
ATSAMA5D27C-D1G-CU
Microchip(微芯)
LD29300P2MTR
ST(意法)
TLC271CDR
TI(德州儀器)
AD9246BCPZ-125
ADI(亞德諾)
FDS4685
Fairchild(飛兆/仙童)
MAX8902BATA+T
Maxim(美信)
SUCS1R52405C
COSEL
AD9789BBCZ
ADI(亞德諾)
LP2951CMMX-3.3/NOPB
TI(德州儀器)
IRF5803TRPBF
Infineon(英飛凌)
PIC18F4550-I/P
Microchip(微芯)
RTL8309N-VB-CG
REALTEK(瑞昱)
88E6083-B0-LGR1I000
Marvell(美滿)
BTS50080-1TMA
Infineon(英飛凌)
IRFL110TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
MM3Z12VST1G
ON(安森美)
IHLP2525CZER100M01
Vishay(威世)
LMK03328RHSR
TI(德州儀器)
LMK03318RHSR
TI(德州儀器)
74LVC1G08GV
Philips(飛利浦)
ISO7760FDBQR
TI(德州儀器)
TOP264VG
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TXB0106RGYR
TI(德州儀器)
VNI2140J
ST(意法)
ADSP-BF504BCPZ-4F
ADI(亞德諾)
10CL016YU256I7G
ALTERA(阿爾特拉)
AT89C51RC-24PU
Atmel(愛特梅爾)
CX20709-21Z
CONEXANT
MCP3551-E/SN
MIC(昌福)
TPS5430QDDARQ1
TI(德州儀器)
ACPL-339J-500E
Avago(安華高)
ATXMEGA32E5-MU
Atmel(愛特梅爾)
TLV333IDCKR
TI(德州儀器)
6TPE330MAP
Panasonic(松下)
DRV8809PAP
TI(德州儀器)
RTL8213B-CG
REALTEK(瑞昱)
TPD12S016RKTR
TI(德州儀器)
ADS127L01IPBS
TI(德州儀器)
BCM54282C1KFBG
Broadcom(博通)
DRV8889QWRGERQ1
TI(德州儀器)
LM324AN
TI(德州儀器)
PIC32MX534F064H-I/PT
Microchip(微芯)
RT8231AGQW
RICHTEK(臺(tái)灣立锜)
IKW40N120CS6
Infineon(英飛凌)
STM32F207ZCT6
ST(意法)
TLV431BSN1T1G
Opto Diode Corporation
XCR3256XL-10TQ144I
XILINX(賽靈思)
BMA400
Bosch(博世)
DS90UB960WRTDRQ1
TI(德州儀器)
DSPIC33FJ64GP804-I/PT
Microchip(微芯)
FE2.1
MKL03Z32CAF4R
Freescale(飛思卡爾)
MKL16Z32VFM4
NXP(恩智浦)
UC3843BN
ON(安森美)
UC3843BNG
ON(安森美)
DRV8251ADDAR
TI(德州儀器)
MC32PF3001A7EP
NXP(恩智浦)
STM32F100VBT6B
ST(意法)
