IRFP4568PBF的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
IRFP4568PBF
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
8006011962
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
16 weeks 3 days
風(fēng)險等級
1.16
Samacsys Description
IRFP4568PBF N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC Infineon
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-06-22 02:40:13
YTEOL
6
雪崩能效等級（Eas）
763 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
150 V
最大漏極電流 (ID)
171 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.0059 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-247AC
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
517 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
684 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IRFP4568PBF 場效應(yīng)管的特性及應(yīng)用
引言
在現(xiàn)代電子工程中，功率器件的選擇與應(yīng)用顯得尤為重要。其中，場效應(yīng)管（FET）由于其優(yōu)良的電氣特性和適應(yīng)性，廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。IRFP4568PBF作為一款高性能N溝道MOSFET，在電源管理、音頻放大以及電機(jī)控制等方面都有著顯著的應(yīng)用價值。
IRFP4568PBF的基本參數(shù)
IRFP4568PBF是一種N溝道的增強(qiáng)型場效應(yīng)管，由International Rectifier公司設(shè)計生產(chǎn)。其主要電氣特性包括：
1. 極限電壓：IRFP4568PBF的漏源極限電壓（Vds）為55V，在許多高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。 2. 持續(xù)漏電流：對于大多數(shù)功率負(fù)載，其持續(xù)漏電流（Id）可達(dá)到最大體積的最優(yōu)表現(xiàn)，通常在包裝和散熱設(shè)計良好的情況下表現(xiàn)為94A。
3. 最大脈沖電流：該器件的最大脈沖電流（Id,pulse）相對較大，能夠承受高達(dá)160A的脈沖負(fù)載，滿足瞬態(tài)條件下的電流需求。
4. 開關(guān)特性：增益帶寬積（fT）和開關(guān)時間對功率轉(zhuǎn)換效率及開關(guān)損耗有直接影響，IRFP4568PBF的各項(xiàng)開關(guān)特性指標(biāo)在針對高頻應(yīng)用時也能確保其高效性。
5. 柵極閾值電壓：其柵極閾值電壓（Vgs(th)）為2-4V，這使得該器件在邏輯電平驅(qū)動下保持了優(yōu)良的開關(guān)特性，便于與微控制器或數(shù)字信號處理器結(jié)合使用。
IRFP4568PBF的結(jié)構(gòu)特性
在場效應(yīng)管的發(fā)展過程中，器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計對其性能有著至關(guān)重要的影響。IRFP4568PBF采用了先進(jìn)的工藝技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），故其在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗較小，這意味著在高頻和高溫應(yīng)用下，能夠有效降低器件的熱量產(chǎn)生，增強(qiáng)其穩(wěn)定性和可靠性。
在其制造過程中，使用了抑制熱極化的絕緣技術(shù)，能夠在高溫下保持較低的漏電流。其材料選用優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料，結(jié)合精確的摻雜工藝，使得器件的閾值電壓和導(dǎo)通特性均得以有效提升。在器件的熱設(shè)計上，IRFP4568PBF還設(shè)置了高效的散熱路徑，確保在各類應(yīng)用情況下均能達(dá)到最佳效果。
應(yīng)用領(lǐng)域
IRFP4568PBF因其廣泛的適用性而在眾多領(lǐng)域獲得應(yīng)用。首先，在電源管理方面，其能夠有效調(diào)節(jié)電壓和電流，實(shí)現(xiàn)高效的直流/直流轉(zhuǎn)換，適用于開關(guān)電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）和電池管理系統(tǒng)（BMS）。在這些應(yīng)用中，IRFP4568PBF以其高速開關(guān)能力和良好的導(dǎo)通特性，減少了能量損耗，提高了能量轉(zhuǎn)換效率。
其次，在音頻放大器中，其獨(dú)特的高增益特性讓音頻信號能夠得到良好的放大，尤其適用于高保真音頻系統(tǒng)。利用IRFP4568PBF可以構(gòu)建高效的類D放大器，保證音質(zhì)不失真，同時降低了發(fā)熱量。
再者，在電機(jī)控制領(lǐng)域，IRFP4568PBF能夠通過調(diào)節(jié)電機(jī)的工作狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)高效的速度控制。該器件在脈寬調(diào)制（PWM）控制中具備優(yōu)越表現(xiàn)，適合于直流電機(jī)和無刷電機(jī)等應(yīng)用，基于其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)頻率特性，可以有效提高電機(jī)的工作效率和響應(yīng)速度。
設(shè)計注意事項(xiàng)
在實(shí)際應(yīng)用中，雖然IRFP4568PBF的特性相當(dāng)出色，但在設(shè)計時依然需要注意一些細(xì)節(jié)因素。首先，保證柵極驅(qū)動電壓穩(wěn)定是至關(guān)重要的，若柵極電壓不足，可能導(dǎo)致器件無法完全打開，增大導(dǎo)通電阻，進(jìn)而影響整體性能。其次，在高頻應(yīng)用中，必要的布局設(shè)計與電路板走線策略將直接影響器件的表現(xiàn)，減少寄生電感和電容的干擾至關(guān)重要。
此外，IRFP4568PBF的散熱管理也不得忽視。在高負(fù)載條件下，器件可能產(chǎn)生顯著熱量，因此合理使用熱沉、風(fēng)扇等散熱解決方案，確保設(shè)備運(yùn)行在安全的溫度范圍內(nèi)，可以提高產(chǎn)品可靠性和使用壽命。
驅(qū)動電路設(shè)計
在使用IRFP4568PBF時，設(shè)計合適的驅(qū)動電路也是十分重要的。建議使用高低極驅(qū)動芯片，以確�？焖俸蜏�(zhǔn)確的柵極信號驅(qū)動。驅(qū)動電路應(yīng)具備快速充放電能力，以降低開關(guān)損耗，并在高頻開關(guān)操作中減少毛刺電壓和電流的干擾。在某些情況下，外部的柵極保護(hù)電阻，以及適當(dāng)?shù)你Q位二極管，可以保護(hù)器件免受瞬態(tài)高電壓和電流沖擊的影響。
通過上述分析與應(yīng)用領(lǐng)域的探索，IRFP4568PBF作為一款高性能的N溝道MOSFET，能夠高效地滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的要求。從電源管理到音頻放大及電機(jī)驅(qū)動，其廣泛的適用性及卓越的電氣特性無疑為工程師們提供了豐富的設(shè)計空間與可能性。在未來，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，IRFP4568PBF及其類似器件勢必將在更廣泛的場合中展現(xiàn)出其重要角色。
IRFP4568PBF
INFINEON（英飛凌）
MSP430F413IPMR
TI(德州儀器)
LMX2571NJKR
TI(德州儀器)
FDS6982AS
Freescale(飛思卡爾)
SN74AHC1G00DBVR
TI(德州儀器)
SC16IS740IPW
NXP(恩智浦)
TJA1052IT/5Y
NXP(恩智浦)
AR8035-AL1B
Qualcomm(高通)
LPC1756FBD80
NXP(恩智浦)
10M02SCM153C8G
INTEL(英特爾)
VNQ5050AKTR-E
ST(意法)
CC2500RGPR
TI(德州儀器)
S912ZVMC25F1MKK
NXP(恩智浦)
TD62083AFG
TOSHIBA(東芝)
MKE02Z64VLD4
Freescale(飛思卡爾)
MP1541DJ-LF-Z
MPS(美國芯源)
74HCT14D
NXP(恩智浦)
AT90CAN64-16AU
Atmel(愛特梅爾)
MK10DX256VLL7
NXP(恩智浦)
OPA2333AIDR
TI(德州儀器)
XC7S25-1CSGA225I
XILINX(賽靈思)
BCM89816B1AWMLG
Broadcom(博通)
CSR8635B04-IQQF-R
Qualcomm(高通)
SII9022ACNU
Silicon image
TQP7M9105
TriQuint (超群)
HDC2010YPAR
TI(德州儀器)
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
micron(鎂光)
STM32G431KBU6
ST(意法)
MKW01Z128CHN
Freescale(飛思卡爾)
L99SD01TR-E
ST(意法)
MX30LF2G18AC-TI
Macronix International
TPA3112D1PWPR
TI(德州儀器)
OPA2350UA
Burr-Brown(TI)
ATXMEGA32A4U-MH
Atmel(愛特梅爾)
IPB65R150CFD
Infineon(英飛凌)
INA122UA
Burr-Brown(TI)
LM60440AQRPKRQ1
TI(德州儀器)
ADIS16505-2BMLZ
ADI(亞德諾)
MIMXRT1173CVM8A
NXP(恩智浦)
AD706JRZ
ADI(亞德諾)
DS12C887
Dallas (達(dá)拉斯)
HMC451LC3
ADI(亞德諾)
ADUM1251ARZ
ADI(亞德諾)
VND5004BTR-E
ST(意法)
DP83848CVVX/NOPB
TI(德州儀器)
5CSXFC6D6F31I7N
ALTERA(阿爾特拉)
TPS74701DRCR
TI(德州儀器)
AT45DB641E-SHN-T
ADESTO(領(lǐng)迎)
FDV304P
Freescale(飛思卡爾)
SN65220DBVR
TI(德州儀器)
FM24CL04B-GTR
RAMTRON
MCP16301T-I/CHY
Microchip(微芯)
FDS6681Z
Freescale(飛思卡爾)
TL431IPK
TI(德州儀器)
CD4093BM96
TI(德州儀器)
ADR381ARTZ-REEL7
TI(德州儀器)
BAT54
Nexperia(安世)
MAX3221IPWR
TI(德州儀器)
RB751S40T1G
ON(安森美)
ADSP-BF537BBCZ-5B
ADI(亞德諾)
IKW75N65ES5
Infineon(英飛凌)
TXB0108DQSR
TI(德州儀器)
LMR14020SDDAR
TI(德州儀器)
NV08C-CSM
BCX53-16
Philips(飛利浦)
ICM-42670-P
TDK InvenSense(應(yīng)美盛)
STPS1H100A
ST(意法)
74HC02D
Philips(飛利浦)
AM26LV31EIPWR
TI(德州儀器)
PIC12F508-I/P
MIC(昌福)
TLE8082ES
Infineon(英飛凌)
KSZ9896CTXI
Microchip(微芯)
MC908AZ60ACFUER
NXP(恩智浦)
STM32F373VCT6
ST(意法)
RDA5807M
RDA(銳迪科)
AT32F413RCT7
Atmel(愛特梅爾)
IRF5305PBF
Infineon(英飛凌)
MPXV5050DP
NXP(恩智浦)
HI-6110PQI
Holt Integrated Circuits Inc.
TPS74518PQWDRVRQ1
TI(德州儀器)
MRFE6S9045NR1
MOTOROLA(摩托羅拉)
UCD90120ARGCR
TI(德州儀器)
NVMFS5C460NLWFAFT1G
ON(安森美)
74HC4053PW
NXP(恩智浦)
ACS722LLCTR-10AB-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
TLP627
TOSHIBA(東芝)
MTFC8GAMALBH-AIT
micron(鎂光)
BSC117N08NS5
Infineon(英飛凌)
STM32C011F6P6
ST(意法)
AD8067ARTZ
ADI(亞德諾)
AD9958BCPZ
ADI(亞德諾)
HI-8596PCI
Holt Integrated Circuits Inc.
ADUM3201ARZ
ADI(亞德諾)
HMC1082LP4E
ADI(亞德諾)
OPA4348AIDR
TI(德州儀器)
BCM89810A2AMLG
Broadcom(博通)
HMC976LP3E
Hittite Microwave
PEF20532FV1.3
Infineon(英飛凌)
AD8056ARZ
ADI(亞德諾)
MPM3550EGLE
MPS(美國芯源)
TW2851-BB2-GR
Intersil(英特矽爾)
LM2733YMF
TI(德州儀器)
MCIMX280CVM4B
NXP(恩智浦)
ATMEGA168V-10MU
Microchip(微芯)
MT41K128M16JT-125IT:KTR
micron(鎂光)
INA138NA
TI(德州儀器)
AD5410AREZ
ADI(亞德諾)
MK10FN1M0VLQ12
NXP(恩智浦)
AD824ARZ-14
ADI(亞德諾)
MP1484EN
MPS(美國芯源)
SN75ALS181NS
TI(德州儀器)
DS90UB926QSQX
TI(德州儀器)
LMZ31520RLG
TI(德州儀器)
LTM4644MPY
LINEAR(凌特)
MCP23S17-E/SO
MIC(昌福)
TLE8082ESXUMA1
Infineon(英飛凌)
LMZM23600V3SILR
TI(德州儀器)
FDD5614P
ON(安森美)
