STW20N95K5 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
STW20N95K5
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
2105743049
零件包裝代碼
TO-247AA
包裝說(shuō)明
ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
16 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
1.7
Samacsys Description
STMicroelectronics STW20N95K5 N-channel MOSFET Transistor, 17.5 A, 950 V, 3-Pin TO-247
Samacsys Manufacturer
STMicroelectronics
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
6.28
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
950 V
最大漏極電流 (ID)
15.5 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.33 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-247AA
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
210 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
62 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
STW20N95K5場(chǎng)效應(yīng)管的特性與應(yīng)用
引言
在現(xiàn)代電氣工程和電子技術(shù)中，場(chǎng)效應(yīng)管作為一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于放大、開(kāi)關(guān)、調(diào)制等多種場(chǎng)景。本文將重點(diǎn)探討STW20N95K5場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)特性、工作原理、指標(biāo)參數(shù)以及其在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
STW20N95K5的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
STW20N95K5是一款N溝道功率MOSFET，具有較高的耐壓能力和額定電流。它的封裝形式為T(mén)O-220，這種封裝方式在功率器件中頗為常見(jiàn)，以便于散熱和電氣連接。STW20N95K5在工作時(shí)，利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制漏極電流。通過(guò)在柵極施加電壓，形成一個(gè)潛在的溝道，從而控制源極與漏極之間的導(dǎo)電性。
其基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)由多個(gè)半導(dǎo)體層次構(gòu)成，主要包括源極、漏極、柵極和襯底。源極和漏極通常由摻雜的硅組成，柵極則是一個(gè)由金屬或多晶硅制成的電極。根據(jù)柵電壓的大小，可以精確調(diào)節(jié)對(duì)漏極電流的控制。這種工作原理使得MOSFET在高頻率和高效率的場(chǎng)景下表現(xiàn)優(yōu)越。
主要電氣特性
STW20N95K5具備多個(gè)重要的電氣特性。例如，其直流漏電流（ID）額定值為20A，最大漏源電壓（VDS）為950V。這意味著該器件能夠在高電壓和大電流的環(huán)境中穩(wěn)定工作，適合高功率應(yīng)用場(chǎng)景。此外，該MOSFET的柵極閾值電壓（VGS(th)）通常在2到4V之間，為工程師在電路設(shè)計(jì)中提供了相對(duì)靈活的操作空間。
引線電阻是影響MOSFET性能的一個(gè)重要因素，STW20N95K5具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），通常為0.5Ω。低導(dǎo)通電阻有助于減小功率損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。因此，在設(shè)計(jì)高效率電源轉(zhuǎn)換器時(shí)，STW20N95K5是一個(gè)理想選擇。
應(yīng)用領(lǐng)域
STW20N95K5的高耐壓特性使其廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、逆變器和電子鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域。在開(kāi)關(guān)電源中，MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件，負(fù)責(zé)將輸入的直流電源轉(zhuǎn)換為特定輸出電壓的脈寬調(diào)制信號(hào)，這一過(guò)程涉及高頻開(kāi)關(guān)操作，STW20N95K5的快速開(kāi)關(guān)特性極大提高了效率。
在工業(yè)領(lǐng)域，特別是在光伏電站和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中，STW20N95K5也被廣泛使用。在這些場(chǎng)景中，器件需要處理高電壓和大電流，STW20N95K5憑借其高電壓承受能力和出色的熱性能表現(xiàn)，成為理想的選擇。
此外，電子鎮(zhèn)流器作為一種能夠有效提高光源效率的設(shè)備，常常需要高效能和耐壓的元件來(lái)推動(dòng)燈管。STW20N95K5滿足這方面的需求，使得鎮(zhèn)流器在運(yùn)行時(shí)更加穩(wěn)定，壽命更長(zhǎng)。
散熱問(wèn)題與管理
盡管STW20N95K5具有較高的功率處理能力，但在實(shí)際應(yīng)用中，散熱管理依然是至關(guān)重要的。由于在開(kāi)關(guān)操作過(guò)程中，MOSFET可能會(huì)產(chǎn)生大量熱量，這需要通過(guò)有效的散熱設(shè)計(jì)來(lái)確保器件穩(wěn)定運(yùn)行。散熱片的設(shè)計(jì)、熱界面的良好連接以及風(fēng)扇等主動(dòng)散熱措施是確保MOSFET長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作的關(guān)鍵因素。
在許多電路設(shè)計(jì)中，針對(duì)STW20N95K5的散熱管理需要結(jié)合其工作頻率、電流參數(shù)和外部環(huán)境條件進(jìn)行精確計(jì)算。特別是在一些高負(fù)載情況下，使用合適的溫度傳感器對(duì)MOSFET進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度監(jiān)測(cè)，能夠有效避免因過(guò)熱導(dǎo)致的性能下降或器件損壞。
安全性與可靠性
對(duì)于功率MOSFET而言，安全性和可靠性是設(shè)計(jì)過(guò)程中必須考慮的重要因素。STW20N95K5具備良好的魯棒性，能夠承受電流突變和溫度變化帶來(lái)的應(yīng)力。為進(jìn)一步提高其可靠性，設(shè)計(jì)師們需要合理選擇工作環(huán)境，避免過(guò)電壓、過(guò)電流及其他極端條件對(duì)器件的影響。
在應(yīng)用過(guò)程中，選擇合適的保護(hù)電路（如過(guò)流保護(hù)和過(guò)壓保護(hù)）則能夠有效延長(zhǎng)STW20N95K5的使用壽命。通常，這些保護(hù)功能通過(guò)輔助電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，確保器件不會(huì)因異常情況而損壞。
發(fā)展趨勢(shì)
隨著科技的不斷進(jìn)步，STW20N95K5作為一種較為成熟的MOSFET，其應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)水平也在不斷拓展。新型材料的引入、制造工藝的改進(jìn)，以及電路設(shè)計(jì)的創(chuàng)新，都為其提供了新的發(fā)展方向。對(duì)于高效能和超低功率損耗的需求促使制造商不斷研究更高規(guī)格的MOSFET產(chǎn)品，以滿足現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的要求。
在未來(lái)，STW20N95K5等高功率MOSFET的使用將更加普及，特別是在可再生能源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。半導(dǎo)體行業(yè)的不斷演進(jìn)，勢(shì)必將推動(dòng)新一代場(chǎng)效應(yīng)管的研發(fā)，以適應(yīng)更復(fù)雜的電力需求與功能多樣化的應(yīng)用場(chǎng)景。
STW20N95K5
ST(意法)
STM32F103VDT6
ST(意法)
EQCO62R20.3
Microchip(微芯)
MURA140T3G
ON(安森美)
LPC2458FET180
NXP(恩智浦)
RTL8367RB-VB-CG
REALTEK(瑞昱)
IPD60R180P7S
Infineon(英飛凌)
STM32F777VIT6
ST(意法)
TLP521-4
TOSHIBA(東芝)
LAN9252I/ML
TI(德州儀器)
L7809CV
ST(意法)
TPA3221DDVR
TI(德州儀器)
HD64F36109HV
Renesas(瑞薩)
MMC5603NJ
MEMSIC
AR8032-BL1A
Qualcomm(高通)
MCIMX258CJM4A
Freescale(飛思卡爾)
INA818ID
TI(德州儀器)
SN65LVDS1DBV
TI(德州儀器)
LTC5541IUH
LINEAR(凌特)
5SGXMA3H2F35C3G
TPIC6B595DW
TI(德州儀器)
LP2951ACMX/NOPB
TI(德州儀器)
LMZM23601SILR
TI(德州儀器)
BSS138-7-F
DIOTEC(德歐泰克)
PEX8311-AA66BCF
PLX
MBR130LSFT1G
ON(安森美)
ESD5Z5.0T1G
TASUND(泰盛達(dá))
LAN8720AI-CP-TR-ABC
Microchip(微芯)
SN65HVD10DR
TI(德州儀器)
ADP150AUJZ-3.3-R7
TI(德州儀器)
LM358N
XINBOLE(芯伯樂(lè))
AD421BRZRL
ADI(亞德諾)
PD69208MILQ-TR-LE
TI(德州儀器)
TPS53317RGBR
TI(德州儀器)
TPS7A5301QRGRRQ1
TI(德州儀器)
TPS54335ADRCR
TI(德州儀器)
TPS40057PWPR
TI(德州儀器)
PIC32MX795F512H-80I/PT
Microchip(微芯)
TPS54560BDDAR
TI(德州儀器)
AM3352BZCZ60
TI(德州儀器)
5M240ZT100I5N
INTEL(英特爾)
TPS7A8400RGRR
TI(德州儀器)
EL817S1(C)(TU)-F
Everlight(億光)
TLV75533PDBVR
TI(德州儀器)
AD8362ARUZ
ADI(亞德諾)
IRF3205STRLPBF
Vishay(威世)
BSC026N08NS5
Infineon(英飛凌)
TQP3M9037
TriQuint (超群)
74HC4053D
XINBOLE(芯伯樂(lè))
MUR860G
ON(安森美)
LM317LIPK
TI(德州儀器)
MCP1700T-3302E/MB
Microchip(微芯)
W25Q32FVSSIG
WINBOND(華邦)
LSM9DS1TR
ST(意法)
AT91SAM7S256D-MU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
TLC555CDR
Burr-Brown(TI)
TJA1042TK/3/1
NXP(恩智浦)
MT7621AT
MediaTek.Inc(聯(lián)發(fā)科)
DRV103H
TI(德州儀器)
DS1307ZN
Maxim(美信)
AD9957BSVZ
ADI(亞德諾)
VL6180V1NR/1
ST(意法)
AQR113C-B1-C
Marvell(美滿)
SCC2230-D08-05
MURATA(村田)
STM32F302RET6
ST(意法)
AD7192BRUZ
ADI(亞德諾)
ICL7107CM44
Intersil(英特矽爾)
DS26LV32ATM
TI(德州儀器)
TPS7A4700RGW
TI(德州儀器)
AD8221ARMZ
ADI(亞德諾)
FS6377-01IG-XTD
ON(安森美)
ADS8568SPM
TI(德州儀器)
NCP13992ACDR2G
ON(安森美)
TPS65910A3A1RSLR
TI(德州儀器)
TPS22919DCKR
TI(德州儀器)
SN65HVD1780DR
TI(德州儀器)
MAX3485ESA+T
Maxim(美信)
MAX3232EUE+T
Maxim(美信)
ETC1-1-13TR
MACOM
S29AL016J70TFI020
Infineon(英飛凌)
TPSM84824MOLR
TI(德州儀器)
NVTFS5116PLTAG
ON(安森美)
MC705P6ACDWE
Freescale(飛思卡爾)
NUP2202W1T2G
ON(安森美)
ATTINY2313A-SU
Microchip(微芯)
INA213AIDCKR
TI(德州儀器)
DS90UB936TRGZRQ1
TI(德州儀器)
NCP1117DT33RKG
ON(安森美)
TLP521-4GB
TOSHIBA(東芝)
MMBT4403LT1G
ON(安森美)
ADF4360-4BCPZ
ADI(亞德諾)
LFCN-120+
Mini-Circuits
ADS1115IRUGR
TI(德州儀器)
MCP1416T-E/OT
Microchip(微芯)
MPC8280CVVUPEA
Freescale(飛思卡爾)
5CSEBA5U19I7N
ALTERA(阿爾特拉)
TMS320C6748EZWTD4
TI(德州儀器)
HI-1574PST
Holt Integrated Circuits Inc.
5M80ZT100C5N
ALTERA(阿爾特拉)
LMV321IDCKR
UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)
MT41K256M16TW-107AIT:P
micron(鎂光)
SGM3157YC6/TR
SGMICRO(圣邦微)
VNL5160N3TR-E
ST(意法)
LP2951CD-3.3R2G
ON(安森美)
PIC18F2550-I/SO
Microchip(微芯)
TPA3113D2PWPR
TI(德州儀器)
TMS320F28235PGFA
TI(德州儀器)
AD8606ARMZ
ADI(亞德諾)
EN5396QI
ALTERA(阿爾特拉)
NLA122048H12600B1
Broadcom(博通)
ADR4525BRZ
ADI(亞德諾)
TLV320ADC3101IRGER
TI(德州儀器)
BCM54216EB1KMLG
Broadcom(博通)
DS18B20U
Maxim(美信)
KSZ8081RNBIA
Microchip(微芯)
ADM706TARZ
ADI(亞德諾)
SAK-TC277TP-64F200NDC
Infineon(英飛凌)
NCV809SN293D2T1G
ON(安森美)
AD8422ARZ
ADI(亞德諾)
TPS54140DGQR
TI(德州儀器)
MMBF170LT1G
ON(安森美)
SSD1963QL9
SOLOMON(晶門(mén)科技)
