FS25R12W1T4 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
FS25R12W1T4
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1664481724
零件包裝代碼
MODULE
包裝說明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23
針數(shù)
23
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級
6.43
Samacsys Description
Infineon FS25R12W1T4, IGBT Module, Array 6, 45 A max, 1200 V AG-EASY1B-1
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-20 08:48:56
YTEOL
5.35
外殼連接
ISOLATED
最大集電極電流 (IC)
45 A
集電極-發(fā)射極最大電壓
1200 V
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
門極-發(fā)射極最大電壓
20 V
JESD-30 代碼
R-XUFM-X23
元件數(shù)量
6
端子數(shù)量
23
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
UNSPECIFIED
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
205 W
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用
POWER CONTROL
晶體管元件材料
SILICON
標(biāo)稱斷開時間 (toff)
505 ns
標(biāo)稱接通時間 (ton)
80 ns
VCEsat-Max
2.25 V
FS25R12W1T4 IGBT晶體管模塊的技術(shù)分析
引言
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT優(yōu)點(diǎn)的電力電子器件。IGBT在高電壓和大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，廣泛應(yīng)用于逆變器、電源管理、變頻器等領(lǐng)域。FS25R12W1T4是近年來市場上流行的一款I(lǐng)GBT模塊，具有出色的性能參數(shù)和廣泛的應(yīng)用潛力。
FS25R12W1T4模塊的基本參數(shù)
FS25R12W1T4模塊的額定電壓為1200V，額定電流為25A。這一參數(shù)使得其在高電壓和中等電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和可靠性。其導(dǎo)通電阻相對較低，通常在1.5-2.5Ω之間，能夠有效降低開關(guān)損耗，提高功率轉(zhuǎn)換效率。不僅如此，該模塊具有快速的開關(guān)特性，能夠在高頻應(yīng)用中保持較低的開關(guān)損耗，從而提高整體效率。
結(jié)構(gòu)和封裝
FS25R12W1T4采用了DPAK（雙列直插封裝）封裝形式，這種封裝有助于降低熱阻，提高散熱效果。該模塊在設(shè)計(jì)中充分考慮了電氣和熱力特性，配備了多種電氣連接端子，確保在設(shè)計(jì)電路時的靈活性。
其結(jié)構(gòu)上，FS25R12W1T4模塊通常包含多個IGBT芯片，以及與之對應(yīng)的二極管和驅(qū)動電路。模塊內(nèi)的連接經(jīng)過精確設(shè)計(jì)，以最大限度減少輸入輸出端之間的感抗和寄生電容，這對于降低高頻操作時的串?dāng)_尤為重要。
功能特性
FS25R12W1T4在多種工作模式下均能提供優(yōu)異的操作性能。對于頻繁的開關(guān)應(yīng)用，其開關(guān)時間（Ton和Toff）較短，一般在幾百納秒到幾微秒之間，這使得其在高速應(yīng)用中不易產(chǎn)生過多的開關(guān)損耗。此外，IGBT的死區(qū)時間可以通過外部驅(qū)動電路進(jìn)行調(diào)節(jié)，以優(yōu)化整體系統(tǒng)效能。
為了保證設(shè)備的穩(wěn)定性和長壽命，FS25R12W1T4還集成了一些保護(hù)機(jī)制。例如，它具有過熱保護(hù)和短路保護(hù)功能，當(dāng)模塊工作在高溫或短路狀態(tài)時能快速響應(yīng)，有效保護(hù)電路免受損壞。這種設(shè)計(jì)理念在很多高可靠性要求的場合顯得尤為重要。
應(yīng)用領(lǐng)域
FS25R12W1T4的應(yīng)用領(lǐng)域相當(dāng)廣泛。其適合用于風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、電動汽車驅(qū)動控制、以及工業(yè)自動化等多個行業(yè)。在光伏逆變器中，FS25R12W1T4能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，并確保最大化太陽能的輸出。
在電動汽車驅(qū)動控制中，FS25R12W1T4能顯著提升電能的轉(zhuǎn)換效率，增加續(xù)航里程。同時，多路輸出特性的設(shè)計(jì)使得該模塊能夠在電動車輛的不同電氣設(shè)備間分配電力，達(dá)成更好的電源管理效果。
散熱管理
IGBT模塊運(yùn)行時會產(chǎn)生大量熱量，因此有效的散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要。FS25R12W1T4模塊采用了多種散熱管理策略，包括增強(qiáng)的導(dǎo)熱材料和合理的模塊布局，以確保溫度保持在安全范圍內(nèi)。高效的散熱設(shè)計(jì)不僅可以延長模塊的使用壽命，還有助于維持其優(yōu)秀的電氣性能。
在實(shí)際應(yīng)用中，散熱器的選型和散熱風(fēng)扇的配置也非常關(guān)鍵。散熱器的設(shè)計(jì)需要考慮周圍環(huán)境因素，如氣溫、濕度等。同時，合理布置散熱風(fēng)扇，可以確保模塊在高負(fù)載條件下的散熱需求得到滿足。
驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
IGBT模塊的性能在很大程度上依賴于驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)。FS25R12W1T4需要上下橋臂驅(qū)動電路，以提升開關(guān)效率和應(yīng)對高頻操作。驅(qū)動電路應(yīng)能夠產(chǎn)生合適的門極驅(qū)動電壓，以確保模塊快速而穩(wěn)定地開關(guān)。
此外，驅(qū)動電路需具備隔離功能，以保護(hù)控制電路與高壓環(huán)境之間的電氣隔離。此外，在設(shè)計(jì)時還需要考慮電磁干擾（EMI）的問題，確保對模塊和周圍設(shè)備不會產(chǎn)生不良影響。
電氣特性測試
在實(shí)際應(yīng)用中，FS25R12W1T4模塊的性能測試非常重要。包括導(dǎo)通電壓、逆向恢復(fù)特性、開關(guān)損耗等參數(shù)，都需要通過專門的設(shè)備進(jìn)行精確測量。不同環(huán)境條件下的電氣特性測試，將有助于更好地評估模塊的可靠性及其適用性。
測試結(jié)果不僅可以為后續(xù)應(yīng)用提供參考，還可以為產(chǎn)品的技術(shù)改進(jìn)提供數(shù)據(jù)支撐。通過持續(xù)的測試與改進(jìn)，FS25R12W1T4模塊的性能無疑將進(jìn)一步提升，為更加高效的現(xiàn)代電力電子應(yīng)用提供支持。
BTS50085-1TMA
Infineon(英飛凌)
STM32H743VIT6
ST(意法)
ULN2803ADWR
TI(德州儀器)
STM32F407VGT6
TI(德州儀器)
STM8S003F3P6TR
ST(意法)
STM8S003F3P6
ST(意法)
STM32F030C8T6
TI(德州儀器)
KSZ8999I
MIC(昌福)
STM32F407ZGT6
ST(意法)
AD9361BBCZ
ADI(亞德諾)
STM32F103VCT6
TI(德州儀器)
MCF5282CVM66
NXP(恩智浦)
ATMEGA328P-AU
Microchip(微芯)
ADS1248IPWR
Burr-Brown(TI)
STM32F103VET6
ST(意法)
LM3481QMM
TI(德州儀器)
LM3481MM
NS(國半)
STM32F407ZET6
TI(德州儀器)
W5500
WINBOND(華邦)
ATMEGA2560-16AU
Atmel(愛特梅爾)
VNH5180ATR-E
ST(意法)
ATMEGA128A-AU
Atmel(愛特梅爾)
TPS5430DDAR
TI(德州儀器)
STM32F103ZET6
ST(意法)
AD7606BSTZ
ADI(亞德諾)
STM32F429IGT6
ST(意法)
STM32F103CBT6
TI(德州儀器)
KLM8G1GETF-B041
SAMSUNG(三星)
FT232RL
FTDI(飛特帝亞)
LPC1768FBD100
NXP(恩智浦)
STM32F030K6T6
TI(德州儀器)
STM32F103RET6
ST(意法)
MBR0520LT1G
ON(安森美)
STM32H743ZIT6
ST(意法)
ULN2003ADR
TI(德州儀器)
STM32H750VBT6
ST(意法)
BSP75N
Infineon(英飛凌)
ISL8204MIRZ
Renesas(瑞薩)
TPS51200DRCR
TI(德州儀器)
TMS320F28034PNT
TI(德州儀器)
LM358DR
ON(安森美)
MCIMX6Y2CVM08AB
NXP(恩智浦)
MCIMX6Q5EYM10AD
Freescale(飛思卡爾)
W25Q128JVSIQ
WINBOND(華邦)
ATMEGA8A-AU
Atmel(愛特梅爾)
GD32F103C8T6
ST(意法)
XCF04SVOG20C
XILINX(賽靈思)
MK70FN1M0VMJ15
Freescale(飛思卡爾)
ISO1050DUBR
Burr-Brown(TI)
ATMEGA32A-AU
Atmel(愛特梅爾)
STM32H743IIT6
ST(意法)
XC6SLX75-3CSG484I
XILINX(賽靈思)
ADM2587EBRWZ
ADI(亞德諾)
SN75ALS181NSR
TI(德州儀器)
GD32F103RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
USBLC6-2SC6
ST(意法)
NRF52832-QFAA-R
NORDIC
TPS74501PQWDRVRQ1
TI(德州儀器)
ATMEGA64A-AU
Atmel(愛特梅爾)
AMS1117-3.3
AMS(艾邁斯)
LAN8720AI-CP-TR
smsc
XC7K325T-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
MCIMX6Q6AVT10AD
NXP(恩智浦)
SN65HVD230DR
TI(德州儀器)
TXS0108EPWR
TI(德州儀器)
74HC595D
ON(安森美)
BCM89811B1AWMLG
Broadcom(博通)
SN75176BDR
NXP(恩智浦)
N76E003AT20
Nuvoton(新唐)
STM32F103RBT6
ST(意法)
FS32K144HFT0VLLT
NXP(恩智浦)
MK66FN2M0VLQ18
Freescale(飛思卡爾)
STM32F427VGT6
ST(意法)
LM358DR2G
TI(德州儀器)
NCP1654BD65R2G
ON(安森美)
ADM2582EBRWZ
ADI(亞德諾)
ADUM1201ARZ
ADI(亞德諾)
MURS160T3G
ON(安森美)
STM8L052C6T6
ST(意法)
BSC030N08NS5
Infineon(英飛凌)
MCHC11F1CFNE4
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TI(德州儀器)
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ALTERA(阿爾特拉)
VNS3NV04DPTR-E
ST(意法)
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TI(德州儀器)
O3853QDCARQ1
TI(德州儀器)
TJA1050T/CM
NXP(恩智浦)
ATMEGA16A-AU
Microchip(微芯)
STM32F030F4P6
TI(德州儀器)
LIS3DHTR
ST(意法)
DSP56F803BU80E
MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F411CEU6
ST(意法)
STM32G070CBT6
ST(意法)
MAX13487EESA
Maxim(美信)
STM32F427ZGT6
ST(意法)
ATMEGA88PA-AU
Atmel(愛特梅爾)
ADS1258IRTCR
ADI(亞德諾)
MBRA340T3G
ON(安森美)
