參數名稱
參數值
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
8224089647
包裝說明
SOT-26
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.10.00.50
Factory Lead Time
16 weeks 3 days
風險等級
1.76
Samacsys Description
ESD Suppressors / TVS Diodes General Protection PP
Samacsys Manufacturer
Diodes Incorporated
Samacsys Modified On
2024-06-25 08:06:24
YTEOL
6.46
最大擊穿電壓
7 V
最小擊穿電壓
4.5 V
最大鉗位電壓
6 V
配置
SINGLE
最小二極管電容
2.1 pF
二極管元件材料
SILICON
二極管類型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向電壓 (VF)
1.2 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-G6
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
最大非重復峰值反向功率耗散
180 W
元件數量
1
端子數量
6
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.3 W
參考標準
IEC-61000-4-5
最大重復峰值反向電壓
3.3 V
最大反向電流
1 µA
反向測試電壓
3.3 V
表面貼裝
YES
技術
AVALANCHE
端子面層
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
靜電和浪涌二極管的研究
一、引言
在現代電子設備中，靜電和浪涌現象對器件的穩定性和可靠性造成了顯著的影響。隨著電子設備的日益普及，特別是在通訊和計算機領域，環境中靜電放電（ESD）和浪涌電流的威脅愈發凸顯。為此，靜電和浪涌二極管的應用逐漸受到關注，成為保護電路的重要手段。
二、靜電放電（ESD）和浪涌電流的概述
靜電放電是由于物體之間存在電位差時所引起的一種瞬間電流現象。當兩個物體接觸與分離時，會因摩擦而積累靜電，導致電壓突然升高，形成放電。對于敏感的電子元件，如集成電路，這種瞬時電流可能會引發數據丟失或甚至破壞器件。
與靜電放電不同，浪涌電流通常來源于外部電力源的瞬態變化，如雷擊、設備開關等。這種突發的高電流可能對連接的設備造成致命性損害。因此，設計一套有效的保護方案顯得尤為重要。
三、靜電和浪涌二極管的工作原理
靜電和浪涌二極管使用不同的工作原理來應對突發電流的威脅。靜電二極管（ESD Diodes）一般是雙極性結構，可以在輸入電流超過一定閾值時迅速導通。這種結構通常包括齊納二極管和瞬態電壓抑制二極管（TVS Diodes），它們共同工作以分流過多的電流，從而保護后續電路。
浪涌二極管則常常與外部電源直接連接，能有效地將電流分流至地面。其內部結構設計可以承受短時間的高電流，從而防止電流對下游設備造成損害。浪涌二極管的設計通常要求具備快速響應時間和高能量吸收能力。
四、靜電和浪涌二極管的材料與結構
靜電和浪涌二極管的材料選擇至關重要，通常采用硅（Si）和氮化鎵（GaN）等半導體材料。硅材料具有廣泛的適用性，但在面對高頻率時，其性能可能受到限制。相比之下，氮化鎵由于其寬帶隙特性，可以在更高電壓下工作，且具備較高的熱穩定性。
二極管的結構方面，多數靜電和浪涌二極管采用平面結構與結型結構相結合的設計。這種設計能夠實現更低的導通電壓，并提高整體的擊穿性能。此外，隨著微型化和集成化趨勢的發展，新型的表面貼裝二極管逐漸取代傳統封裝，滿足了更小型化電路的需求。
五、靜電和浪涌二極管的應用領域
靜電和浪涌二極管的應用領域非常廣泛，尤其是在通訊、計算機外設、汽車電子、電力設備等行業。隨著5G技術的推廣，相關設備對不穩定電源和電磁干擾的抵抗能力要求更高，從而推動了靜電和浪涌二極管的需求增長。
在汽車電子中，隨著電子控制系統的普及，靜電放電和浪涌現象可能引發傳感器故障、控制失效等問題。因此，相關汽車電子部件中普遍集成了靜電和浪涌保護器件，以提高系統的安全性和可靠性。
六、靜電和浪涌二極管的性能評估標準
針對靜電和浪涌二極管的性能評估，業界普遍采用一系列標準。IEC 61000-4-2標準專注于靜電放電的測試方法，包括對設備的放電電壓、脈沖持續時間以及電流衰減等參數的要求。而針對浪涌電流的評估，TIA/EIA-968-A標準則提供了具體測試流程與參數設置，用以衡量二極管在惡劣環境下的表現。
此外，各種可靠性測試，如溫度循環、濕度測試等，也是判斷器件長期穩定性的基本依據。這些評估標準不僅有助于研發新型器件，也為后續的市場推廣提供了支撐。
七、未來發展趨勢
隨著科技的進步和應用場景的不斷擴展，靜電和浪涌二極管的發展面臨新的挑戰和機遇。一方面，材料科學的進步促使高性能半導體材料的應用成為可能；另一方面，新能源和智能設備的興起對保護電路提出了更高要求。
無論是汽車電子的智能化，還是5G通訊的普及，未來的靜電和浪涌二極管將在減少設備故障與增強系統安全性方面發揮更為重要的作用。持續的技術創新將推動這些保護裝置向更高的性能層次提升。
STM32F405VGT6
ST(意法)
STM32L431RCT6
ST(意法)
PCF8563T/5
NXP(恩智浦)
88E1512-A0-NNP2I000
Marvell(美滿)
MPU-6050
TDK(東電化)
XC2C256-7CPG132I
XILINX(賽靈思)
BSS138LT1G
NXP(恩智浦)
STM32F427ZIT6
ST(意法)
ATXMEGA128A1U-AU
Microchip(微芯)
TPS70933DBVR
TI(德州儀器)
MPXAZ6115AP
Freescale(飛思卡爾)
AD822ARZ
ADI(亞德諾)
ADM3053BRWZ
ADI(亞德諾)
IRF3205PBF
IR(國際整流器)
MURA110T3G
ON(安森美)
MC7448THX1267ND
Freescale(飛思卡爾)
TMS5704357BZWTQQ1
TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-05B-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
TPS92630QPWPRQ1
TI(德州儀器)
GD32F303RCT6
GD(兆易創新)
10M04DAF256C8G
ALTERA(阿爾特拉)
XC6SLX9-2TQG144I
XILINX(賽靈思)
LAN8720A-CP-TR
Microchip(微芯)
XTR115UA/2K5
Burr-Brown(TI)
PGA204BU
TI(德州儀器)
MBR0540T1G
ON(安森美)
TJA1021T/20/CM
TI(德州儀器)
MC79M15BDTRKG
ON(安森美)
ADM2483BRWZ
TI(德州儀器)
XC7K410T-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
ADS1115IDGSR
TI(德州儀器)
STM8S003K3T6C
ST(意法)
INA114AP
Burr-Brown(TI)
MC9S12XDP512CAG
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PIC18F46K22-I/PT
Microchip(微芯)
STFW3N150
ST(意法)
STM32F072C8T6
ST(意法)
SN65HVD3082EDR
TI(德州儀器)
TPA3118D2DAPR
TI(德州儀器)
AT24C64D-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
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Infineon(英飛凌)
XCF02SVOG20C
XILINX(賽靈思)
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Infineon(英飛凌)
L78L05ABUTR
ST(意法)
FS32K144HAT0MLHT
ST(意法)
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Marvell(美滿)
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TI(德州儀器)
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ST(意法)
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TI(德州儀器)
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Freescale(飛思卡爾)
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ST(意法)
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ST(意法)
IRFR5305TRPBF
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L7805CV
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TJA1043T/1
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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ON(安森美)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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MC33078DR2G
ON(安森美)
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XC7A35T-2FGG484I
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TI(德州儀器)
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Freescale(飛思卡爾)
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