1EDI20I12AH的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
1EDI20I12AH
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Not Recommended
Objectid
8177960218
包裝說明
SOP-8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Date Of Intro
2016-04-21
風(fēng)險等級
9.16
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2020-11-30 19:47:12
YTEOL
3
內(nèi)置保護(hù)
TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
接口集成電路類型
BUFFER OR INVERTER BASED IGBT DRIVER
JESD-30 代碼
R-PDSO-G8
長度
7.5 mm
濕度敏感等級
3
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
8
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
輸出電流流向
SOURCE
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP8,.4
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
座面最大高度
2.65 mm
最大供電電壓
17 V
最小供電電壓
3.1 V
標(biāo)稱供電電壓
5 V
電源電壓1-最大
35 V
電源電壓1-分鐘
13 V
電源電壓1-Nom
15 V
表面貼裝
YES
溫度等級
AUTOMOTIVE
端子面層
Nickel/Gold/Palladium/Silver (Ni/Au/Pd/Ag)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
斷開時間
0.33 µs
接通時間
0.33 µs
寬度
6.3 mm
1EDI20I12AH 柵極驅(qū)動芯片的技術(shù)分析與應(yīng)用
引言
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率器件的開關(guān)頻率不斷提升，這對柵極驅(qū)動電路提出了更高的要求。柵極驅(qū)動芯片作為連接控制信號與功率器件（如MOSFET、IGBT等）的關(guān)鍵部件，其性能直接影響著系統(tǒng)的效率和可靠性。1EDI20I12AH是一款廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制等領(lǐng)域的柵極驅(qū)動芯片。本文將從1EDI20I12AH的特性、工作原理、應(yīng)用場景等方面進(jìn)行詳細(xì)分析。
1EDI20I12AH 的特性
1EDI20I12AH是由德國的Infineon Technologies公司推出的一款高性能柵極驅(qū)動芯片。該芯片具有如下幾大顯著特性：
1. 高驅(qū)動電流：1EDI20I12AH能夠提供高達(dá)2A的源電流與最大3A的漏電流，這使得它能夠快速而有效地驅(qū)動高功率的MOSFET和IGBT。
2. 寬工作電壓范圍：該芯片支持8V到20V的柵極供電電壓，使得其在多種工作環(huán)境下具有良好的兼容性。
3. 快速開關(guān)特性：1EDI20I12AH內(nèi)部設(shè)計了先進(jìn)的驅(qū)動電路，可以實現(xiàn)快速的開關(guān)速度，大幅降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的效率。
4. 耦合穩(wěn)壓功能：通過一個集成的電流源，1EDI20I12AH在驅(qū)動的時候能夠保持穩(wěn)定的柵極電壓，避免柵極電壓的波動影響到功率器件的開關(guān)性能。
5. 保護(hù)特性：該芯片內(nèi)置多種保護(hù)功能，例如欠壓鎖定（UVLO）、過流保護(hù)以及過溫保護(hù)等，確保了在各種異常情況下的安全運(yùn)行。
工作原理
1EDI20I12AH的工作原理主要涉及控制信號的輸入、柵極電流的輸出以及自我保護(hù)機(jī)制的實現(xiàn)。其輸入端可以通過不同方式接收PWM信號或其他控制信號。1EDI20I12AH接受輸入信號后，決定是否輸出驅(qū)動信號，以激活連接的功率器件。
其柵極驅(qū)動的實現(xiàn)過程如下：當(dāng)輸入信號為高電平時，柵極驅(qū)動芯片會通過其內(nèi)置的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器向MOSFET或IGBT的柵極釋放電流，迅速將其從關(guān)閉狀態(tài)切換至打開狀態(tài)；反之，當(dāng)輸入信號為低電平時，芯片會迅速切走柵極電流，使功率器件迅速關(guān)閉�？焖俚拈_關(guān)過程有助于減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)可靠性。
此外，1EDI20I12AH還具有反向傳輸?shù)哪芰�，這一特性使得在高頻率下，柵極電壓能夠迅速響應(yīng)，從而降低了開關(guān)延遲，進(jìn)一步提高了功率轉(zhuǎn)換效率。
應(yīng)用場景
1EDI20I12AH廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng)、電機(jī)控制 單元以及直流-直流轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
1. 電源管理系統(tǒng)
在電源管理領(lǐng)域，1EDI20I12AH常用于開關(guān)電源設(shè)計中。高效的柵極驅(qū)動能力保障了開關(guān)管的快速切換，從而提高了整體系統(tǒng)的效率。例如，在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，快速的開關(guān)能力可降低電源損耗，提高電源的功率密度。
2. 電動機(jī)控制
在電動機(jī)控制應(yīng)用中，1EDI20I12AH常用作驅(qū)動電機(jī)控制器中的功率開關(guān)組件。由于電動機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)不斷變化，因此需要高效率的柵極驅(qū)動能夠?qū)崿F(xiàn)快速響應(yīng)，避免電機(jī)阻滯或失速。其高電壓和電流特性確保了在高負(fù)載時依然能夠正常工作。
3. 逆變器
在逆變器技術(shù)中，為了將直流電轉(zhuǎn)為交流電，柵極驅(qū)動芯片的作用尤為重要。1EDI20I12AH通過優(yōu)化的驅(qū)動算法，可以確保高頻逆變操作中的電力轉(zhuǎn)換穩(wěn)定性，進(jìn)而提高逆變器的輸出效率。
4. 太陽能逆變器
在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中，由于需要將直流電轉(zhuǎn)換成交流電并并網(wǎng)，1EDI20I12AH的高效柵驅(qū)動性能在此場景中顯得至關(guān)重要。其快速的開關(guān)能力可以最大限度減少能量損耗，提高系統(tǒng)的整體發(fā)電效率。
結(jié)論與未來展望
1EDI20I12AH柵極驅(qū)動芯片在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中起到了不可或缺的作用，其高性能與多樣的應(yīng)用場景使其成為系統(tǒng)設(shè)計中重要的組成部分。未來，隨著電動汽車、可再生能源和智能電網(wǎng)等新興市場的快速發(fā)展，柵極驅(qū)動芯片的需求將持續(xù)增長。同時，采用先進(jìn)技術(shù)改進(jìn)柵極驅(qū)動芯片的設(shè)計理念，提高整個系統(tǒng)的效率和可靠性，是未來研究的重要方向。
1EDI20I12MF
Infineon(英飛凌)
AD9655BCPZ-125
ADI(亞德諾)
AP63357DV-7
Diodes(美臺)
DPS368XTSA1
Infineon(英飛凌)
NX5P3090UK
NXP(恩智浦)
TRF7960RHBR
TI(德州儀器)
93LC86C-I/SN
MIC(昌福)
TLV3603DCKR
TI(德州儀器)
TRS3221EIPWR
TI(德州儀器)
ISO7221MD
TI(德州儀器)
LM13700N
TI(德州儀器)
MT46H64M16LFBF-5IT:B
MT Microsystems
SLC32PDL268
Infineon(英飛凌)
TDA21490
Infineon(英飛凌)
UM3202Q
Union(英聯(lián))
V24B5H200BL
Vicor Corporation
ATSAME54P20A-AU
Microchip(微芯)
B50210SB0IMLG
Broadcom(博通)
EUP3482DIR1
EUTECH
FM25V05-G
Cypress(賽普拉斯)
M51995AFP
Mitsubishi Electric (三菱)
PIC18F26K42-E/SO
Microchip(微芯)
S9S12P64J0MFTR
NXP(恩智浦)
SI5326C-C-GM
SILICON LABS(芯科)
STPS160H100TV
ST(意法)
ADSP-BF531SBBCZ400
ADI(亞德諾)
CX20921-21Z
Synaptics
CY7C65631-56LTXC
Cypress(賽普拉斯)
GD32F303CET6
GD(兆易創(chuàng)新)
HMC349ALP4CE
Hittite Microwave
HT7036
HOLTEK(合泰)
INA828ID
TI(德州儀器)
IPB048N15N5LF
Infineon(英飛凌)
LM317D2T
ON(安森美)
LPC1519JBD64
NXP(恩智浦)
NCP161ASN330T1G
ON(安森美)
PEF24628EV1X
INTEL(英特爾)
SN74ALS245ADWR
TI(德州儀器)
STF10N95K5
ST(意法)
TPS2065DR
TI(德州儀器)
AD8021ARZ
ADI(亞德諾)
AD9649BCPZ-40
ADI(亞德諾)
ADCMP601BKSZ
ADI(亞德諾)
ATTINY84A-SSU
Microchip(微芯)
DS1307ZN+
Maxim(美信)
ISO7240CDW
TI(德州儀器)
LT1785IS8
LINEAR(凌特)
LTC2954ITS8-2
ADI(亞德諾)
MAX232AESE+
Maxim(美信)
PIC12C509A-04I/P
Microchip(微芯)
SN74HCT04D
TI(德州儀器)
AD8220BRMZ
ADI(亞德諾)
ADBMS6830MWCSWZ
ADI(亞德諾)
AT45DB321E-SHF
ADESTO(領(lǐng)迎)
C8051F717-GM
SILICON LABS(芯科)
CD4011BM
TI(德州儀器)
CS5381-KZZ
CirrusLogic(凌云邏輯)
IP2368
INJOINIC(英集芯)
LM3480IM3X-3.3
TI(德州儀器)
LT1084IT
LINEAR(凌特)
MV64360-B1-BAY-C133
Marvell(美滿)
PCF7935AA
NXP(恩智浦)
S9S08SG16E1MTGR
NXP(恩智浦)
SC6700
SK(海力士)
STM32F401CBU6TR
ST(意法)
TL2844BDR-8
TI(德州儀器)
TPS76733QD
TI(德州儀器)
ADA4927-1YCPZ
ADI(亞德諾)
AOD478
AOS(萬代)
CS48L11-CNZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
LM5050MK-2
TI(德州儀器)
NSI8231W0-DSWR
RTC-4543SA
EPSON(愛普生)
SSM2143SZ
ADI(亞德諾)
STM32F412VEH6
ST(意法)
STM32F423ZHJ6
ST(意法)
STM8S208R8T6
ST(意法)
TMS320F28022PTQ
TI(德州儀器)
AD8532ARMZ
ADI(亞德諾)
ADXL372BCCZ
ADI(亞德諾)
APT94N65B2C3G
APT Semiconductor
IPS022G
Infineon(英飛凌)
IR3448MTRPBF
IR(國際整流器)
LT1931AIS5
ADI(亞德諾)
LT5581IDDB
LINEAR(凌特)
LTC1408CUH
LINEAR(凌特)
LTC1799CS5
LINEAR(凌特)
LTM8020IV
LINEAR(凌特)
MAX232EESE
Maxim(美信)
MT48LC16M16A2P-7E
micron(鎂光)
QCA7005-AL33-R
Qualcomm(高通)
R5F2M122ANSP
Renesas(瑞薩)
TLS205B0EJV33
Infineon(英飛凌)
88E1780-A0-LKJ2C000
Marvell(美滿)
ISO5500DW
TI(德州儀器)
LM2595SX-5.0
NS(國半)
MC33908LAE
NXP(恩智浦)
NDB1-125C/125A/1P
R5F100FDAFP#10
Renesas(瑞薩)
R5F563NFDDFC
RTL8201F
REALTEK(瑞昱)
S9S08AW32E5VFGER
Freescale(飛思卡爾)
SAK-XC2287-96F80L
Infineon(英飛凌)
XC7K325T-2FFG676
XC7V585T-1FFG1157C
XILINX(賽靈思)
88SF9110B0-NNR2C000
Marvell(美滿)
AD8368ACPZ
ADI(亞德諾)
BQ24005PWP
TI(德州儀器)
BT148W
Philips(飛利浦)
CY95F176JWPMC1-GSE1
EP1K30TC144
ALTERA(阿爾特拉)
FR9888
FITIPOWER(天鈺科技)
GD25D10BTIGR
GD(兆易創(chuàng)新)
LM5088MHX-2
TI(德州儀器)
LTC1857
LTC4367IMS8
LTM4623IY
LINEAR(凌特)
LV8824QA
M570F11NAA
NCV8154MN330180TBG
ON(安森美)
OPA170AIDBV
TI(德州儀器)
R5F51305ADFL
Renesas(瑞薩)
REF3125AIDBZ
TI(德州儀器)
