TPS1H100BQPWPRQ1的詳細參數
概述
TPS1H100-Q1 是一款具有全方位保護的高側電源開關,它集成有 NMOS 功率 FET 和電荷泵,專用于對各類阻性、感性和容性負載進行智能控制。精確的電流檢測和可編程電流限制 特性 使該器件從市場中脫穎而出。
特性 Current sense/monitor,Digital output,Thermal shutdown,Under voltage lock out符合汽車類 應用要求 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性: 器件溫度等級 1:–40°C 至 125°C 的環境工作溫度范圍 器件 HBM ESD 分類等級 H3A 器件 CDM ESD 分類等級 C4B 提供功能安全 提供文檔以幫助創建功能安全系統設計 具有全面診斷功能的單通道智能高側電源開關 版本 A:開漏狀態輸出 版本 B:電流感應模擬輸出 寬工作電壓范圍:3.5V 至 40V 超低待機電流,低于 0.5µA 工作結溫范圍,-40°C 至 150°C 輸入控制,兼容 3.3V 和 5V 邏輯 高精度電流感應,電流為 1A 時為 ±30mA,
電流為 5mA 時為 ±4mA 利用外部電阻器實現可編程電流限制(在 0.5A 時為 ±20%) 用于對 MCU 模擬或數字接口進行多路復用的診斷使能功能 測試符合 AECQ100-12 A 級標準,
經過 100 萬次接地短路測試 通過 ISO7637-2 和 ISO16750-2 電瞬變抗擾度認證 保護 過載和短路保護 電感負載負電壓鉗位 欠壓鎖定 (UVLO) 保護 具備自恢復功能的熱關斷/熱振蕩 接地失效保護和失電保護 對外部電路提供反向電池保護 診斷 開啟和關閉狀態輸出的開路和電池短路檢測 過載和接地短路檢測以及電流限制 熱關斷/熱振蕩檢測 14 引腳熱增強型 PWP 封裝 封裝參數 屬性 參數值 Package HTSSOP Mounting Type Surface Mount Pin Count 14 Size(mm) 4.4x5mm Marking 1H100BQ 技術參數 屬性 參數值 TOP(°C) -40℃~+125℃(Ta) TOP min(°C) -40℃ TOP max(°C) +125℃ Configuration High Side Channels 1 Features 狀態標志 Input Type 非反相 Iout(A) 4A Fault Protection 限流(可調),開路負載檢測,超溫,UVLO Output Configuration 高端 Ratio-in:out 1:1 Rds On(Ω) 80mΩ Switch Type 通用 合規參數 屬性 參數值 AEC-Q AEC-Q100 Reach 未受影響 RoHS 符合 RoHS狀態 合規 Pb-free 是 MSL 3(168小時) 交易參數 屬性 參數值 Factory Packing Type Reel, Cut Tape, MouseReel Factory Packing Quantity 2000 ECCN EAR99 Lifecycle 量產 Lifecycle Risk 低 Weight(g) 0.224克(g) Origin 中國
TPS1H100BQPWPRQ1 功率電子開關的應用與特點
引言
功率電子開關是現代電子設備和電力系統中不可或缺的組成部分。它們在電力調節、轉換和控制的過程中發揮著關鍵作用。TPS1H100BQPWPRQ1作為一種重要的功率電子開關,自推出以來就受到了廣泛的關注與應用。本文將詳細探討這一型號的特點、工作原理和應用領域。
TPS1H100BQPWPRQ1的基本參數
TPS1H100BQPWPRQ1是一款由德州儀器公司(Texas Instruments)推出的功率開關,專為高效能電源管理設計。其基本參數包括最大功率輸出、輸入電壓范圍、工作頻率等。該器件能夠在較高的效率下運行,最大程度地減少能量損失,從而保證整個系統的可靠性與穩定性。
該器件具備的一個主要特點是其高達100V的耐壓能力,使得它能夠在高電壓的應用中依然保持良好的性能。此外,TPS1H100BQPWPRQ1的低通態電阻(RDS(on))以及快速的開關速度,得以在動態負載條件下實現較好的電流響應,顯著提高了整體系統的效率。
工作原理
TPS1H100BQPWPRQ1采用的是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)技術,其工作原理類似于傳統的MOSFET。但與MOSFET相比,IGBT在控制大功率信號時具有更高的效率。開關的導通與截止狀態由柵極電壓的變化來控制,在柵極施加一定的電壓后,器件進入導通狀態,允許電流流過。相反,當柵極電壓降至閾值以下時,器件進入截止狀態,電流停止流動。
在實際應用中,TPS1H100BQPWPRQ1通過適配器件外部的驅動電路,控制其在適宜的時機進行開關操作。這種控制策略不僅提高了開關頻率,同時也確保了功率管理的精準性和靈活性。
應用領域
TPS1H100BQPWPRQ1的應用領域廣泛,涵蓋了從工業設備到消費類電子產品的多個領域。在電源管理方面,該器件可用于傳統的開關電源(SMPS),通過高效率的電能轉換,確保設備穩定工作。在電動汽車領域,TPS1H100BQPWPRQ1也被廣泛采用,提供高效能的功率轉換,支持先進的電動驅動系統。
此外,該器件還在可再生能源系統中占有一席之地。隨著全球對可再生能源的重視,太陽能和風能發電系統越來越依賴高效能的功率開關以實現能量的最大化利用。TPS1H100BQPWPRQ1憑借其高耐壓和高效率,成為這些系統中的重要組成部分。
在消費電子產品中,TPS1H100BQPWPRQ1同樣表現出色。隨著智能家居設備的普及,許多設備對電源管理的要求愈加嚴苛。TPS1H100BQPWPRQ1可在這樣的環境下,提供所需的功率支持,并實現較低的待機功耗,契合現代家庭的需求。
性能優勢
TPS1H100BQPWPRQ1具有明顯的性能優勢,尤其是在提高能效與降低熱損耗方面。其設計充分考慮了功率開關中的各種關鍵因素,通過優化電路設計與材料選擇,達到較低的導通損耗。此外,器件內部結構的優化使得其具備更低的電磁干擾(EMI),確保周圍電路的穩定性。
此外,TPS1H100BQPWPRQ1還支持多種保護功能,例如過流保護、過熱保護等。在實際應用中,這些保護機制能夠有效延長器件的使用壽命,并保障整體系統的穩定與安全。這些設計都是為了提升用戶體驗,讓使用者在使用過程中更加安心。
散熱與封裝設計
功率開關工作時勢必產生一定的熱量,因此散熱設計成為關鍵環節之一。TPS1H100BQPWPRQ1在散熱方面采取了先進的封裝技術,通過優化熱量傳導路徑,有效降低了工作溫度。這種設計不僅提升了功率開關的可靠性,還使其在高負載條件下依然能夠保持穩定工作。
該器件采用的封裝類型為HTQFP,具備良好的熱導率與機械強度,同時還考慮到了空間的節省與布局的靈活性。這使得TPS1H100BQPWPRQ1在空間受限的應用中,也能夠實現有效的散熱,為系統拓展了更多的可能性。
未來展望
隨著電子技術的不斷發展,功率開關的需求量也在穩步增長。特別是在綠色能源、智能設備等領域,對高效率、高可靠性的功率電子開關的需求愈加迫切。TPS1H100BQPWPRQ1憑借其出色的性能與廣泛的適用性,必將在未來的技術進步中發揮更大的作用。
未來,TPS1H100BQPWPRQ1可能會在智能電網、物聯網設備以及先進的電源管理系統中迎來更加廣泛的應用。伴隨著各種新興技術的出現,這款功率電子開關所具備的靈活性和可靠性,將使其在未來的市場競爭中占據重要地位。隨著研發的持續推進,TPS1H100BQPWPRQ1的技術將不斷提高,應用場景也將進一步擴展,為人類帶來更多的便利與創新。
TPS1H100BQPWPRQ1
TI(德州儀器)
EPCQ64ASI16N
ALTERA(阿爾特拉)
VNS3NV04DPTR-E
ST(意法)
SN74HC595DR
TI(德州儀器)
O3853QDCARQ1
TI(德州儀器)
TJA1050T/CM
NXP(恩智浦)
ATMEGA16A-AU
Microchip(微芯)
STM32F030F4P6
TI(德州儀器)
LIS3DHTR
ST(意法)
DSP56F803BU80E
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ST(意法)
STM32G070CBT6
ST(意法)
MAX13487EESA
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ST(意法)
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Atmel(愛特梅爾)
ADS1258IRTCR
ADI(亞德諾)
MBRA340T3G
ON(安森美)
TPS54331DR
TI(德州儀器)
NUP2105LT1G
NXP(恩智浦)
STM32G030C8T6
ST(意法)
MAX3232ESE
Maxim(美信)
VNH5019ATR-E
TI(德州儀器)
W25Q64JVSSIQ
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ADSP-21060LCW-160
ADI(亞德諾)
LPC1788FBD208
NXP(恩智浦)
5CEFA7F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
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ON(安森美)
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NXP(恩智浦)
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NORDIC
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ST(意法)
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TI(德州儀器)
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ST(意法)
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ST(意法)
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ST(意法)
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TI(德州儀器)
AT24C02C-SSHM-T
TI(德州儀器)
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ST(意法)
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XILINX(賽靈思)
W25Q32JVSSIQ
WINBOND(華邦)
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ALTERA(阿爾特拉)
STM32F107VCT6
ST(意法)
ADXL355BEZ
ADI(亞德諾)
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TI(德州儀器)
CY62167EV30LL-45ZXA
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STM32F427VIT6
ST(意法)
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TI(德州儀器)
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Atmel(愛特梅爾)
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ON(安森美)
MBRS340T3G
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TI(德州儀器)
BAV99
Diodes(美臺)
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ALTERA(阿爾特拉)
74HC14D
XINBOLE(芯伯樂)
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ST(意法)
STM32G070RBT6
ST(意法)
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ST(意法)
NCP1654BD133R2G
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MAX13487EESA+T
Maxim(美信)
LM3481MM/NOPB
TI(德州儀器)
STM32F401RCT6
ST(意法)
TPS2HB16BQPWPRQ1
TI(德州儀器)
LTM4644IY
LINEAR(凌特)
EPCS4SI8N
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CP2102-GMR
SILICON LABS(芯科)
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NXP(恩智浦)
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TI(德州儀器)
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micron(鎂光)
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ST(意法)
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ST(意法)
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NXP(恩智浦)
ATMEGA128-16AU
Atmel(愛特梅爾)
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ON(安森美)
AD8479ARZ
ADI(亞德諾)
THS4521IDGKR
TI(德州儀器)
TXS0102DCUR
TI(德州儀器)
STM32F103R8T6
ST(意法)
LTM4644IY#PBF
ADI(亞德諾)
BTS724G
Infineon(英飛凌)
MC33079DR2G
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ADI(亞德諾)
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GD(兆易創新)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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Vishay(威世)
LM393DR
TI(德州儀器)
OP07CDR
TI(德州儀器)
TMS320C6678ACYPA
TI(德州儀器)
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NXP(恩智浦)
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TI(德州儀器)
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NXP(恩智浦)
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LM358DT
XINBOLE(芯伯樂)
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TI(德州儀器)
REF3030AIDBZR
Burr-Brown(TI)