LMV324IDR的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
LMV324IDR
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
1504655627
零件包裝代碼
SOIC
包裝說明
GREEN, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14
針數
14
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China, Malaysia, Mexico
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.33.00.01
風險等級
0.49
Samacsys Description
Quad Low-Voltage Rail-to-Rail Output Operational Amplifier – see LMV324A for upgraded version
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
放大器類型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架構
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置電流 (IIB)
0.25 µA
25C 時的最大偏置電流 (IIB)
0.25 µA
最小共模抑制比
50 dB
標稱共模抑制比
65 dB
頻率補償
YES
最大輸入失調電流 (IIO)
0.05 µA
最大輸入失調電壓
7000 µV
JESD-30 代碼
R-PDSO-G14
JESD-609代碼
e4
長度
8.65 mm
低-偏置
NO
低-失調
NO
微功率
YES
濕度敏感等級
1
功能數量
4
端子數量
14
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP14,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
包裝方法
TR
峰值回流溫度（攝氏度）
260
功率
NO
可編程功率
NO
認證狀態
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
標稱壓擺率
1 V/us
子類別
Operational Amplifier
最大壓擺率
0.832 mA
供電電壓上限
5.5 V
標稱供電電壓 (Vsup)
2.7 V
表面貼裝
YES
技術
BIPOLAR
溫度等級
AUTOMOTIVE
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子節距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
標稱均一增益帶寬
1000 kHz
最小電壓增益
10000
寬帶
NO
寬度
3.9 mm
LMV324IDR運算放大器及其應用研究
引言
運算放大器是現代電子電路中不可或缺的基礎元件之一，其廣泛應用于信號處理、控制系統、信號放大和調制解調等領域。在眾多運算放大器型號中，LMV324IDR作為一種低功耗、低噪聲的四路運算放大器，因其獨特的性能優勢而受到廣泛關注和應用。本文將深入探討LMV324IDR的結構特點、性能參數、應用場景及其在實際電路設計中的重要性。
LMV324IDR的基本結構與特性
LMV324IDR是一種集成四個獨立的運算放大器于一體的芯片，其內部結構采用了現代CMOS工藝，具有低功耗和高輸入阻抗的優點。LMV324的電源電壓范圍為2.7V至5.5V，適合用于電池供電的便攜式設備中，其電流消耗僅為幾百微安。這一特性使得LMV324IDR在移動設備和低功耗應用中尤為重要。
LMV324的輸入偏置電流非常低，通常在數個皮安的量級，在信號處理過程中能夠有效減少因偏置電流引起的誤差和干擾。此外，其共模輸入電壓范圍寬，可涉及到接近供電電壓的范圍，從而在多種應用中確保信號的完整性。這些特性使得LMV324IDR成為音頻放大、傳感器信號調理以及模擬信號處理等領域的理想選擇。
性能指標分析
在選擇運算放大器進行電路設計時，了解其關鍵性能指標至關重要。LMV324IDR的主要性能參數包括增益帶寬積、輸入失調電壓、輸出短路電流、總諧波失真等。
1. 增益帶寬積（GBP）：LMV324IDR的增益帶寬積為1MHz，這意味著在高增益設置下，其頻率響應會有所限制。因此，在設計交流放大電路時，設計師需要考慮到增益與頻率之間的權衡，以確保所需的信號帶寬能夠滿足應用需求。
2. 輸入失調電壓：LMV324IDR的輸入失調電壓通常在幾毫伏的范圍，這是一個非常重要的參數，在高精度的測量系統中，輸入失調電壓的存在會直接導致輸出信號的誤差。因此，在設計高精度信號處理電路時，可能需要采取措施來校正這種失調。
3. 輸出短路電流：LMV324IDR具有較高的輸出驅動能力，能夠提供較大的負載電流，通常能夠達到幾十毫安。這一點在驅動重負載的應用中尤為重要，能夠確保輸出信號強度足以滿足后續電路的需求。
4. 總諧波失真（THD）：LMV324的THD在小信號下非常低，這使得它在音頻應用中表現出色。音頻信號處理要求低失真特性，LMV324的性能特征使其能夠保證音頻信號的真實性。
LMV324IDR在實際電路中的應用
基于其優越的性能指標和廣泛的適用性，LMV324IDR在多個領域得到了應用。首先，在音頻設備中，LMV324可以作為前置放大器或音頻處理模塊，能夠有效提升信號強度，同時保持較低的噪聲水平。在此類應用中，設計師通常會結合其增益帶寬特性來配置反饋網絡，以實現所需的增益和頻率響應。
其次，在傳感器信號處理方面，LMV324的高輸入阻抗和低輸入偏置特性使其非常適合用于測量微弱信號的應用。例如，在溫度、壓力和光照傳感器的應用中，LMV324可以有效放大傳感器輸出的微小信號，確保在后續電路中可以準確處理。
此外，LMV324IDR也被廣泛用于信號調制與解調電路中，尤其是在無線通信領域。其具有超寬輸入共模范圍的特性，使其能適應各種信號源的變化，保證信號的穩定傳輸。
在濾波器設計中，LMV324的多路特性允許設計師在一個IC內部實現多種濾波功能，從而節省電路板空間并降低系統成本。利用其作為主干結構，可以設計出各種一階和二階濾波器，為后續信號處理提供更加干凈的信號。
電路設計中的注意事項
在使用LMV324IDR進行電路設計時，設計者需要注意幾個關鍵因素。首先，確保適當選擇電源電壓，雖然LMV324可以在2.7V至5.5V范圍內工作，但為確保最佳性能，應盡量在其推薦工作電壓下運行。其次，合理選擇反饋電阻和輸入電阻，以確保在目標頻率下獲得所需增益，而不產生過多的增益誤差或相位延遲。
另外，設計時應盡量避免在高頻下操作，以減少由于增益帶寬限制引起的信號失真。同時，在PCB布局中，應盡量減少信號路徑和避免干擾，確保高質量信號的傳輸。
LMV324IDR的多功能和高性能使其成為現代電子設計中的重要組成部分，對于諸多電子應用的實現與發展具有重要意義。
LMV324IDR
TI(德州儀器)
TMS320F28075PTPT
TI(德州儀器)
FGH60N60SMD
ON(安森美)
UC3843BD1013TR
ST(意法)
EP4CE30F23C7N
ALTERA(阿爾特拉)
KSZ8463RLI
Microchip(微芯)
FS32K144HAT0MLHR
NXP(恩智浦)
MKE02Z64VLC4
Freescale(飛思卡爾)
MAX232CSE
Maxim(美信)
STM32F769BIT6
ST(意法)
LTM4622IY#PBF
ADI(亞德諾)
AT45DB321E-SHF-T
ADESTO(領迎)
VN5T006ASPTR-E
ST(意法)
PIC12F675-I/P
Microchip(微芯)
TMS320VC5502PGF300
TI(德州儀器)
W25Q256JVFIQ
WINBOND(華邦)
PCA9685PW
NXP(恩智浦)
MT41K128M16JT-125
micron(鎂光)
SCTH40N120G2V7AG
ST(意法)
DP83848IVVX
NS(國半)
INA128UA/2K5
TI(德州儀器)
1N4148W-7-F
Diodes(美臺)
VN808TR-E
ST(意法)
STM32F746BGT6
ST(意法)
BC847C
Diodes(美臺)
TLV73333PDBVR
TI(德州儀器)
LM2675MX-ADJ
NS(國半)
LM2678SX-ADJ
TI(德州儀器)
AD7193BRUZ
ADI(亞德諾)
SN74LVC1G07DCKR
TI(德州儀器)
SM712.TCT
TASUND(泰盛達)
EP3C40F484I7N
ALTERA(阿爾特拉)
HI-1573PSI
Holt Integrated Circuits Inc.
MBR2H200SFT1G
ON(安森美)
SPW47N60C3
Infineon(英飛凌)
MJD122T4G
ON(安森美)
LPC1768FBD100K
NXP(恩智浦)
MCP2515T-I/SO
Microchip(微芯)
STM32F401RET6
ST(意法)
S912ZVCA96F0MLF
NXP(恩智浦)
LSM6DS3TR
ST(意法)
EN5311QI
Echelon Corporation
PCF8563T
Philips(飛利浦)
ADIS16470AMLZ
ADI(亞德諾)
AD823ARZ
TI(德州儀器)
ADXL345BCCZ-RL7
ADI(亞德諾)
TPS53319DQPR
TI(德州儀器)
PGA281AIPWR
TI(德州儀器)
MCP73831T-2ACI/OT
Microchip(微芯)
DAC8760IPWPR
TI(德州儀器)
AD698APZ
ADI(亞德諾)
ATMEGA328PB-MU
Microchip(微芯)
ADSP-BF537BBCZ-5A
ADI(亞德諾)
TLV70033DDCR
TI(德州儀器)
SN74LVC1G125DCKR
TI(德州儀器)
AT27C256R-70PU
Atmel(愛特梅爾)
TP8485E-SR
3PEAK(思瑞浦)
AT89C51ED2-RLTUM
Atmel(愛特梅爾)
SRV05-4.TCT
TASUND(泰盛達)
AT91SAM7X512B-AU
Microchip(微芯)
BQ7694003DBTR
TI(德州儀器)
TL431BIDBZR
Nexperia(安世)
ATF1504AS-10JU44
Microchip(微芯)
ATMEGA324PA-AU
Atmel(愛特梅爾)
RI-TRP-DR2B-40
TI(德州儀器)
AS179-92LF
Skyworks(思佳訊)
MCIMX6U5DVM10AC
NXP(恩智浦)
AD8361ARMZ
ADI(亞德諾)
FAN6208MY
ON(安森美)
MIC2017YM6
Microchip(微芯)
LM1117IMPX-3.3/NOPB
NS(國半)
REF3012AIDBZR
TI(德州儀器)
TPS62140RGTR
TI(德州儀器)
MMSD4148T1G
ON(安森美)
DRV8825PWPR
TI(德州儀器)
AO3400A
AOS(萬代)
STW15NK90Z
ST(意法)
HFBR-2412TZ
Avago(安華高)
RTL8211FI-CG
REALTEK(瑞昱)
SPF5043Z
Qorvo(威訊聯合)
ATMEGA16-16AU
Microchip(微芯)
AD210BN
ADI(亞德諾)
MCIMX6D5EYM10AD
NXP(恩智浦)
AD8310ARMZ
ADI(亞德諾)
FS32K142HFT0VLHT
NXP(恩智浦)
LM2675MX-ADJ/NOPB
NS(國半)
EPM3064ATI44-10N
ALTERA(阿爾特拉)
USB3320C-EZK-TR
Microchip(微芯)
BMI160
Bosch(博世)
MP2161GJ-Z
MPS(美國芯源)
STM32L431CCT6
ST(意法)
LM2576SX-5.0
NS(國半)
TLV70450DBVR
TI(德州儀器)
KSZ8863RLLI
Micrel(麥瑞)
STM32F405ZGT6
ST(意法)
TPS63030DSKR
TI(德州儀器)
LMR33630CQRNXRQ1
TI(德州儀器)
IRF540NSTRLPBF
IR(國際整流器)
MKV58F1M0VLQ24
Freescale(飛思卡爾)
DAC7714U
Burr-Brown(TI)
LM2675M-5.0
TI(德州儀器)
S9S12G64AMLF
NXP(恩智浦)
CA-IS3760HW
AD8605ARTZ-REEL7
ADI(亞德諾)
TPS92611QDGNRQ1
TI(德州儀器)
ADAU1701JSTZ-RL
ADI(亞德諾)
INA219AIDR
TI(德州儀器)
STM32F103C6T6A
ST(意法)
MBRS2040LT3G
ON(安森美)
XC6SLX45-2FGG484I
XILINX(賽靈思)
LM258DT
TI(德州儀器)
