IPA60R190P6的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
IPA60R190P6
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
1384824248
包裝說明
TO-220FP, 3 PIN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風險等級
7.52
Samacsys Description
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
5.95
雪崩能效等級（Eas）
419 mJ
外殼連接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
600 V
最大漏極電流 (ID)
20.2 A
最大漏源導通電阻
0.19 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數量
1
端子數量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM)
57 A
表面貼裝
NO
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IPA60R190P6 場效應管的特性及應用研究
引言
場效應管（Field Effect Transistor，FET）作為一種重要的半導體器件，在現代電子電路中扮演著不可或缺的角色。IPA60R190P6 是一種功率場效應管，廣泛應用于開關電源、電機驅動、電力電子設備等領域。本文將對 IPA60R190P6 的特性、工作原理以及應用進行詳細探討。
一、IPA60R190P6 的基本參數與結構
IPA60R190P6 是一款 N 溝道增強型場效應管，其額定電壓為 600V，額定電流為 190A，具有較高的功率處理能力。在結構方面，該器件采用了傳統的平面工藝與尖端的技術，確保了其在高頻率與高溫條件下仍能穩定工作。其主要參數包括：
- 最大漏極源極電壓（V_DS）：600V - 最大漏極電流（I_D）：190A - 漏極源極結電容（C_DS）：大約 6200pF - 門源極閾值電壓（V_GS(th)）：2-4V - 導通電阻（R_DS(on)）：約為 0.077Ω
這種優異的電氣特性使得 IPA60R190P6 適用于高電壓、大電流的應用場合。
二、工作原理
場效應管的工作原理基于電場效應。對于 N 溝道場效應管，當施加一個適當的正電壓于門極（Gate）時，溝道內的電子密度增加，形成一個導電通道，允許電流從漏極（Drain）流向源極（Source）。隨著門極電壓的增大，導通電阻逐漸減小，導通能力增強。在沒有施加門極電壓時，器件處于關斷狀態，幾乎不允許電流通過。
在實際應用中，V_GS(th) 是一個非常重要的參數，它決定了器件的開關特性。在選擇場效應管時，了解其 V_GS(th) 范圍有助于合理設計驅動電路。此外，導通電阻 R_DS(on) 的大小直接影響到功率損耗與熱管理，因此在高頻工作狀態下，降低 R_DS(on) 是設計中的重點之一。
三、熱管理與散熱設計
在功率應用中，熱管理是至關重要的，IPA60R190P6 的工作環境通常會導致器件產生大量熱量。在設計時，需要充分考慮散熱系統的設計，確保器件的工作溫度保持在安全范圍內。其散熱性能主要取決于熱阻（RθJA）和散熱器的設計。
一般而言，選定合適的散熱器材料、形狀和大小是保證工作性能的關鍵。常見的散熱材料包括鋁和銅。為了提高散熱效率，通常會通過設計風道、增加散熱片面積等手段來增強散熱能力。此外，使用導熱膠或導熱膏可以有效降低器件與散熱器之間的熱阻，從而提升散熱效果。
四、應用領域
1. 開關電源（SMPS）：在開關電源中，IPA60R190P6 常用作開關管，其高耐壓特性和低 R_DS(on) 能夠有效提高轉換效率并減少熱損失。由于其快速開關能力，也能減小開關損耗，進而提高電源的整體性能。
2. 電動汽車：隨著電動汽車技術的發展，高功率密度的電機驅動系統需要高性能的功率開關器件。IPA60R190P6 可用于電動汽車的逆變器，提供高效的能量轉換。
3. 電力電子設備：在風能和太陽能發電系統中，IPA60R190P6 被廣泛應用于逆變器和功率調節裝置中，其高電壓能力能夠支持大規模的能量轉換。
4. 工業自動化：在電機驅動和控制中，該場效應管的強大輸出能力使其成為伺服驅動器和變頻器的重要選擇，能夠支持高效的工業自動化過程。
五、與其他功率器件的比較
在功率器件市場中，IPA60R190P6 與其他類型的場效應管如 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和 MOSFET（金屬氧化物場效應管）相比，各有優勢。雖然 IGBT 在高電壓大電流應用中表現出色，但其開關速度較慢，適合于較低頻率的應用。相對而言，IPA60R190P6 擁有更高的開關頻率和更低的導通損耗，適合用于高頻開關電路中。
而與普通的 MOSFET 相比，IPA60R190P6 的高耐壓和高電流特性使其在高功率應用中更具優勢。在選擇適合的功率器件時，需要根據具體的應用場合、工作頻率和效率需求進行綜合考慮。
六、未來發展方向
隨著半導體技術的進步，新的材料和器件結構不斷被引入功率器件領域。從碳化硅（SiC）到氮化鎵（GaN），這些新興材料的應用將大幅提升功率器件的性能，包括更高的耐壓、更低的導通電阻以及更快的開關速度。這些技術進步將為 IPA60R190P6 和類似器件的未來發展帶來挑戰與機遇。此外，電器和電子設備對功率器件的要求將不斷提高，因此，對提升 IPA60R190P6 及其同類器件的技術研發，將成為業界研究的重要方向。
IPA60R190P6
Infineon(英飛凌)
ADAU1787BCBZRL
ADI(亞德諾)
KLM4G1FETE-B041001
SAMSUNG(三星)
LM2662MX
TI(德州儀器)
LM2940IMP-5.0
TI(德州儀器)
NCV7726DQAR2G
ON(安森美)
SAK-XC2336B-40F80LRAB
Infineon(英飛凌)
LM26CIM5-TPA
TI(德州儀器)
LMR14203XMKX
TI(德州儀器)
MX25U12832FZNI02
Macronix International
AD9744ACPZ
ADI(亞德諾)
IS62LV256AL-45ULI
ISSI(美國芯成)
STGIPS10K60A
ST(意法)
STM32F101RET6
ST(意法)
AD628ARZ
ADI(亞德諾)
ADL5611ARKZ
ADI(亞德諾)
SAK-TC1796-256F150EBE
Infineon(英飛凌)
SAK-TC237LP-32F200N
Infineon(英飛凌)
DAC80508MRTER
TI(德州儀器)
DRV425RTJT
TI(德州儀器)
TPS51372RJNR
TI(德州儀器)
ADF5610BCCZ
ADI(亞德諾)
ADS7828E
TI(德州儀器)
PC28F00AP30EF
micron(鎂光)
SN74LVC245APW
TI(德州儀器)
KSZ9896CTXC
Microchip(微芯)
LTC4364HDE-2
LINEAR(凌特)
SAK-TC275T-64F200N
Infineon(英飛凌)
STM32F100C8T6
ST(意法)
LPC1765FET100
NXP(恩智浦)
MPQ8633BGLE
MPS(美國芯源)
NCV2951CDR2G
ON(安森美)
TPS7A8300RGW
TI(德州儀器)
UC3525ADW
TI(德州儀器)
ACS716KLATR-6BB
ALLEGRO(美國埃戈羅)
DAC088S085CIMT
NS(國半)
DS80PCI800SQ
TI(德州儀器)
SN74LVC1T45DBV
TI(德州儀器)
STM
PCM1803ADBR
TI(德州儀器)
TPS54318RTER
TI(德州儀器)
TPS22990DMLR
TI(德州儀器)
OPA314AIDCKR
TI(德州儀器)
TPS543B20RVFR
TI(德州儀器)
OPA2320AIDGKR
TI(德州儀器)
SI7232DN-T1-GE3
Vishay(威世)
A3941KLPTR-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
UCC27524DGNR
TI(德州儀器)
KSZ8895MQXCA
Micrel(麥瑞)
ADUM1402BRWZ-RL
ADI(亞德諾)
TLV3701QDBVRQ1
TI(德州儀器)
UA78M05CDCYR
TI(德州儀器)
MMA8453QR1
NXP(恩智浦)
SP706SEN-L/TR
SIPEX(西伯斯)
ADT1-1WT+
Mini-Circuits
L4981AD013TR
ST(意法)
TPS7B4250QDBVRQ1
TI(德州儀器)
XC3S250E-4PQG208C
XILINX(賽靈思)
TCA9544APWR
TI(德州儀器)
FDC6561AN
ON(安森美)
TPS62260DRVR
TI(德州儀器)
TS12A4514DBVR
TI(德州儀器)
FDC6420C
ON(安森美)
MM3Z12VT1G
ON(安森美)
DAC8560IADGKR
TI(德州儀器)
AT45DB161E-SSHD-T
Atmel(愛特梅爾)
AP3012KTR-G1
Diodes(美臺)
SI9945BDY-T1-GE3
Vishay(威世)
CY8C5888AXI-LP096
Cypress(賽普拉斯)
MP1605GTF-Z
MPS(美國芯源)
IS42S16160J-7TLI
ISSI(美國芯成)
SAA1064T/N2
Philips(飛利浦)
SN74AHCT125PWR
TI(德州儀器)
TS3USB221ERSER
TI(德州儀器)
HFBR-1522Z
Avago(安華高)
SCA-4-10+
Mini-Circuits
IHLP2525CZER4R7M01
Vishay(威世)
SC4215ASTRT
Semtech(商升特)
AD7124-4BRUZ-RL7
ADI(亞德諾)
ST1S10PUR
ST(意法)
MC34063AP1G
ON(安森美)
US1M
PanJit(強茂)
MCP3208-CI/SL
Microchip(微芯)
74LVXC3245MTCX
Freescale(飛思卡爾)
IRF630NPBF
IR(國際整流器)
MC79M05BDTRKG
ON(安森美)
ADS8866IDRCR
TI(德州儀器)
XC2C128-7VQG100C
XILINX(賽靈思)
MSP432P401RIRGCR
TI(德州儀器)
SN74AHC1G14DCKR
TI(德州儀器)
HMC6343
Honeywell(霍尼韋爾)
XC3S200A-4FTG256C
XILINX(賽靈思)
74HC541D
Nexperia(安世)
SPW20N60C3
Infineon(英飛凌)
TPS65131TRGERQ1
TI(德州儀器)
LPC2136FBD64/01
NXP(恩智浦)
REF3325AIDCKR
TI(德州儀器)
HSMG-C170
Avago(安華高)
STM32F217ZGT6
ST(意法)
LTC4366HTS8-2#TRPBF
LINEAR(凌特)
IRLR7843TRPBF
Infineon(英飛凌)
MIC28515T-E/PHA
Microchip(微芯)
RT9293BGJ6
RICHTEK(臺灣立锜)
TPS61161DRVR
TI(德州儀器)
AFBR-2624Z
Avago(安華高)
MT28GU01GAAA1EGC-0SIT
micron(鎂光)
IRLR120NTRPBF
IR(國際整流器)
STM32H730VBT6
ST(意法)
MCIMX536AVV8C
Freescale(飛思卡爾)
TLE8366EV50
Infineon(英飛凌)
ESP32-WROOM-32U
ESPRESSIF 樂鑫
MC20901
PIC16F18323-I/SL
Microchip(微芯)
