FDB52N20TM 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
FDB52N20TM
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
4001116824
零件包裝代碼
D2PAK-3 / TO-263-2
包裝說明
D2PAK-3/2
制造商包裝代碼
418AJ
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
22 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級
0.5
Samacsys Description
FDB52N20TM N-Channel MOSFET, 52 A, 200 V UniFET, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.12
雪崩能效等級（Eas）
2520 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
200 V
最大漏極電流 (ID)
52 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.049 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-263
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
245
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
357 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
208 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
FDB52N20TM場效應(yīng)管的特性與應(yīng)用研究
引言
場效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）作為一種重要的半導(dǎo)體器件，以其高輸入阻抗和優(yōu)良的電流控制特性，被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路中。FDB52N20TM是一款N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，具有高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，適用于電源開關(guān)、功率放大及其他高效能電路。本文將詳細(xì)探討FDB52N20TM的基本特性、工作原理以及其實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢與潛在問題。
FDB52N20TM的基本特性
FDB52N20TM場效應(yīng)管具有幾個(gè)顯著的電氣參數(shù)，這些參數(shù)足以決定其在多種工程應(yīng)用中的適用性。該器件的最大漏電流可達(dá)到52A，而其最大漏源電壓為20V。此外，FDB52N20TM的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）在特定條件下表現(xiàn)在非常低的水平，這就意味著在其作用下，電能損失得到了有效降低。
在溫度對性能的影響方面，FDB52N20TM的熱特性設(shè)計(jì)得非常優(yōu)良。它的結(jié)溫范圍允許器件在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，從而適應(yīng)各種工業(yè)應(yīng)用的需求。作為一款高效的功率開關(guān)，FDB52N20TM在應(yīng)對電源轉(zhuǎn)換、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場合時(shí)表現(xiàn)出色。
工作原理
FDB52N20TM屬于N溝道場效應(yīng)管，其基本工作原理基于電場的影響。在沒有施加?xùn)艠O電壓的情況下，N溝道內(nèi)沒有形成有效的導(dǎo)電通道，器件處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)施加正電壓（超過閾值電壓）至柵極時(shí)，N型半導(dǎo)體產(chǎn)生電子的富集，使源極與漏極之間形成導(dǎo)電通道，從而使電流流過。
對于場效應(yīng)管的控制，柵極電壓的大小直接影響到通道的導(dǎo)電性。因此，通過合適的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，可以精確調(diào)節(jié)漏源之間的電流。這種特性使得FDB52N20TM在低功耗和高效率的開關(guān)電源領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
FDB52N20TM在多個(gè)領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用展現(xiàn)了其作為功率器件的優(yōu)越性。以下是一些主要應(yīng)用場景：
1. 電源開關(guān)
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，FDB52N20TM由于其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，成為電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的核心組件之一。它能夠高效地控制電流的開關(guān)，從而優(yōu)化能量轉(zhuǎn)化率，減少損耗。這對于實(shí)現(xiàn)高效率的通訊電源、計(jì)算機(jī)電源等至關(guān)重要。
2. 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)
在直流電機(jī)控制電路中，FDB52N20TM能夠提供瞬時(shí)大電流，滿足電機(jī)啟動(dòng)時(shí)的瞬態(tài)需求。同時(shí)，利用其線性特性，可以實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的精確控制，達(dá)到速度調(diào)節(jié)和轉(zhuǎn)矩控制等多種功能。這使得FDB52N20TM在電動(dòng)工具、電動(dòng)車及家用電器上得到了普遍應(yīng)用。
3. 負(fù)載調(diào)節(jié)
在涉及高功率負(fù)載的應(yīng)用中，FDB52N20TM能夠有效地進(jìn)行負(fù)載調(diào)節(jié)。通過調(diào)節(jié)柵極電壓，能夠?qū)崿F(xiàn)對負(fù)載電流的精確控制，滿足工業(yè)自動(dòng)化和智能設(shè)備中對能效和響應(yīng)性日益增長的需求。
優(yōu)勢特色
相較于傳統(tǒng)的功率開關(guān)管，FDB52N20TM具有幾個(gè)顯著的優(yōu)勢。首先，其超低的導(dǎo)通電阻使得器件在導(dǎo)通時(shí)發(fā)熱量明顯降低，有助于提升整個(gè)電路的效率。其次，快速的開關(guān)特性使其在高頻率下的應(yīng)用中有更好的表現(xiàn)，適應(yīng)現(xiàn)代高效能轉(zhuǎn)化需求。最后，高輸入阻抗確保了其作為前級放大的良好表現(xiàn)，大大提升了電路的整體性能。
潛在問題
盡管FDB52N20TM在多種應(yīng)用中展現(xiàn)了卓越的性能，但在實(shí)際設(shè)計(jì)和應(yīng)用過程中，仍需考慮一些潛在問題。例如，在頻繁的開關(guān)情況下，器件的熱管理顯得尤為重要。過高的溫度會(huì)導(dǎo)致器件性能下降，甚至損壞。此外，器件的布局優(yōu)化和PCB設(shè)計(jì)也需充分考慮，以保證良好的散熱和電磁兼容性。
在動(dòng)態(tài)工作狀態(tài)下，FDB52N20TM可能受到寄生電容的影響，這會(huì)在開關(guān)過程中出現(xiàn)電壓尖峰，導(dǎo)致器件的過壓和其他不穩(wěn)定情況。因此，設(shè)計(jì)工程師需要采取適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施，例如使用瞬態(tài)抑制二極管或者RC濾波器，以保證電路的穩(wěn)定性和器件的安全性。
通過選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路和合理的控制策略，可以最大限度地發(fā)揮FDB52N20TM的優(yōu)勢，減少潛在問題的影響，在不同應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最佳性能。
FDB52N20TM
Fairchild(飛兆/仙童)
FDMS86180
ON(安森美)
HX0068ANLT
Pulse(YAGEO)
LTM4613IY#PBF
LINEAR(凌特)
STM32L451RET6TR
ST(意法)
PIC18F26K80-I/MM
Microchip(微芯)
TFP401AMPZPEP
TI(德州儀器)
HCPL-0501-500E
Avago(安華高)
LM4040C30IDBZR
TI(德州儀器)
MAX5971AETI+T
Maxim(美信)
MC3416-P
MEMSIC
NTHL040N65S3F
ON(安森美)
FDMC86139P
Fairchild(飛兆/仙童)
FOD817BSD
Freescale(飛思卡爾)
ISO7220MDR
TI(德州儀器)
RT9080-33GJ5
RICHTEK(臺(tái)灣立锜)
TAJC476K016RNJ
AVX(京瓷)
BAT46WJ
NXP(恩智浦)
BFR93AE6327HTSA1
Infineon(英飛凌)
DSPIC33FJ128GP706-I/PT
Microchip(微芯)
IRF9Z34NSTRLPBF
Infineon(英飛凌)
NRVB0540T1G
ON(安森美)
IRS21844STRPBF
IR(國際整流器)
UCC27201AQDDARQ1
TI(德州儀器)
AD5422ACPZ-REEL7
ADI(亞德諾)
AT25128B-XHL-T
Atmel(愛特梅爾)
BTS50060-1TEA
Infineon(英飛凌)
CC0805KRX7R9BB104
YAGEO(國巨)
GRM188R60J226MEA0D
MURATA(村田)
HI-8423PTT
Holt Integrated Circuits Inc.
NTB082N65S3F
ON(安森美)
SM6T33CAY
ST(意法)
TPD4S009DGSR
TI(德州儀器)
DS26LS31MJ/883
NS(國半)
MPM3630GQV-Z
MPS(美國芯源)
TLP627(F)
TOSHIBA(東芝)
TM4C123GH6PMI
TI(德州儀器)
AD628ARZ-R7
ADI(亞德諾)
SKY13286-359LF
Skyworks(思佳訊)
9DB403DGILFT
IDT(Renesas收購)
FQD13N10TM
ON(安森美)
LC03-3.3BTG
Littelfuse(力特)
MAX6373KA+T
Maxim(美信)
BTS282ZE3180A
Infineon(英飛凌)
CC770E
Bosch(博世)
FSA2567UMX
Fairchild(飛兆/仙童)
GRM31CR60J227ME11L
MURATA(村田)
PSS35SA2FT
Mitsubishi Electric (三菱)
SC4524ESETRT
Semtech(商升特)
88SA8052B1-NNC2C000
Marvell(美滿)
AD9269BCPZ-80
ADI(亞德諾)
AD9510BCPZ
ADI(亞德諾)
IT8528E/FX
ITE
MMBD1503A
ON(安森美)
MMBTH10LT1G
ON(安森美)
MP1530DM-LF-Z
MPS(美國芯源)
PIC16F877-20I/PQ
MIC(昌福)
RURG80100
Fairchild(飛兆/仙童)
A3214ELHLT-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
FS400R07A1E3
Infineon(英飛凌)
MCP4728A0T-E/UN
Microchip(微芯)
NCP1234BD65R2G
ON(安森美)
D203S
GC
LM2670SX-ADJ
NS(國半)
LT8609AEMSE#TRPBF
LINEAR(凌特)
ADUC7024BSTZ62
ADI(亞德諾)
HMC988LP3ETR
ADI(亞德諾)
MBI5026GF
MBI(臺(tái)灣聚積)
MF-R010
Bourns(伯恩斯)
PIC16F1829-I/ML
Microchip(微芯)
SN74HC175DR
TI(德州儀器)
AD7874ARZ
ADI(亞德諾)
BL02RN2R1M2B
MURATA(村田)
CC10-2405SR-E
TDK-Lambda
IAUC41N06S5L100
Infineon(英飛凌)
MMSZ5260BT1G
ON(安森美)
NT5TU32M16FG-AC
Nanya Technology
NTMFS6H801NT1G
ON(安森美)
RNA51957BFP#H0
Renesas(瑞薩)
STM32F373CBT6
ST(意法)
PCA9538PWR
NXP(恩智浦)
PIC18F2620-I/SO
Microchip(微芯)
SC16IS750IPW
NXP(恩智浦)
ACNV2601-500E
Avago(安華高)
ADL5545ARKZ-R7
ADI(亞德諾)
ATF1502AS-10AU44
Atmel(愛特梅爾)
L78M10ABDT-TR
ST(意法)
M27C1001-12F1
ST(意法)
MIC5235YM5-TR
Micrel(麥瑞)
SI7469DP-T1-E3
Vishay(威世)
SN54LS245J
MOT(仁懋)
SN65LVDS048APWR
TI(德州儀器)
AD7940BRJZ-REEL7
ADI(亞德諾)
ADUM5028-5BRIZ
ADI(亞德諾)
BD9G101G-TR
Rohm(羅姆)
BSC011N03LS
Infineon(英飛凌)
BTT6100-2EKA
Infineon(英飛凌)
KTY82/110
Philips(飛利浦)
MCP39F511-E/MQ
Microchip(微芯)
74AC14SCX
ON(安森美)
IPB025N10N3G
Infineon(英飛凌)
OPA2369AIDGKR
TI(德州儀器)
SN74HC125PWR
TI(德州儀器)
20TQC100MYF
Panasonic(松下)
B340A
LITEON(臺(tái)灣光寶)
F280049CPZQR
TI(德州儀器)
MC9S12DG256VPVE
MOTOROLA(摩托羅拉)
NCP1014AP065G
ON(安森美)
NCP170ASN330T2G
ON(安森美)
SPX5205M5-L-5-0/TR
EXAR(艾科嘉)
ST26C31BDR
ST(意法)
74LCX125MTCX
Fairchild(飛兆/仙童)
BAR43FILM
ST(意法)
IRFL4315TRPBF
Vishay(威世)
L6566BTR
ST(意法)
MCP2562FD-E/SN
Microchip(微芯)
NCV4269AD250R2G
ON(安森美)
SHT30-DIS-B
Sensirion(瑞士盛思銳)
TPS3839K33DBZR
TI(德州儀器)
XC6SLX45-2FGG676C
XILINX(賽靈思)
3224W-1-202E
Bourns(伯恩斯)
ADS8505IBDWR
TI(德州儀器)
AT24C128C-SSHM-B
Atmel(愛特梅爾)
BSC109N10NS3G
Infineon(英飛凌)
EPM7064AETC44-10N
ALTERA(阿爾特拉)
OPA2379AIDCNR
TI(德州儀器)
STM32F100R4T6B
ST(意法)
TLV627432YFPR
TI(德州儀器)
TMP431DDGKR
TI(德州儀器)
ATSAMC21N18A-AN
Microchip(微芯)
BQ29209TDRBRQ1
TI(德州儀器)
CY7C65632-28LTXCT
Cypress(賽普拉斯)
M95040-WMN6TP
ST(意法)
MC9S08GT32ACFBE
Freescale(飛思卡爾)
RTL8201BL
REALTEK(瑞昱)
SN74HCT14PWR
TI(德州儀器)
TCA6507PWR
TI(德州儀器)
TPIC7218QPFPRQ1
TI(德州儀器)
ATXMEGA128A4U-CU
Atmel(愛特梅爾)
BCM5461SA1IPFG
Broadcom(博通)
BP5609
（BPS）上海晶豐明源
ITS4142NHUMA1
Infineon(英飛凌)
MCP3208T-CI/SL
Microchip(微芯)
MKL17Z128VFM4
NXP(恩智浦)
MS1022
PIC32MX470F512L-I/PF
Microchip(微芯)
TLE4945L
Infineon(英飛凌)
W83627DHG-PT
WINBOND(華邦)
WS2812B
worldsemi
XCZU9CG-2FFVC900I
XILINX(賽靈思)
APDS-9300-020
Avago(安華高)
FT230XS-U
FTDI(飛特帝亞)
HT82K629A
HOLTEK(合泰)
LT8301ES5#TRPBF
ADI(亞德諾)
MAG3110FCR1
MOTOROLA(摩托羅拉)
MSP430FR2355TPTR
TI(德州儀器)
NC7SZ11L6X
Freescale(飛思卡爾)
OPA827AIDGKR
Burr-Brown(TI)
PIC18F86K22-I/PT
Microchip(微芯)
W83627DHG
Nuvoton(新唐)
1812L075/33DR
Littelfuse(力特)
ADXL312WACPZ-RL
ADI(亞德諾)
AT49BV642D-70TU
Atmel(愛特梅爾)
AT89C51ED2-UM
Microchip(微芯)
CC6-2412DR-E
TDK(東電化)
GRM155R71H102KA01D
MURATA(村田)
K3LK4K40CM-BGCP
SAMSUNG(三星)
