FDP025N06的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱(chēng)
參數(shù)值
Source Content uid
FDP025N06
Brand Name
onsemi
是否無(wú)鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
4001118083
零件包裝代碼
TO-220-3
包裝說(shuō)明
TO-220, 3 PIN
制造商包裝代碼
340AT
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
17 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
6.91
Samacsys Description
MOSFET PowerTrench N-Ch 60V 265A TO220
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
5.1
雪崩能效等級(jí)（Eas）
2531 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
60 V
最大漏極電流 (ID)
120 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.0025 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類(lèi)型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
395 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
1060 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
FDP025N06場(chǎng)效應(yīng)管的特性與應(yīng)用研究
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）作為一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。FDP025N06是一種具有高效能和優(yōu)良特性的N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管，主要用于開(kāi)關(guān)電源和高頻開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)探討FDP025N06的工作原理、技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)合以及其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要性。
首先，F(xiàn)ET的基礎(chǔ)工作原理可以解釋為，電場(chǎng)的變化影響半導(dǎo)體材料中載流子的行為。在N溝道場(chǎng)效應(yīng)管中，輸入信號(hào)通過(guò)柵極電壓控制源極與漏極之間的電流。這種通過(guò)電場(chǎng)控制電流的特性使得FET在開(kāi)關(guān)電路和放大電路中表現(xiàn)出優(yōu)越的性能。FDP025N06采用了最新的制造技術(shù)，確保其在多種工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
FDP025N06場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性之一是其高開(kāi)關(guān)速度。這使得其在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中尤為重要，因?yàn)楦咝艿拈_(kāi)關(guān)器件可顯著提高能量轉(zhuǎn)化效率，降低能源的損耗。在開(kāi)關(guān)電源中，FDP025N06能夠在微秒級(jí)別內(nèi)實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)，進(jìn)而提升整個(gè)電源的轉(zhuǎn)換效率。
除了開(kāi)關(guān)速度，FDP025N06的導(dǎo)通電阻也極為關(guān)鍵。低導(dǎo)通電阻意味著在器件導(dǎo)通時(shí)所需的功耗更少，這對(duì)于各種應(yīng)用而言都是一個(gè)顯著的優(yōu)勢(shì)。根據(jù)其規(guī)格書(shū)，FDP025N06的最大導(dǎo)通電阻大約為0.025Ω。這種低阻抗有助于減小功率損耗，增加設(shè)備的整體效率，尤其是在要求高效率的直流-直流轉(zhuǎn)換器中。
在可靠性方面，FDP025N06的熱管理特性也是其一大亮點(diǎn)。該組件的最大結(jié)溫可達(dá)到175攝氏度，使得其在高溫環(huán)境中依舊能夠保持穩(wěn)定的工作性能。這對(duì)于工業(yè)應(yīng)用和汽車(chē)電子等領(lǐng)域，意味著該器件能夠在惡劣環(huán)境下正常工作而無(wú)須頻繁的維護(hù)和更換。這一點(diǎn)在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要特別考慮，因?yàn)樵诟邷叵鹿ぷ鞯脑O(shè)備會(huì)面臨更大的故障風(fēng)險(xiǎn)，而FDP025N06能減小這一風(fēng)險(xiǎn)。
對(duì)于FDP025N06的封裝形式，它采用了TO-220封裝，這種封裝相比于其他形式能夠提供更好的散熱效果。先進(jìn)的封裝技術(shù)可以讓電流以高效率通過(guò)，同時(shí)也為熱量的散發(fā)提供了便利。在實(shí)際應(yīng)用中，合理的散熱設(shè)計(jì)對(duì)于功率場(chǎng)效應(yīng)管的使用壽命至關(guān)重要，特別是在需要長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)運(yùn)行的場(chǎng)合。
FDP025N06的應(yīng)用場(chǎng)景非常廣泛。除了被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動(dòng)電路等領(lǐng)域外，它還在電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)及可再生能源系統(tǒng)中扮演著重要角色。在電動(dòng)汽車(chē)中，該場(chǎng)效應(yīng)管負(fù)責(zé)控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)車(chē)輛的加速與制動(dòng)。在智能電網(wǎng)中，FDP025N06用于轉(zhuǎn)換和調(diào)整能量流向，確保電力的高效傳遞和分配。同時(shí)，在可再生能源系統(tǒng)中，如太陽(yáng)能逆變器中，FDP025N06也展現(xiàn)出了出色的工作效率。
在現(xiàn)代電子技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，FDP025N06作為高性能的功率場(chǎng)效應(yīng)管，正在推動(dòng)電子產(chǎn)品向著更高效率、更小體積、更大集成度的方向發(fā)展。在當(dāng)前綠色能源和智能化技術(shù)的推動(dòng)下，FDP025N06的市場(chǎng)需求將持續(xù)增加，帶動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)研發(fā)的進(jìn)步。
此外，FDP025N06在配合其他電子元器件時(shí)也展現(xiàn)出了良好的兼容性。常見(jiàn)的與FDP025N06搭配使用的元器件包括柵極驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)二極管等。在設(shè)計(jì)時(shí)，通過(guò)合理搭配各種元器件，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的精確控制，確保系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行。
值得注意的是，盡管FDP025N06擁有許多優(yōu)越的性能，但在應(yīng)用中仍需考慮一些影響因素。例如，過(guò)大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓可能導(dǎo)致器件損壞，設(shè)計(jì)工程師在選擇和應(yīng)用FDP025N06時(shí)，必須仔細(xì)閱讀其手冊(cè)和規(guī)格，避免因使用不當(dāng)而導(dǎo)致的故障。
隨著技術(shù)的發(fā)展、市場(chǎng)的變化，FDP025N06的未來(lái)應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)需求將不斷演變。新興的技術(shù)如5G通信、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等將對(duì)功率場(chǎng)效應(yīng)管的性能和特性提出更高的要求。FDP025N06作為一款優(yōu)秀的場(chǎng)效應(yīng)管，必將在未來(lái)的電子設(shè)計(jì)中繼續(xù)發(fā)揮重要作用。隨著電源管理和能效優(yōu)化的需求日益迫切，高性能場(chǎng)效應(yīng)管的研發(fā)和應(yīng)用將會(huì)引發(fā)新的技術(shù)變革和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
通過(guò)深入理解和研究FDP025N06的特性、應(yīng)用及其在各個(gè)領(lǐng)域的影響，我們能夠更好地把握電子行業(yè)的發(fā)展脈動(dòng)，推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的創(chuàng)新和進(jìn)步。這不僅能促進(jìn)功率電子設(shè)備的更廣泛應(yīng)用，也為實(shí)現(xiàn)更高效能的電子產(chǎn)品積累了經(jīng)驗(yàn)和教訓(xùn)。在此過(guò)程中，FDP025N06作為一種代表性產(chǎn)品，將繼續(xù)在現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)中發(fā)揮不可或缺的作用。
FDP032N08
ON(安森美)
HIP4086ABZT
Intersil(英特矽爾)
ICSRC52128SFR
ICT
IPD70R900P7S
Infineon(英飛凌)
IR2155PBF
Infineon(英飛凌)
IS62C1024AL-35TLI
ISSI(美國(guó)芯成)
LP324MX/NOPB
TI(德州儀器)
M24512-DFMN6TP
ST(意法)
M29DW323DB70N6E
ST(意法)
MAX233ACWP+G36
Maxim(美信)
MC34161DMR2G
ON(安森美)
MCIMX6S5EVM10ACR
NXP(恩智浦)
MIC2127AYML-TR
Microchip(微芯)
MK40DX128VMD10
Freescale(飛思卡爾)
MPM3506AGQV-Z
MPS(美國(guó)芯源)
NC7S00P5X
ON(安森美)
NCP1200P100G
ON(安森美)
NCS1002DR2G
ON(安森美)
NCV7240ADPR2G
ON(安森美)
NDS352AP
Fairchild(飛兆/仙童)
NJM7805FA
JRC(日本無(wú)線(xiàn)電)
NRVBS260NT3G
ON(安森美)
NSV1C300ET4G
ON(安森美)
PCF8551BTT/AY
NXP(恩智浦)
PEX89144
PLX
RK805-2
RockChip(瑞芯微)
S912ZVC64F0CLF
NXP(恩智浦)
SAF-XC167CI-32F40F
Infineon(英飛凌)
SAK-TC399XP-256F300SBD
Infineon(英飛凌)
SC8906QFER
SOUTHCHIP(南芯)
SGM330A-YQS/TR
SGMICRO(圣邦微)
SI8900B-A01-GS
SILICON LABS(芯科)
SN74LV1T04DBVR
TI(德州儀器)
SQM70060EL_GE3
Vishay(威世)
STF22NM60N
ST(意法)
STM8L151C8T6TR
ST(意法)
STPS130A
ST(意法)
SX1255IWLTRT
Semtech(商升特)
TC7SH14FU
TOSHIBA(東芝)
TLV320AIC3106IRGZ
TI(德州儀器)
TMP468AIRGTT
TI(德州儀器)
TMS320F280049CPZS
TI(德州儀器)
TMUX1112PWR
TI(德州儀器)
TP1282L1-SR
3PEAK(思瑞浦)
TPS75701KTTR
TI(德州儀器)
TPSD337K006R0045
AVX(京瓷)
USB82512AMR-A-V01
Microchip(微芯)
WK2204-IQNG
XC7VX1140T-1FLG1930I
XILINX(賽靈思)
XCKU3P-1FFVB676E
XILINX(賽靈思)
1SG280LU2F50E2VG
INTEL(英特爾)
1SMB5932BT3G
ON(安森美)
24AA024-I/SN
Microchip(微芯)
6ED2230S12T
Infineon(英飛凌)
74279252
Wurth(伍爾特)
74HC153D
Philips(飛利浦)
824013
Wurth(伍爾特)
AD7714YRUZ
ADI(亞德諾)
AD9854ASTZ
ADI(亞德諾)
ADAU1361BCPZ
ADI(亞德諾)
ADS8684AIDBTR
TI(德州儀器)
ADUC7026BSTZ62
ADI(亞德諾)
ADV3201ASWZ
ADI(亞德諾)
AL8860MP-13
Diodes(美臺(tái))
ATMEGA645P-MU
Microchip(微芯)
ATTINY13A-MMU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
ATTINY3216-SZT-VAO
Microchip(微芯)
BCP52-16
Philips(飛利浦)
BSC252N10NSFG
Infineon(英飛凌)
BTS5120-2EKA
Infineon(英飛凌)
CH559L
WCH(南京沁恒)
CY7C2642KV18-333BZXC
Cypress(賽普拉斯)
EE-SX1041
OMRON(歐姆龍)
EP1C12Q24017N
ALTERA(阿爾特拉)
EP4CE10F17C7N
ALTERA(阿爾特拉)
FSGM0565RBWDTU
ON(安森美)
FX10A-168S-SV
Hirose(廣瀨電機(jī))
H9CCNNNBJTALAR-NVD
SK(海力士)
IPD50N04S3-08
Infineon(英飛凌)
LFXP2-17E-5QN208C
Lattice(萊迪斯)
LM46001PWP
TI(德州儀器)
LNK562PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LTC2413CGN#PBF
LINEAR(凌特)
LTC3404EMS8
LINEAR(凌特)
MAX16910CASA8/V+T
Maxim(美信)
MAX6029EUK41+T
Maxim(美信)
MCP1501T-18E/CHY
Microchip(微芯)
MCP1630T-E/MS
Microchip(微芯)
MCP3008-I/P
Microchip(微芯)
MCP6004T-E/SL
Microchip(微芯)
MCR100-6
ON(安森美)
MIC4680BM
MIC(昌福)
MK40DX256VMD10
Freescale(飛思卡爾)
MKL02Z16VFM4
NXP(恩智浦)
MM74C923WM
Freescale(飛思卡爾)
MPQ20056GJ-AEC1-Z
MPS(美國(guó)芯源)
MPX4100AP
Freescale(飛思卡爾)
MT7201C+
MT Microsystems
MX25L25735FZ2I-10G
Macronix International
MX66L1G45GXDI-10G
Macronix International
NAU88C14YG
Nuvoton(新唐)
NC7SZ374P6X
Fairchild(飛兆/仙童)
NSS20200LT1G
ON(安森美)
NT5TU128M8HE-AC
Nanya Technology
NTMFS5C646NLT1G
ON(安森美)
ONET1151LRGER
TI(德州儀器)
PIC16F1829-E/ML
Microchip(微芯)
PRN512M16V91AG8GPF-125
PTH08080WAD
TI(德州儀器)
R5F10BBGLNA
Renesas(瑞薩)
RTL9601D-VA3-CG
REALTEK(瑞昱)
S25FL032P0XMFA010
SPANSION(飛索)
S29GL512N11TFI020
SPANSION(飛索)
SARA-U201-03B-00
U-BLOX(優(yōu)北羅)
SC8F6790
SP3004-04XTG
Littelfuse(力特)
STM32L412KBT6
ST(意法)
STP03D200
ST(意法)
