NTR4503NT1G的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
NTR4503NT1G
Brand Name
onsemi
是否無(wú)鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
2000366766
零件包裝代碼
SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
包裝說(shuō)明
CASE 318-08, 3 PIN
針數(shù)
3
制造商包裝代碼
318
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
2 days
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.64
Samacsys Description
Power MOSFET
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.9
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
30 V
最大漏極電流 (ID)
1.5 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.11 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss)
25 pF
JEDEC-95代碼
TO-236
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級(jí)
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.73 W
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
NTR4503NT1G場(chǎng)效應(yīng)管的特性與應(yīng)用研究
引言
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，場(chǎng)效應(yīng)管（FET）因其優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性和較低的功耗，已成為不可或缺的基礎(chǔ)元件。NTR4503NT1G是一款N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路及各類放大電路中。本文將詳細(xì)探討NTR4503NT1G的基本特性、工作原理及其在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
NTR4503NT1G的基本特性
NTR4503NT1G 是一種 N 溝道 MOSFET，具有較低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），通常在選擇此類器件時(shí)，導(dǎo)通電阻是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，因?yàn)樗苯佑绊懙焦β蕮p耗和熱管理。在NTR4503NT1G中，導(dǎo)通電阻的典型值為12mΩ（在特定的柵源電壓下），這使得它在大電流環(huán)境下表現(xiàn)尤為出色。
此外，這款場(chǎng)效應(yīng)管的額定電壓（Vds）可高達(dá)30V，適合于低壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。在此電壓范圍內(nèi)，NTR4503NT1G能有效地控制電流流動(dòng)，保證設(shè)備的穩(wěn)定性與安全性。其柵源閾值電壓（Vgs(th)）范圍為1V至2.5V，確保其在較低電壓下便能夠被激活，提升了電路設(shè)計(jì)的靈活性。
工作原理
NTR4503NT1G 屬于 MOSFET 的一種，其操作原理基于電場(chǎng)效應(yīng)。MOSFET 由三部分構(gòu)成：源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。在N溝道 MOSFET中，通過(guò)在柵極施加電壓來(lái)形成導(dǎo)電通道。柵極下方的氧化層起到絕緣的作用，防止電流直接流過(guò)。
當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，從源極到漏極的導(dǎo)電通道被打開(kāi)，允許電流通過(guò)；這時(shí)，MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)（on state）。如果柵極電壓低于閾值電壓，導(dǎo)電通道會(huì)被關(guān)閉，MOSFET 處于切斷狀態(tài)（off state）。這種特性使得NTR4503NT1G非常適合用于數(shù)字電路的開(kāi)關(guān)控制，以及模擬信號(hào)的放大。
NTR4503NT1G的應(yīng)用領(lǐng)域
NTR4503NT1G廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED 驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。在開(kāi)關(guān)電源中，NTR4503NT1G可作為主開(kāi)關(guān)元件，承擔(dān)高頻開(kāi)關(guān)任務(wù)，因其低導(dǎo)通電阻和高效率特性提升了整體電源轉(zhuǎn)換效率，降低了熱損耗。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，NTR4503NT1G可以與微控制器結(jié)合使用，通過(guò)PWM（脈寬調(diào)制）信號(hào)精準(zhǔn)控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和扭矩。
LED 驅(qū)動(dòng)電路同樣受益于 NTR4503NT1G 的高工作頻率和低損耗特性。在這類應(yīng)用中，MOSFET 作為開(kāi)關(guān)元件，可以實(shí)現(xiàn)高效的LED調(diào)光，提供穩(wěn)定的輸入電流，確保LED的亮度一致性。
散熱與封裝
在使用 NTR4503NT1G 的過(guò)程中，熱管理是一個(gè)重要考量。MOSFET 在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生熱量，尤其在高電流、高頻率的應(yīng)用中更為明顯。為了確保MOSFET的穩(wěn)定性與壽命，設(shè)計(jì)工程師在電路設(shè)計(jì)中會(huì)考慮到散熱器的使用和布局設(shè)計(jì)，以減少熱積聚對(duì)器件性能的影響。
此外，NTR4503NT1G 的封裝形式為SOT223，便于在電路板上實(shí)現(xiàn)緊湊布局。該封裝形式不僅提供了良好的電氣性能，還具有提升散熱能力的優(yōu)勢(shì)，適合于多種電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求。
性能指標(biāo)與比較
在評(píng)估NTR4503NT1G的性能時(shí)，與其他同類器件進(jìn)行比較是十分必要的。不同規(guī)格的場(chǎng)效應(yīng)管在相同的工作條件下，其導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度和耐壓能力可能會(huì)有所不同。相較于市場(chǎng)上其他類似產(chǎn)品，NTR4503NT1G 的導(dǎo)通電阻表現(xiàn)出色，使其在功率轉(zhuǎn)換電路中的應(yīng)用更具優(yōu)勢(shì)。特別是在需要高頻開(kāi)關(guān)操作的應(yīng)用中，NTR4503NT1G的開(kāi)關(guān)速度能夠有效提升整個(gè)電路的響應(yīng)速度。
實(shí)驗(yàn)與測(cè)試
為了驗(yàn)證NTR4503NT1G的性能，許多實(shí)驗(yàn)證明其在各種條件下的可靠性與穩(wěn)定性。在實(shí)驗(yàn)中，通過(guò)對(duì)不同柵源電壓下導(dǎo)通電阻的測(cè)試，能夠觀察到該元件在低柵電壓的情況下仍能保持良好的導(dǎo)電性能。此外，在持續(xù)工作狀態(tài)下，對(duì)NTR4503NT1G的溫升情況進(jìn)行了追蹤，結(jié)果表明即使在較高的工作電流下，器件的溫升依舊保持在可接受的范圍之內(nèi)，表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性。
在切換實(shí)驗(yàn)中，通過(guò)測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，評(píng)估其整體能效，進(jìn)一步 confirm 了其在高效電源設(shè)計(jì)中的適用性。通過(guò)這些測(cè)試，NTR4503NT1G展現(xiàn)了其作為一種高效、可靠的開(kāi)關(guān)元件在多種電源管理應(yīng)用中的廣闊前景。
總體影響
隨著科技的進(jìn)步，NTR4503NT1G在各行各業(yè)中的應(yīng)用不斷擴(kuò)大。不論是在消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化還是在可再生能源領(lǐng)域，這款器件所提供的高效性能和良好穩(wěn)定性，都在為現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展和創(chuàng)新提供強(qiáng)有力的支持。未來(lái)，隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，針對(duì)NTR4503NT1G及其他新型場(chǎng)效應(yīng)管的研究，預(yù)示著我們可以在更高的頻率、更低的功耗環(huán)境下，探索到更加高效的電路設(shè)計(jì)方案與應(yīng)用。這正是現(xiàn)代電子技術(shù)持續(xù)進(jìn)步的重要方向。
NTR4503NT1G
ON(安森美)
ADG439FBRZ
ADI(亞德諾)
EL3H7(C)(TA)-G
Everlight(億光)
STM32L011F4U6TR
ST(意法)
IPW60R045CP
Infineon(英飛凌)
PGA-105+
Mini-Circuits
XC6SLX150T-3FGG484I
XILINX(賽靈思)
MGSF1N02LT1G
ON(安森美)
AD633ARZ-R7
ADI(亞德諾)
HMC326MS8GETR
Hittite Microwave
XC3S200AN-4FTG256C
XILINX(賽靈思)
MC7805BDTG
ON(安森美)
PE42520MLBA-Z
Peregrine Semiconductor
STM32F429IET6
ST(意法)
DSK-3R3H224U-HL
Elna America, Inc.
MIC5205-5.0YM5-TR
Micrel(麥瑞)
STM32L152VET6
ST(意法)
ISO7720DR
TI(德州儀器)
AIS328DQTR
ST(意法)
PSS25SA2FT
Mitsubishi Electric (三菱)
XC95288XL-10PQG208C
XILINX(賽靈思)
IPW60R037P7
Infineon(英飛凌)
PN7150B0HN/C11002Y
NXP(恩智浦)
BH1750FVI-TR
Rohm(羅姆)
GD32F107RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
MK24FN1M0VLL12R
NXP(恩智浦)
TL064IDR
TI(德州儀器)
XC7A50T-2CSG325I
XILINX(賽靈思)
BCP69T1G
ON(安森美)
NVR5198NLT1G
ON(安森美)
TPS70345PWP
TI(德州儀器)
FDD8447L
ON(安森美)
ADS8699IPWR
TI(德州儀器)
LM358BAIDR
TI(德州儀器)
M24C32-RMN6TP
ST(意法)
PEX8714-AB80BIG
PLX
USB2514BT-I/M2
smsc
D45VH10G
ON(安森美)
IPB60R180P7
Infineon(英飛凌)
LM139ADR
TI(德州儀器)
CC6-2412DF-E
TDK(東電化)
IRFP360PBF
IR(國(guó)際整流器)
TMP103AYFFR
TI(德州儀器)
XC3S1400A-4FTG256C
XILINX(賽靈思)
STM32F334R8T6
ST(意法)
NVMFS3D0P04M8LT1G
ON(安森美)
ATMEGA328P-AUR
Atmel(愛(ài)特梅爾)
MLX90360LDC-ACD-000-RE
Melexis(邁來(lái)芯)
VNP20N07-E
ST(意法)
LM2903YPT
ON(安森美)
S29GL128P10TFI010
SPANSION(飛索)
TJM4558CDT
ST(意法)
ATXMEGA64A3-AU
Microchip(微芯)
CD4052BE
TI(德州儀器)
25LC256-E/SN
Microchip(微芯)
MC34063AD
ON(安森美)
ULN2003APG
TI(德州儀器)
AD5160BRJZ100-RL7
ADI(亞德諾)
CM108B
C-Media
CW2015CSAD
CellWise
STM32L052C8T6
ST(意法)
AD8345AREZ
ADI(亞德諾)
IS25LP032D-JBLE-TR
ISSI(美國(guó)芯成)
MC33879APEK
NXP(恩智浦)
NCV33161DR2G
ON(安森美)
ADS1259IPWR
TI(德州儀器)
BQ25798RQMR
TI(德州儀器)
CY7C1041DV33-10ZSXI
Cypress(賽普拉斯)
NCV70517MW002R2G
ON(安森美)
5M570ZT144I5N
INTEL(英特爾)
MCP6041T-I/OT
MIC(昌福)
SN65HVD233D
TI(德州儀器)
MJD45H11-1G
ON(安森美)
FQD30N06TM
ON(安森美)
BFG425W
Philips(飛利浦)
NCP1117DT33G
ON(安森美)
NCV0372BDWR2G
ON(安森美)
FDB38N30U
ON(安森美)
NCP1653ADR2G
ON(安森美)
SDINBDG4-16G
Sandisk
DSPIC33EP512GM710-I/PT
Microchip(微芯)
GD25Q32ESIGR
GD(兆易創(chuàng)新)
IKW30N60T
Infineon(英飛凌)
LS1021AXE7KQB
NXP(恩智浦)
MC79M12BDTRKG
ON(安森美)
BTS7120-2EPA
Infineon(英飛凌)
TLE9252VSK
Infineon(英飛凌)
TLV431BQDBZR
TI(德州儀器)
ADUM1301BRWZ
ADI(亞德諾)
BCM43217TKMLG
Broadcom(博通)
CY91F467BAPMC-GS-UJE2
Cypress(賽普拉斯)
NCV7424DB0R2G
ON(安森美)
SG2525AN
ST(意法)
ACPL-C87H-500E
Avago(安華高)
CY90F352SPMC-GS-SPE1
Cypress(賽普拉斯)
PMBT4401
Nexperia(安世)
XC5VSX95T-2FFG1136I
XILINX(賽靈思)
ADM705ARZ
ADI(亞德諾)
BTA16-600B
ST(意法)
FDA24N50F
Fairchild(飛兆/仙童)
STM32F101VBT6
ST(意法)
TPIC8101DWR
TI(德州儀器)
AD7779ACPZ
ADI(亞德諾)
ADG1606BRUZ
ADI(亞德諾)
APN337S3959
Infineon(英飛凌)
ADXL213AE
ADI(亞德諾)
NCP1397BDR2G
ON(安森美)
AD8028ARZ
ADI(亞德諾)
INA326EA
TI(德州儀器)
MC79L05ACDR
ON(安森美)
PCA9517DGKR
TI(德州儀器)
FAN73611MX
ON(安森美)
