FDB110N15A 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
FDB110N15A
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
4001118236
零件包裝代碼
D2PAK-3 / TO-263-2
包裝說明
D2PAK-3
制造商包裝代碼
418AJ
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China, Malaysia
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
53 weeks 5 days
風(fēng)險等級
1.59
Samacsys Description
N-Channel MOSFET, 92 A, 150 V, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor FDB110N15A
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.12
雪崩能效等級（Eas）
365 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
150 V
最大漏極電流 (ID)
92 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.011 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-263AB
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
245
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
234 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
369 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
FDB110N15A場效應(yīng)管的特性及應(yīng)用
引言
場效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）是一種以電場來控制電流的一種三端器件。它在數(shù)字電路、模擬電路以及射頻電路等多個領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。FDB110N15A是一款具有優(yōu)良性能的N溝道增強型場效應(yīng)管，廣泛用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等電源管理應(yīng)用中。本文將深入探討FDB110N15A的特性、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域及其相關(guān)參數(shù)。
FDB110N15A的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
FDB110N15A作為N溝道場效應(yīng)管，具有三個主要端口：源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。其基本結(jié)構(gòu)由兩種類型的半導(dǎo)體材料組成：N型材料和P型材料。具體而言，N溝道FET的源極和漏極為N型半導(dǎo)體，而柵極通常由導(dǎo)電的金屬或摻雜的多晶硅制成。
當(dāng)柵極施加一個正電壓時，會在柵下方的N型材料表面形成一個電勢阱，使進(jìn)行導(dǎo)電的電子在這一區(qū)域內(nèi)集聚，從而在源極和漏極之間形成一個導(dǎo)電通道。電流的大小取決于柵電壓的強弱。與雙極型晶體管不同，場效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，幾乎不需要驅(qū)動電流，從而在許多電路中能夠與其他器件實現(xiàn)高效耦合。
FDB110N15A的關(guān)鍵參數(shù)
FDB110N15A的主要電氣特性包括：漏極-源極擊穿電壓（V_ds）、最大漏極電流（I_d）、柵極閾值電壓（V_gs(th)）、輸入電壓（V_gs）以及輸出特性等。
1. 漏極-源極擊穿電壓（V_ds）：這個參數(shù)決定了場效應(yīng)管在正常工作條件下能夠承受的最大電壓。FDB110N15A的V_ds可達(dá)150V，適合高壓應(yīng)用。
2. 最大漏極電流（I_d）：這一參數(shù)反映了場效應(yīng)管在工作時能夠承受的最大電流。FDB110N15A的I_d可達(dá)110A，這使其能夠處理大電流應(yīng)用。
3. 柵極閾值電壓（V_gs(th)）：此值通常在1V到3V之間，決定了柵極何時開始導(dǎo)通。良好的柵極閾值使得FDB110N15A能夠在低電壓條件下高效工作。
4. 輸入電阻和輸出特性：由于輸入阻抗非常高，FDB110N15A能夠有效降低對前端電路的負(fù)荷。同時，它的輸出特性良好，能夠在多種工作條件下保持穩(wěn)定的輸出電流。
FDB110N15A的應(yīng)用領(lǐng)域
由于其高性能特性，FDB110N15A廣泛應(yīng)用于諸多領(lǐng)域，包括但不限于以下幾種應(yīng)用：
1. 開關(guān)電源：FDB110N15A常見于AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中，用于實現(xiàn)高效能的功率轉(zhuǎn)換。高電流承載能力使其能夠滿足大功率電源的需求。
2. 電機驅(qū)動：在電機控制領(lǐng)域，FDB110N15A的高效開關(guān)特性以及承受高電壓和電流的能力使其成為理想的選擇。無論是在伺服電機還是步進(jìn)電機的驅(qū)動中，這種場效應(yīng)管都能夠提供優(yōu)越的性能。
3. 電池管理：在電池管理系統(tǒng)中，FDB110N15A可用于充電和放電過程中，實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和監(jiān)控，保證電池的安全與壽命。
4. 照明控制：在LED驅(qū)動電源中，FDB110N15A因其快速的開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻，被廣泛用作開關(guān)元件，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
5. 電源管理芯片：FDB110N15A也常與其他集成電路結(jié)合，形成更復(fù)雜的電源管理解決方案，在各種消費電子產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。
結(jié)論
FDB110N15A憑借其優(yōu)越的特性與廣泛的應(yīng)用前景，在現(xiàn)代電子技術(shù)中扮演著重要的角色。隨著電子器件向高效率、小型化、高功率密度發(fā)展的趨勢，FDB110N15A在未來的電力電子學(xué)中仍將發(fā)揮越來越重要的作用。
FDB110N15A
Freescale(飛思卡爾)
IS62WV51216HBLL-45TLI
ISSI(美國芯成)
LM2663MX/NOPB
TI(德州儀器)
LTC2486IDE#PBF
LINEAR(凌特)
SI52112-B6-GTR
SILICON LABS(芯科)
TJA1044T/1Z
ANPEC(茂達(dá)電子)
XC7A200T-1FBG676C
XILINX(賽靈思)
ADT7302ARTZ-REEL7
ADI(亞德諾)
SI2309CDS-T1-E3
Vishay(威世)
TPD2E009DBZR
TI(德州儀器)
XC2S50-5PQG208I
XILINX(賽靈思)
CC3235SM2RGKR
TI(德州儀器)
HMC624LP4ETR
Hittite Microwave
L6387ED013TR
ST(意法)
LT1367CS#PBF
ADI(亞德諾)
MURS160-13-F
ON(安森美)
TCAN1051VDRBRQ1
TI(德州儀器)
AD811ANZ
ADI(亞德諾)
AMC1200STDUBRQ1
TI(德州儀器)
LTM8024EY#PBF
LINEAR(凌特)
SN74HC08N
TI(德州儀器)
TLV70028DDCR
TI(德州儀器)
AD9252ABCPZ-50
ADI(亞德諾)
HMC510LP5ETR
ADI(亞德諾)
LT3580EMS8E#TRPBF
ADI(亞德諾)
MIC7300YM5-TR
Micrel(麥瑞)
PIC16LF1828-I/SS
Microchip(微芯)
ACS71240LLCBTR-010B3
ALLEGRO(美國埃戈羅)
AMMC-2008-W10
Avago(安華高)
L4931CD33-TR
ST(意法)
LMV393IDGKR
TI(德州儀器)
MCP2515-E/SO
MIC(昌福)
SIR610DP-T1-RE3
Vishay(威世)
TC4427COA713
MIC(昌福)
XC2S100-5TQG144I
XILINX(賽靈思)
1909763-1
TE(泰科)
74ALVC164245DGG:11
NXP(恩智浦)
ADA4941-1YRZ-R7
ADI(亞德諾)
ATSAMHA1G16A-MBT-BVAO
Microchip(微芯)
BSP315PH6327
Infineon(英飛凌)
CD4098BM96
TI(德州儀器)
EPM7128STC100-10N
ALTERA(阿爾特拉)
LT3480EMSE#TRPBF
LINEAR(凌特)
MMSZ4686T1G
ON(安森美)
NCV84160DR2G
ON(安森美)
SGM42630YPTS28G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SN74LV1T08DBVR
TI(德州儀器)
STC15F2K60S2-28I-LQFP44
STC(宏晶)
TLC2274AQPWRQ1
TI(德州儀器)
TLC272BIDR
TI(德州儀器)
AD797ARZ-REEL7
ADI(亞德諾)
TPS62232DRYR
TI(德州儀器)
AEDR-8500-102
Avago(安華高)
AZ431AZ-ATRE1
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
BSP135H6327
Infineon(英飛凌)
LP38851MRX-ADJ/NOPB
TI(德州儀器)
LT1964IDD#TRPBF
LINEAR(凌特)
SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay(威世)
SIT1042T/3
SIT(芯力特)
1-1469491-2
TE(泰科)
C8051F023-GQR
SILICON LABS(芯科)
SGT60N60FD1PN
SILAN(士蘭微電子)
SUD19P06-60-GE3
Vishay(威世)
TL032CDR
TI(德州儀器)
TPS3813J25DBVR
TI(德州儀器)
TPS3823-33QDBVRQ1
TI(德州儀器)
UCC28730QDRQ1
TI(德州儀器)
AD8032ARMZ-REEL7
ADI(亞德諾)
AT32F403ACGU7
BTS7012-1EPA
Infineon(英飛凌)
DMP3068L-7
Diodes(美臺)
FDN339AN
ON(安森美)
IRFR3710ZTRPBF
IR(國際整流器)
LM2901MX/NOPB
TI(德州儀器)
MCP6292T-E/MS
Microchip(微芯)
MIC5233-5.0YM5-TR
Microchip(微芯)
MJD127T4
ON(安森美)
MT28EW256ABA1LJS-0SIT
micron(鎂光)
OPA134UA/2K5
Burr-Brown(TI)
PCA9536DP
NXP(恩智浦)
QX9920
泉芯
SN74LS123DR
TI(德州儀器)
SN74LVC3G14DCTR
TI(德州儀器)
TC4427AVOA713
MIC(昌福)
TCA9534APWR
TI(德州儀器)
TP75176E-SR
3PEAK(思瑞浦)
TPS79501DCQR
TI(德州儀器)
VS-12CWQ06FNTR-M3
Vishay(威世)
ADP5073ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
BLM21AG601SN1D
MURATA(村田)
CY7C68013A-128AXI
Cypress(賽普拉斯)
E52281A97D
IRS2005STRPBF
IR(國際整流器)
LM399H#PBF
LINEAR(凌特)
LMC555IMX/NOPB
TI(德州儀器)
MPQ4570GF-AEC1-Z
MPS(美國芯源)
MRF24J40MA-I/RM
MIC(昌福)
MT41J256M8HX-15E:D
micron(鎂光)
MUR1540G
ON(安森美)
STM32F469IIH6
ST(意法)
1-2199119-5
TE(泰科)
2N2219A
ST(意法)
BSL606SNH6327
Infineon(英飛凌)
BTS5020-2EKA
Infineon(英飛凌)
EPF6016QC208-3N
ALTERA(阿爾特拉)
FDMS86181
ON(安森美)
MAX3222EIPWR
TI(德州儀器)
MC78M12CDTG
ON(安森美)
MX25L25673GZ4I-08G
MXIC(旺宏)
OP2177ARZ-REEL
ADI(亞德諾)
S9S08EL32F1MTL
Freescale(飛思卡爾)
TCA9554APWR
TI(德州儀器)
TLP621GB
TOSHIBA(東芝)
TLV9054IPWR
TI(德州儀器)
742792641
Wurth(伍爾特)
ABS25-32.768KHZ-6-T
ABRACON
AT25512-TH-T
Atmel(愛特梅爾)
AT90USB162-16MU
Microchip(微芯)
FAN6248HDMX
ON(安森美)
FF900R12IP4
Infineon(英飛凌)
HMC490LP5E
Hittite Microwave
KF33BD-TR
ST(意法)
LTC1408IUH#PBF
LINEAR(凌特)
MMPF0100F1AEP
NXP(恩智浦)
NCP1117LPST50T3G
ON(安森美)
NX5P3090UKZ
NXP(恩智浦)
PE42462A-X
Peregrine Semiconductor
SST26VF016BT-104I/SN
Microchip(微芯)
TIP122G
ON(安森美)
AT27C4096-90PU
Microchip(微芯)
HT7333-A
HOLTEK(合泰)
LPC1764FBD100
NXP(恩智浦)
LT1931IS5#TRPBF
LINEAR(凌特)
MLX90614ESF-DCI-000-TU
Melexis(邁來芯)
NCS199A1RSQT2G
ON(安森美)
SI2323DS-T1-GE3
Vishay(威世)
TPS61193PWPR
TI(德州儀器)
