BTS3104SDRATMA1的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
BTS3104SDRATMA1
是否無鉛
含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1299749664
零件包裝代碼
TO-252
包裝說明
TO-252,
針數(shù)
4
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.29.00.95
Factory Lead Time
8 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
1.58
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2024-08-19 08:32:55
YTEOL
7.3
內(nèi)置保護(hù)
TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成電路類型
BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代碼
R-PSSO-G3
JESD-609代碼
e3
長(zhǎng)度
6.5 mm
濕度敏感等級(jí)
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
標(biāo)稱輸出峰值電流
2.5 A
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
TO-252
封裝等效代碼
SMSIP3H,.38,90TB
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
2.35 mm
最大供電電壓
10 V
最小供電電壓
2 V
標(biāo)稱供電電壓
5 V
表面貼裝
YES
溫度等級(jí)
INDUSTRIAL
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
2.28 mm
端子位置
SINGLE
斷開時(shí)間
200 µs
接通時(shí)間
120 µs
寬度
6.22 mm
BTS3104SDRATMA1模擬開關(guān)芯片研究
引言
現(xiàn)代電子設(shè)備的快速發(fā)展對(duì)各種關(guān)鍵元件的性能提出了越來越高的要求，尤其是在模擬信號(hào)處理領(lǐng)域。模擬開關(guān)作為一種重要的組件，廣泛應(yīng)用于音頻設(shè)備、視頻設(shè)備以及其他多媒體電子產(chǎn)品中。BTS3104SDRATMA1是一款性能優(yōu)越的模擬開關(guān)芯片，其設(shè)計(jì)理念與應(yīng)用方法在當(dāng)前技術(shù)環(huán)境中顯得尤為重要。本文將深入探討BTS3104SDRATMA1模擬開關(guān)芯片的功能特性、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域及其在技術(shù)發(fā)展的背景下的意義。
BTS3104SDRATMA1的功能特性
BTS3104SDRATMA1模擬開關(guān)芯片具備多個(gè)突出的功能特性，使其在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中成為理想的選擇。首先，該芯片支持雙通道的信號(hào)切換，允許用戶在多條信號(hào)線路之間進(jìn)行選擇。這一特性特別適用于要求快速切換信號(hào)源的場(chǎng)合，如音頻系統(tǒng)中的輸入切換。其次，BTS3104SDRATMA1具有較低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低信號(hào)傳輸中的損耗，提高信號(hào)的傳輸質(zhì)量。此外，該芯片還具備寬廣的工作電壓范圍，通常在3V至15V之間，這使得其可以適用于多種電源環(huán)境，提升了產(chǎn)品的通用性。
在保護(hù)機(jī)制方面，BTS3104SDRATMA1內(nèi)置了多種保護(hù)功能，包括過流保護(hù)、過熱保護(hù)和靜電防護(hù)。通過這些保護(hù)措施，芯片在極端條件下仍能夠保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)，延長(zhǎng)其使用壽命。這些功能特性使得BTS3104SDRATMA1在面對(duì)復(fù)雜的應(yīng)用需求時(shí)，依然能夠表現(xiàn)出色。
工作原理
BTS3104SDRATMA1模擬開關(guān)芯片采用了先進(jìn)的CMOS技術(shù)，確保了其在信號(hào)切換過程中的高效率與低功耗。芯片的工作原理主要基于電壓控制的開關(guān)操作。當(dāng)控制端輸入一定電壓信號(hào)時(shí)，芯片內(nèi)部的開關(guān)元件便會(huì)被激勵(lì)，允許信號(hào)通過；反之，當(dāng)控制信號(hào)為低電平時(shí)，開關(guān)將被斷開，阻止信號(hào)流動(dòng)。
在實(shí)際操作中，模擬開關(guān)的開關(guān)時(shí)間是一個(gè)重要參數(shù)。BTS3104SDRATMA1的開關(guān)時(shí)間極短，通常在微秒級(jí)別，這使得其能夠快速響應(yīng)信號(hào)的變化。這一特性在需要頻繁切換的應(yīng)用場(chǎng)景中尤為關(guān)鍵，例如在音頻混音器和視頻切換器中。此外，該芯片的控制邏輯設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)者在實(shí)施時(shí)無需額外的復(fù)雜電路，降低了整體設(shè)計(jì)成本。
應(yīng)用領(lǐng)域
鑒于BTS3104SDRATMA1的出色性能特點(diǎn)，該芯片被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。在消費(fèi)電子產(chǎn)品中，尤其是在高保真音響設(shè)備和功率放大器中，BTS3104SDRATMA1能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量的信號(hào)切換，得到消費(fèi)者的認(rèn)可。在智能家居系統(tǒng)中，該芯片用于控制各種傳感器和設(shè)備之間的信號(hào)傳遞，提升了系統(tǒng)的智能化程度。
除了消費(fèi)電子領(lǐng)域，BTS3104SDRATMA1也在工業(yè)自動(dòng)化環(huán)境中發(fā)揮著重要作用。工業(yè)控制系統(tǒng)中往往需要在不同傳感器和執(zhí)行器之間進(jìn)行高效信號(hào)傳遞，BTS3104SDRATMA1的應(yīng)用能夠確保數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)傳輸，從而提高工作的效率。
另外，在醫(yī)療設(shè)備中，BTS3104SDRATMA1同樣展現(xiàn)出了卓越的性能。各種生命體征監(jiān)測(cè)儀器和醫(yī)療成像設(shè)備中需要高精度的信號(hào)開關(guān)，以確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與可靠性。BTS3104SDRATMA1在這些應(yīng)用中的表現(xiàn)非常出色，有助于提高醫(yī)療診斷的準(zhǔn)確性。
技術(shù)背景與發(fā)展
BTS3104SDRATMA1的設(shè)計(jì)與發(fā)展是為了適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備日趨嚴(yán)格的性能要求。隨著電子產(chǎn)品向著更小型化、集成化和智能化的發(fā)展趨勢(shì)，模擬開關(guān)作為連接與控制重要信號(hào)的關(guān)鍵元件，其設(shè)計(jì)技術(shù)也不斷演進(jìn)。當(dāng)前市場(chǎng)上的多種模擬開關(guān)芯片，如BTS3104SDRATMA1，采用了先進(jìn)的材料和工藝，以提高其電氣性能與耐用性。
近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能家居的迅猛發(fā)展，對(duì)高性能模擬開關(guān)的需求不斷增加。傳統(tǒng)的模擬開關(guān)芯片往往無法滿足這些新應(yīng)用情境中對(duì)功耗、響應(yīng)時(shí)間及穩(wěn)定性的苛刻要求，促使了新一代模擬開關(guān)芯片的研發(fā)與應(yīng)用。而BTS3104SDRATMA1正是這種時(shí)代背景下的產(chǎn)物，其誕生不僅滿足了市場(chǎng)需求，也推動(dòng)了相關(guān)技術(shù)的創(chuàng)新。
在未來，隨著電子行業(yè)的持續(xù)發(fā)展與技術(shù)的進(jìn)步，BTS3104SDRATMA1等模擬開關(guān)芯片的設(shè)計(jì)將會(huì)更加注重性能的多樣性及適應(yīng)性，進(jìn)一步拓寬其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。同時(shí)，隨著智能硬件的不斷普及，對(duì)模擬開關(guān)的挑戰(zhàn)也將不斷顯現(xiàn)，迫使研發(fā)人員持續(xù)提升產(chǎn)品的性能指標(biāo)，以保持在技術(shù)前沿的競(jìng)爭(zhēng)力。
BTS3104SDRATMA1
Infineon(英飛凌)
LC709203FXE-01MH
ON(安森美)
LM4041DIM3-1.2/NOPB
TI(德州儀器)
LMR14020SQDDARQ1
TI(德州儀器)
MM3280J05NRH
MITSUMI(美上美)
N25Q128A13EF8A0F
micron(鎂光)
PIC18F2520-I/ML
Microchip(微芯)
SN65LBC172A16DWR
TI(德州儀器)
SN74LVC1G57DCKR
TI(德州儀器)
SP706REN-L/TR
SIPEX(西伯斯)
ST1S12GR
ST(意法)
STM8AF6246TDSSSX
ST(意法)
XC7S15-1FTGB196I
XILINX(賽靈思)
FCP067N65S3
ON(安森美)
LP2980IM5X-5.0/NOPB
TI(德州儀器)
LQP15MN3N9B02D
MURATA(村田)
MK22FX512AVLQ12
NXP(恩智浦)
RB160M-60TR
Rohm(羅姆)
SM05.TCT
Semtech(商升特)
SN74AHC16244DGGR
TI(德州儀器)
TLV9302IDR
TI(德州儀器)
TX2-12V
Panasonic(松下)
UC2843AD8TR
TI(德州儀器)
1206L020YR
Littelfuse(力特)
AD9859YSVZ
ADI(亞德諾)
AM3357BZCZD60
TI(德州儀器)
AMC1300BQDWVRQ1
TI(德州儀器)
CM1000DU-34NF
Mitsubishi Electric (三菱)
DRV8833CRTER
TI(德州儀器)
FCH041N60E
ON(安森美)
FDMF6823C
ON(安森美)
GRM21BR60J476ME15L
MURATA(村田)
L6472HTR
ST(意法)
M25PE40-VMN6TP
ST(意法)
M95128-RDW6TP
ST(意法)
MAX3362EKA+T
Maxim(美信)
MAX809MTRG
Maxim(美信)
MCP3201T-CI/SN
Micrel(麥瑞)
NCV4276CDT50RKG
ON(安森美)
PSS30S71F6
Mitsubishi Electric (三菱)
SN74HC393DR
TI(德州儀器)
STTH108A
ST(意法)
STTH310S
ST(意法)
TDA2005R
ST(意法)
TL16C752DPFBRQ1
TI(德州儀器)
ACS70331EESATR-2P5U3
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
AD8314ACPZ-RL7
ADI(亞德諾)
AIP650EO
DP83867IRRGZT
TI(德州儀器)
DS75S+T&R
Maxim(美信)
FS32K146HAT0VLLT
NXP(恩智浦)
KP-1608SURC
Kingbright(今臺(tái)電子)
LD1117AS12TR
ST(意法)
LT3029EMSE#TRPBF
ADI(亞德諾)
MAAVSS0006TR-3000
L-com
MAX1968EUI+T
Maxim(美信)
SGM3209YS8G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SKQGABE010
Alps Electric
VIPER27LDTR
ST(意法)
5PB1104PGGI8
Renesas(瑞薩)
AD8170ARZ
ADI(亞德諾)
ADF7021BCPZ-RL7
ADI(亞德諾)
ADUM162N0BRZ
ADI(亞德諾)
BAS70-04-7-F
Diodes(美臺(tái))
BTS5215LAUMA1
Infineon(英飛凌)
DAC7513E/2K5
Burr-Brown(TI)
FDS6990AS
Freescale(飛思卡爾)
HSMH-C190
Avago(安華高)
IPW65R110CFD
Infineon(英飛凌)
ISO1042BQDWRQ1
TI(德州儀器)
LM317MABDTG
ON(安森美)
ME6210A33PG
MICRONE(南京微盟)
MOC3052SR2M
Freescale(飛思卡爾)
MPC8321CVRAFDCA
NXP(恩智浦)
OPA2192IDGKT
TI(德州儀器)
SRV05-4ATCT
TECH PUBLIC(臺(tái)舟)
STD30NF06LT4
ST(意法)
TJA1028TK/3V3/20/1
NXP(恩智浦)
TLE7184F
Infineon(英飛凌)
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TI(德州儀器)
XC6SLX75-2FGG676C
XILINX(賽靈思)
1N5333BG
Vishay(威世)
24AA256T-I/ST
Microchip(微芯)
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ATTINY261A-SU
Atmel(愛特梅爾)
BGX50AE6327HTSA1
Infineon(英飛凌)
BQ24104RHLR
TI(德州儀器)
BSC059N04LS6
Infineon(英飛凌)
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TI(德州儀器)
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ESP8266MOD
Ai-Thinker(安信可)
ITS428L2ATMA1
Infineon(英飛凌)
LT7911D
Lontium(龍迅)
MJD127
ON(安森美)
NCP308SNADJT1G
ON(安森美)
OPA2369AIDCNR
TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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Nexperia(安世)
PESD5V0V1BB
Nexperia(安世)
SN74ALVC125PWR
TI(德州儀器)
SZMM5Z5V6T1G
ON(安森美)
TM1640B
TM(天微)
TPS2500DRCR
TI(德州儀器)
TPS2561AQDRCRQ1
TI(德州儀器)
VNI4140KTR-32
ST(意法)
XC6SLX45-3FGG676I
XILINX(賽靈思)
ADP223ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
B330A-13-F
Diodes(美臺(tái))
CA91C142D-33IE
IDT(Renesas收購)
CS5340-CZZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
DMP6185SE-13
Diodes(美臺(tái))
DSPIC33FJ64GS610-I/PT
Microchip(微芯)
ESD7L5.0DT5G
ON(安森美)
FQA70N15
Freescale(飛思卡爾)
HY57V561620FTP-H
HOOYI(西安后羿)
INA180A3QDBVRQ1
TI(德州儀器)
LT3995IMSE#TRPBF
ADI(亞德諾)
MCP2120T-I/SL
Microchip(微芯)
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
micron(鎂光)
NDT456P
ON(安森美)
R5F3650TDFB#30
Renesas(瑞薩)
RFSA2033TR7
Qorvo(威訊聯(lián)合)
ST485ECDR
ST(意法)
T491D476K025AT
KEMET(基美)
TPS715A01DRBR
TI(德州儀器)
2SC3356-T1B-A
NEC
88E6071-B1-NNC2C000
Marvell(美滿)
ADG1207YRUZ
ADI(亞德諾)
ADP2386ACPZN-R7
ADI(亞德諾)
AQW212EHAX
Panasonic(松下)
BZX384-C18
Philips(飛利浦)
DAC8551IDGKT
TI(德州儀器)
FF200R12KS4
Infineon(英飛凌)
