IPD50N04S4L08ATMA1 的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
IPD50N04S4L08ATMA1
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
1384791162
包裝說明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
12 weeks
風險等級
1.61
Samacsys Description
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
5.6
雪崩能效等級（Eas）
55 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
40 V
最大漏極電流 (ID)
50 A
最大漏源導通電阻
0.0073 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-252
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數量
1
端子數量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM)
200 A
參考標準
AEC-Q101
表面貼裝
YES
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
晶體管元件材料
SILICON
IPD50N04S4L08ATMA1 場效應管的特性與應用
場效應管（FET）是一種利用電場效應控制電流的電子器件，在現代電子系統中扮演著極為重要的角色。隨著半導體技術的不斷發展，場效應管的性能和應用范圍也在不斷擴展。IPD50N04S4L08ATMA1是現代大功率場效應管中的一員，主要應用于電源管理、開關電源、直流電機驅動等領域，其獨特的特性使得它在多個應用場景中展現出優異的性能。
1. IPD50N04S4L08ATMA1 的物理特性
IPD50N04S4L08ATMA1場效應管采用了N溝道結構，這意味著電子是這種器件的主要載流子。N溝道FET一般具有較低的導通電阻和較高的導通能力，這使得它們在高電流應用中表現出色。該器件的最大持續漏極電流為50A，最大漏極-源極電壓為40V，具有較高的額定值，適用于需要承受較大電流和電壓的電子設備。
此外，IPD50N04S4L08ATMA1 的閾值電壓設定在4-5V之間，這意味著在此電壓以上，器件能夠有效導通。這一閾值電壓相對適中，適用于大多數邏輯電平驅動的電路。其溫度范圍也是評估半導體器件的重要參數，該器件的工作溫度可在-55℃至+150℃之間，這使得它在不同環境條件下依然能夠穩定運行。
2. 電氣特性分析
IPD50N04S4L08ATMA1 的導通電阻（R_DS(on)）在額定條件下為8毫歐，這表明在導通時，器件內阻很低，從而能夠減少功率損耗，提高系統效率。在高電流下，此特性尤為重要，因為過高的內阻將導致電能的大量損失，從而影響整體性能。
另外，該器件的反向恢復時間也十分關鍵。在高頻率應用中，快速的反向恢復時間意味著能夠更快地切換，從而降低開關損失。IPD50N04S4L08ATMA1 的特性使得其在開關電源等需要高頻率切換的電路中表現優異。
3. 應用領域
由于其眾多優秀特性，IPD50N04S4L08ATMA1 場效應管廣泛應用于各種領域。首先，在電源供應行業，很多高效開關電源設計通常會使用此類器件。隨著可再生能源技術的發展，尤其是太陽能逆變器和風能發電裝置，對電源管理的效率和穩定性要求越來越高，IPD50N04S4L08ATMA1 的低導通電阻和高電流承受能力正好滿足了這一需求。
其次，在電機驅動領域，尤其是直流電機控制系統中，該場效應管也常被應用。電動工具、家電、以及電動汽車等產品均需要高效的電機驅動系統，IPD50N04S4L08ATMA1 的快速開關能力和高效率使其在這些應用中占據了一席之地。
4. 散熱設計與應用
電子設備在運行過程中，會產生熱量，因此散熱設計是任何電子產品的重要考慮因素。IPD50N04S4L08ATMA1 的高電流能力意味著在應用中可能會產生顯著的功率損耗，因此有效的熱管理能夠保證器件的穩定性和長期可靠性。在設計中，用戶通常需要考慮散熱器的選擇、布局設計及相應的冷卻技術，以保證器件工作在安全的溫度范圍內。
隨著小型化和集成度的提升，控制器與功率器件的排列方式也在不斷優化。設計工程師往往會利用PCB設計技術和三維建模軟件來分析散熱效果，并進行合理布局，以強化場效應管的散熱能力。此外，風扇散熱和液冷等高級冷卻技術也在高功率應用中逐漸得到普及，以提升整體系統的散熱效率。
5. 市場現狀與前景
伴隨各行業對高效率電源和驅動系統需求的增加，場效應管市場正逐步擴大。尤其是在新能源汽車和工業自動化的推動下，IPD50N04S4L08ATMA1 這樣的高性能場效應管將面臨更大的市場需求。未來的發展趨勢可預見的是，制造商將持續致力于改進器件性能，降低功耗，提高工作效率，以適應日益復雜的電源管理和能源轉換應用。此外，材料科學的進步，如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）材料的使用，可能會對傳統硅基場效應管的市場產生影響，促進新一代高效能場效應管的出現。
通過深入分析IPD50N04S4L08ATMA1 場效應管的特性、應用領域及市場前景，可以看出，雖然如今已有多種高性能器件投入市場，但該器件依然憑借其優越的電氣特性和廣泛的應用場合，在未來的電子產品中將發揮持續的、重要的作用。
IPD50N04S4L08ATMA1
Infineon(英飛凌)
MAX3845UCQ+TD
Maxim(美信)
PCA9517DR
NXP(恩智浦)
PIC18F8722-E/PT
Microchip(微芯)
SKY85784-11
Skyworks(思佳訊)
XC7Z010-3CLG400E
XILINX(賽靈思)
GD32E230K8U6
GD(兆易創新)
LP2951ACDG
ON(安森美)
LPC1347FBD48
NXP(恩智浦)
TLV320AIC23BIPW
TI(德州儀器)
WM8978CGEFL/RV
CirrusLogic(凌云邏輯)
LM431BIM3X
TI(德州儀器)
MLX90411KZE-BAA-046-RE
Melexis(邁來芯)
FQP20N06
Fairchild(飛兆/仙童)
ICE3PCS03G
Infineon(英飛凌)
MAX3232CSE+
Maxim(美信)
OPA132U
TI(德州儀器)
PIC24FJ128GB106T-I/PT
Microchip(微芯)
RT8096CHGJ5
RICHTEK(臺灣立锜)
STTH15L06FP
ST(意法)
FM24W256-G
RAMTRON
HMC441LP3E
ADI(亞德諾)
NRVTS245ESFT1G
ON(安森美)
PC16552DV
NS(國半)
TM1629A
TMTECH ( 凱鈺 )
BMA250
Bosch(博世)
HD3SS3220IRNHR
TI(德州儀器)
LP38692MP-5.0
TI(德州儀器)
STDP6038-AC
ST(意法)
VNH5180A-E
ST(意法)
2SK2615
TOSHIBA(東芝)
CD4051BQPWRQ1
TI(德州儀器)
KLM4G1FEPD-B031
SAMSUNG(三星)
SAA1064T
NXP(恩智浦)
TPA3100D2PHPR
TI(德州儀器)
ATSAMA5D27-SOM1
Microchip(微芯)
ESD7104MUTAG
ON(安森美)
MC74HC1G08DTT1G
ON(安森美)
ST7FLITE05Y0M6
ST(意法)
STM32F103RBH6
ST(意法)
TB67H450FNG
TOSHIBA(東芝)
MCF5207CVM166
NXP(恩智浦)
MLX90632SLD-DCB-000-RE
Melexis(邁來芯)
NCV303LSN30T1G
ON(安森美)
RN8209C
STPS2H100U
ST(意法)
AD7760BSVZ
ADI(亞德諾)
AW8733ATQR
AW(艾為)
F28388SPTPSR
TI(德州儀器)
IPS022GTR
Infineon(英飛凌)
MAX1978ETM
Maxim(美信)
PIC16F616-I/ST
MIC(昌福)
FNA22512A
ON(安森美)
HMC438MS8GE
Hittite Microwave
MCF5280CVM66
NXP(恩智浦)
EP3SE110F1152I3N
ALTERA(阿爾特拉)
LM2903YDT
ST(意法)
MAX490ESA
Maxim(美信)
AD22105ARZ
ADI(亞德諾)
ADS8685IPW
TI(德州儀器)
BCM84891B0IFSBG
Broadcom(博通)
FTXL710-BM2
INTEL(英特爾)
HMC733LC4B
Hittite Microwave
MT41K512M16HA-125IT
micron(鎂光)
STW56N60M2
ST(意法)
AD8418BRMZ
ADI(亞德諾)
IRS2113S
IR(國際整流器)
M24C32-FMC6TG
ST(意法)
MTFC4GACAALT-4MIT
micron(鎂光)
ST72F651AR6T1
ST(意法)
TC58BVG0S3HTA00
TOSHIBA(東芝)
TJA1021T
NXP(恩智浦)
1SMB5944BT3G
ON(安森美)
ADM485EARZ
ADI(亞德諾)
MAX20086ATPA/VY+T
Maxim(美信)
MSP430FR5994IPM
TI(德州儀器)
AD8310ARM
ADI(亞德諾)
ADRF5050BCCZN
ADI(亞德諾)
DM9621ANP
DAVICOM(聯杰國際)
EMMS782MD
FXLS8964AFR3
LNK626DG
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
MAX809TEUR
Maxim(美信)
MSP430G2302IPW20R
TI(德州儀器)
SN74LVC125APW
TI(德州儀器)
ST25R3917-AQWT
ST(意法)
TLD5097EL
Infineon(英飛凌)
DS3232MZ
Maxim(美信)
MAX3250EAI
Maxim(美信)
R5F21257SYFP
Renesas(瑞薩)
SAF-XE164F-96F80LAC
STM32F373R8T6
ST(意法)
TPS60403DBV
TI(德州儀器)
ADP3330ARTZ-3.3
ADI(亞德諾)
ENW89837A5KF
Panasonic(松下)
LM2675MX-12
NS(國半)
LTC4365IDDB
LINEAR(凌特)
PD55008
ST(意法)
S9S12GN32BVLCR
NXP(恩智浦)
8A34005-000NLG
ACS712ELCTR-20A
ALLEGRO(美國埃戈羅)
ADA4522-4ARUZ
ADI(亞德諾)
AK4396VF
AKM(旭化成)
H80080G
ICS932S421
LTC6820IMS
LINEAR(凌特)
LTM4622EV
LINEAR(凌特)
LTM8020MPV
LINEAR(凌特)
M95M01-RMN6
ST(意法)
MP2145GD
MPS(美國芯源)
NTB110N65S3HF
ON(安森美)
PL502-37QC
SSM2603CPZ
ADI(亞德諾)
TC8830AF
TOSHIBA(東芝)
TEF8102EN/N1
NXP(恩智浦)
TMUX1308QPWR
TPS51200
TI(德州儀器)
LMC6482IMMX/NOPB
TI(德州儀器)
INA168NA/3K
TI(德州儀器)
TLC59116IRHBR
TI(德州儀器)
OPA4197IDR
TI(德州儀器)
TPS22976DPUR
TI(德州儀器)
TPS16630RGER
TI(德州儀器)
AM3359BZCZA80
TI(德州儀器)
TLE75008-ESD
Infineon(英飛凌)
ISO7221MDR
TI(德州儀器)
LAN8710AI-EZK-TR-ABC
Microchip(微芯)
DAC8551IDGKR
TI(德州儀器)
SN74AVC32T245NMJR
TI(德州儀器)
TPS65130RGER
TI(德州儀器)
LM5575MHX/NOPB
NS(國半)
BTA26-600BRG
ST(意法)
SN74AVC4T774RGYR
TI(德州儀器)
