SN74LVT16244BDGGR 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
SN74LVT16244BDGGR
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1508465459
零件包裝代碼
TSSOP
包裝說明
TSSOP-48
針數(shù)
48
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級
1.62
Samacsys Description
Texas Instruments SN74LVT16244BDGGR, Buffer 3-State, Non-Inverting, 2.7 → 3.6 V, 48-Pin TSSOP
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
控制類型
ENABLE LOW
計(jì)數(shù)方向
UNIDIRECTIONAL
系列
LVT
JESD-30 代碼
R-PDSO-G48
JESD-609代碼
e4
長度
12.5 mm
負(fù)載電容（CL）
50 pF
邏輯集成電路類型
BUS DRIVER
最大I（ol）
0.064 A
濕度敏感等級
1
位數(shù)
4
功能數(shù)量
16
端口數(shù)量
2
端子數(shù)量
48
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
輸出特性
3-STATE
輸出極性
TRUE
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
TSSOP
封裝等效代碼
TSSOP48,.3,20
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包裝方法
TR
峰值回流溫度（攝氏度）
260
最大電源電流（ICC）
5 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup
3.2 ns
傳播延遲（tpd）
3.7 ns
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大供電電壓 (Vsup)
3.6 V
最小供電電壓 (Vsup)
2.7 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)
3.3 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
BICMOS
溫度等級
INDUSTRIAL
端子面層
NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
0.5 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間
30
寬度
6.1 mm
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展，邏輯器件在數(shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。在諸多邏輯控制器中，SN74LVT16244BDGGR是一款備受關(guān)注的高速、低功耗緩沖器，其在多種應(yīng)用場景中具有廣泛的適用性。本文將從SN74LVT16244BDGGR的功能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域、工作原理和存在的挑戰(zhàn)等方面進(jìn)行深入探討，以期為相關(guān)研究與開發(fā)提供參考。
一、SN74LVT16244BDGGR的功能特點(diǎn)
SN74LVT16244BDGGR是一款具有16路緩沖能力的邏輯控制器，其功能主要包括信號放大、信號緩沖及驅(qū)動負(fù)載。在數(shù)字電路中，信號的完整性至關(guān)重要，尤其是在長距離傳輸或多重負(fù)載情況下，信號衰減和失真可能會影響系統(tǒng)的整體性能。SN74LVT16244BDGGR的設(shè)計(jì)旨在解決這些問題，提供高驅(qū)動能力和良好的信號完整性。
其工作電壓范圍為4.5V至5.5V，廣泛兼容TTL（晶體管-晶體管邏輯）和CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）邏輯水平。此外，SN74LVT16244BDGGR具有較低的功耗特性，這使得它在低功耗設(shè)計(jì)中得到了廣泛應(yīng)用。采用的LVT（低電壓閾值）技術(shù)使其在低電壓操作時(shí)，依然能夠維持良好的性能。
二、應(yīng)用領(lǐng)域
SN74LVT16244BDGGR不僅在傳統(tǒng)的數(shù)字電路設(shè)計(jì)中占據(jù)一席之地，其獨(dú)特的特性使其在多個(gè)新興領(lǐng)域獲得了新的應(yīng)用。例如，在通信設(shè)備中，為了實(shí)現(xiàn)信號的穩(wěn)定傳輸，使用了多條信號線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，這要求緩沖器具備高帶寬和低延遲的特性。SN74LVT16244BDGGR正是以其優(yōu)異的性能滿足了這方面的需求。
在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，隨著數(shù)據(jù)處理速度的不斷提高，系統(tǒng)對信號完整性和傳輸速度的要求也在不斷增加。SN74LVT16244BDGGR由于其出色的驅(qū)動能力和高速度，成為了系統(tǒng)板設(shè)計(jì)中的重要組成部分。此外，在工業(yè)控制領(lǐng)域，SN74LVT16244BDGGR的抗干擾特性也使其能夠在復(fù)雜環(huán)境下穩(wěn)定工作，保證了設(shè)備的可靠性。
三、工作原理
SN74LVT16244BDGGR的工作原理基于邏輯緩沖技術(shù)。邏輯緩沖器的基本操作是接收輸入信號，并在輸出端生成相應(yīng)的放大信號。其內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)包括輸入端的接收器和輸出端的放大器。每當(dāng)接收到輸入信號時(shí)，內(nèi)部的電壓比較器會判斷信號的邏輯狀態(tài)，然后通過放大器將該狀態(tài)放大到規(guī)范的輸出電平。
在數(shù)字電路中，信號通常會受到各類干擾，這可能導(dǎo)致信號的邏輯狀態(tài)錯(cuò)誤。SN74LVT16244BDGGR通過使用自適應(yīng)增益放大器，確保即使在較差的信號質(zhì)量下，輸出信號依然能夠正確反映輸入信號的狀態(tài)。此外，該器件的設(shè)計(jì)還包括輸入保護(hù)電路，以防止輸入過壓對內(nèi)部電路的損害，進(jìn)一步提高了器件的可靠性。
四、性能指標(biāo)
SN74LVT16244BDGGR的性能指標(biāo)是其廣泛應(yīng)用的重要基礎(chǔ)。其中，傳輸延遲和驅(qū)動能力是評估其工作性能的重要參數(shù)。該器件的傳輸延遲通常在幾納秒至十幾納秒之間，這使得其能夠滿足高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨�。同時(shí)，其輸出電流驅(qū)動能力可達(dá)到64mA，足以驅(qū)動多個(gè)負(fù)載而不出現(xiàn)明顯的信號衰減。
除了傳輸延遲和輸出能力外，接受的輸入信號范圍也是一個(gè)重要指標(biāo)。SN74LVT16244BDGGR能夠接受的輸入電壓范圍從0V到Vcc，確保它能夠與多種邏輯電平兼容。同時(shí)，該器件在不同工作電壓下仍保持較低的功耗特性，這對于設(shè)計(jì)師在進(jìn)行系統(tǒng)集成時(shí)，無疑是一個(gè)巨大的優(yōu)勢。
五、存在的挑戰(zhàn)與展望
盡管SN74LVT16244BDGGR具備多項(xiàng)優(yōu)秀性能，但在具體應(yīng)用中依然面臨一些挑戰(zhàn)。首先，隨著電子設(shè)備對處理速度和能效的需求不斷提升，設(shè)計(jì)師需要在選型階段充分考慮不同器件之間的性能差異，以選取最佳解決方案。此外，在一些特定應(yīng)用中，環(huán)境穩(wěn)定性和抗干擾能力也可能成為挑戰(zhàn)。
在未來的發(fā)展中，結(jié)合數(shù)字電路與模擬電路的應(yīng)用趨勢，SN74LVT16244BDGGR作為產(chǎn)品范圍的一個(gè)典型代表，仍有著廣闊的研究和開發(fā)空間。在設(shè)計(jì)中更加細(xì)致的考慮和創(chuàng)新的材料、技術(shù)的引入，有望推動其性能的進(jìn)一步提升。同時(shí)，隨著半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)步，預(yù)計(jì)在未來可實(shí)現(xiàn)更低功耗、更高性能的邏輯控制器，進(jìn)一步促進(jìn)數(shù)字電路領(lǐng)域的發(fā)展。
SN74LVT16244BDGGR
TI(德州儀器)
STM32F401CDU6
ST(意法)
YT8521SH
2SB772
SANYO(三洋半導(dǎo)體)
AD8218BRMZ
ADI(亞德諾)
AO3422
AOS(萬代)
DAC7725UB
TI(德州儀器)
EPM3064ATC44-4N
ALTERA(阿爾特拉)
H5AN4G6NAFR-UHC
SK(海力士)
INA114AU/1K
TI(德州儀器)
IR2104PBF
IR(國際整流器)
MP2636GR-Z
MPS(美國芯源)
PEX8749-CA80BCG
PLX
PIC16F15375T-I/PT
Microchip(微芯)
S912XET256BMAL
NXP(恩智浦)
SD12T1G
ON(安森美)
XC4VLX25-10FFG668I
XILINX(賽靈思)
XCZU27DR-2FFVG1517I
XILINX(賽靈思)
XX1002-QH-0G0T
MACOM
AD8476BRMZ
ADI(亞德諾)
AD9523BCPZ
ADI(亞德諾)
ADR4533BRZ
ADI(亞德諾)
BTS730
Infineon(英飛凌)
DAC8568IAPW
TI(德州儀器)
FOD3120
ON(安森美)
HSP061-4M10
ST(意法)
MAX3221CDBR
Maxim(美信)
NC7SZ38P5X
Fairchild(飛兆/仙童)
NCV4276CDTADJT5G
ON(安森美)
SIM7070G
SIMCOM(芯訊通無線)
TC7SZ07FU
TOSHIBA(東芝)
TDC-GP21
AMS(艾邁斯)
88E6172-A1-TFJ2C000
Marvell(美滿)
ATL431AIDBZR
TI(德州儀器)
BCX71J
Philips(飛利浦)
FM24C64D-SO-T-G
FM(復(fù)旦微)
GD32F407ZKT6
GD(兆易創(chuàng)新)
H27U2G8F2CTR-BC
SK(海力士)
IS42S32800G-6BLI
ISSI(美國芯成)
IS62WV25616BLL-55TLI
ISSI(美國芯成)
ISO7220CD
TI(德州儀器)
PDTC114EE
NXP(恩智浦)
PIC16F1508-E/SS
Microchip(微芯)
SC28L92A1A
Philips(飛利浦)
SN65LBC179AD
TI(德州儀器)
STM32F469VGT6
ST(意法)
74HC4067D
NXP(恩智浦)
ACS733KLATR-65AB-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
AD5686RBRUZ
ADI(亞德諾)
AD5760ACPZ
ADI(亞德諾)
FAN53611AUC12X
ON(安森美)
IPLU300N04S4-1R1
Infineon(英飛凌)
LMR33620CQRNXTQ1
TI(德州儀器)
LP2985IM5X-5.0
NS(國半)
MB85R256FPNF-G-JNERE2
Fujitsu(富士通)
MCP6024T-I/SL
Microchip(微芯)
MPXV4115VC6U
NXP(恩智浦)
NIS5135MN1TXG
ON(安森美)
NVD3055-150T4G-VF01
ON(安森美)
PFS7329H
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
PI7C8152BMAE
PERICOM(百利通)
R7FA4M1AB3CFM#AA0
Renesas(瑞薩)
STR911FAW44X6
ST(意法)
W632GU6NB-11
WINBOND(華邦)
AD7328BRUZ
ADI(亞德諾)
ADS1198CPAGR
TI(德州儀器)
AON7534
AOS(萬代)
ICM7555IBAZ
Intersil(英特矽爾)
MBR1645G
ON(安森美)
MPXHZ6115A6T1
Freescale(飛思卡爾)
NRVBSS26NT3G
ON(安森美)
RFX2411N
Skyworks(思佳訊)
RTD2281DW-CG
REALTEK(瑞昱)
VL53L3CXV0DH/1
ST(意法)
VN5E010AFHTR-E
ST(意法)
ADE7752AARZ
ADI(亞德諾)
BAS521LP-7
Diodes(美臺)
CBM3485AS8
DS26C32ATMX
TI(德州儀器)
FSL106HR
ON(安森美)
INA2126UA
TI(德州儀器)
IPA60R280P6
Infineon(英飛凌)
IRF530N
IR(國際整流器)
L6234D
ST(意法)
M25P80-VMN3TPB
ST(意法)
MAX7317ATE+
Maxim(美信)
MAX96716AGTM/VY+T
Maxim(美信)
MC34PF3000A1EP
NXP(恩智浦)
MC74VHC14DTR2G
MOTOROLA(摩托羅拉)
MIC5205YM5
Micrel(麥瑞)
MT7601UN
MediaTek.Inc(聯(lián)發(fā)科)
NCP511SN33T1G
ON(安森美)
RT5797ALGQW
RICHTEK(臺灣立锜)
TLP290
TOSHIBA(東芝)
AD8512BRZ
ADI(亞德諾)
AD9273BSVZ-50
ADI(亞德諾)
ATMEGA640-16CU
Atmel(愛特梅爾)
BCM6318KMMLG
Broadcom(博通)
BP3309
（BPS）上海晶豐明源
DRV8306HRSMR
TI(德州儀器)
DRV8801AQRMJRQ1
TI(德州儀器)
DS1620S
Dallas (達(dá)拉斯)
DSPIC30F4011-30I/P
Microchip(微芯)
IRFH8318TRPBF
Infineon(英飛凌)
IRS2453DSTRPBF
IR(國際整流器)
M41ST87WMX6
ST(意法)
MK20DN512VMD10
NXP(恩智浦)
NCP1342AMAACD1R2G
ON(安森美)
NVMFD5852NLT1G
ON(安森美)
PTN3363BSMP
NXP(恩智浦)
PZTA44
UTC(友順)
SC16C654BIB64
NXP(恩智浦)
STM32H563ZIT6
ST(意法)
UCC28C44D
TI(德州儀器)
VIPER06LN
ST(意法)
AD6643BCPZ-250
ADI(亞德諾)
ADA4638-1ARZ
ADI(亞德諾)
ADM242ARZ
ADI(亞德諾)
ADR444ARMZ
ADI(亞德諾)
AFV09P350-04NR3
Freescale(飛思卡爾)
FS32V234CKN1VUBR
NXP(恩智浦)
LAN7800T-I/VSX
Microchip(微芯)
MT6260A
MediaTek.Inc(聯(lián)發(fā)科)
PIC18F45K80T-I/PT
Microchip(微芯)
S29GL064S70TFI030
Cypress(賽普拉斯)
TTA1943
TOSHIBA(東芝)
0603
YAGEO(國巨)
AD5761RBRUZ
ADI(亞德諾)
ADG1634BCPZ
ADI(亞德諾)
ADS7846E
ADI(亞德諾)
BUK7J1R0-40H
Nexperia(安世)
DAC8554IPW
TI(德州儀器)
DP83848JSQ
NS(國半)
FL7760AM6X
ON(安森美)
FP30R06W1E3
Infineon(英飛凌)
HD64F2148AFA20V
Renesas(瑞薩)
HMC465LP5E
ADI(亞德諾)
IKW40N65WR5
Infineon(英飛凌)
IR21531DPBF
Infineon(英飛凌)
LD5760GR
Leadtrend
LM5122MHX
TI(德州儀器)
MIC2025-2YM
Microchip(微芯)
QM45391TR13
Qorvo(威訊聯(lián)合)
R5F51138ADFP#1A
Renesas(瑞薩)
STM32H725IGT6
ST(意法)
VND5004ATR-E
ST(意法)
553443-5
TE(泰科)
AD8630ARUZ
ADI(亞德諾)
ADA4177-2ARZ
ADI(亞德諾)
ADM7172ACPZ
ADI(亞德諾)
ADP7182AUJZ
ADI(亞德諾)
AIS2120SACUTR
ST(意法)
AZ1045-04F
AMAZING(晶焱)
EPM1270F256I5
ALTERA(阿爾特拉)
HI3520DRQCV200
Hisilicon
INA137UA
TI(德州儀器)
ISL22424WFR16Z
Intersil(英特矽爾)
LM5105SD
NS(國半)
LS1024ASE7MLA
Freescale(飛思卡爾)
LT1945EMS
LINEAR(凌特)
