常規(guī)的晶體硅太陽能電池是在厚度為350～450ym的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅A916CY-820M片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更多。為了節(jié)昝材料，人們從20世紀70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長的硅膜晶粒太小，未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒有停止過研究，并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜太陽能電池多采用化學氣相沉積法，包括低壓化學氣相沉積( LPCVD)和等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝。此外，液相外延法(LPPE)和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜太陽能電池。化學氣相沉積主要是以SiH2Cl2. SiHCl3. SiCl4或SiH4為反應氣體，在一定的保護氣（氛）下反應生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、Si02、Si3N4等。但研究發(fā)現(xiàn)，在非硅襯底上很難形成較大的晶粒，并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題的辦法是先用LPCVD在襯底上沉積一層較薄的非晶硅層，再將這層非晶硅層退火，得到較大的晶粒，然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜，因此，再結(jié)晶技術無疑是很重要的一 個環(huán)節(jié)，目前采用的技術主要有固相結(jié)晶法和中區(qū)熔再結(jié)晶法。多晶硅薄膜太陽能電池除采用了再結(jié)晶工藝外，另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術，這樣制得的太陽能 電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。工業(yè)化生產(chǎn)的多晶硅太陽能電池的典型特性參數(shù)如下：

   多晶硅太陽能電池的其他特性與單晶硅太陽能電池類似，如溫度特性、太陽能電池性能隨入射光強的變化等。從制作成本上來講，比單晶硅太陽能電池材料要便宜一些，制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到較快笈展。此外，多晶硅太陽能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽能電池短。從性能價格比來講，單晶硅太陽能電池還是優(yōu)于多晶硅太陽能電池。