在太陽能光伏利用上，單晶硅A916CY-8R2M和多晶硅太陽能電池發(fā)揮著巨大的作用。從目前來講，要使太陽能光伏技術(shù)具有較大的市場，被廣大的消費(fèi)者接受，就必須提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。從目前國際太陽能電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。從工業(yè)化發(fā)展來看，重心已由單晶向多晶方向發(fā)展，主要原因?yàn)椋?/span>

   (1)可供制作單晶硅太陽能電池的頭尾料越來越少。

   (2)對太陽能電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料。

   (3)多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展，全自動(dòng)的澆鑄爐每生產(chǎn)周期(50h)可生產(chǎn)200kg以上的硅錠，晶粒的尺寸達(dá)到厘米級(jí)。

   (4)多晶硅薄膜太陽能電池由于所使用的硅比單晶硅太陽能電池少很多，不存在效率衰退等問題，而且有可能在廉價(jià)襯底材料上制備。

   (5)多晶硅薄膜太陽能電池的成本遠(yuǎn)低于單晶硅太陽能電池，光電轉(zhuǎn)換率近12.4%，高于非晶硅薄膜太陽能電池。

   由于近十年單晶硅工藝的砑究與發(fā)展很快，其工藝也應(yīng)用于多晶硅太陽能電池的生產(chǎn)，比如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極等工藝，。采用絲網(wǎng)印制技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50Um，高度達(dá)到151im以上，快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時(shí)間，單片熱工序時(shí)間可在一分鐘之內(nèi)完成，采用該工藝在lOOcrr12的多晶硅片上做出的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率超過14%。據(jù)報(bào)道，目前在50～60Um多晶硅襯底上制作的太陽能電池效率超過16%。利用機(jī)械刻槽、絲網(wǎng)印制技術(shù)的lOOcrri2多晶硅片的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率超過17%，無機(jī)械刻槽在同樣面積上效率達(dá)到16%，采用埋柵結(jié)構(gòu)，機(jī)械刻槽的l30cm2多晶硅片的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到15.8%。