硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻

   硫化鎘和硒化鎘是可見光區(qū)用得較多的兩種光敏電阻，其光譜響如圖4 -13所示。CdS光敏電阻的特點(diǎn)是它的峰值波長(zhǎng)很接近人眼最敏感的555nm波長(zhǎng)，GA9101-2MC可用于視覺亮度有關(guān)的測(cè)量和底片曝光方面的測(cè)量。這種器件有很高的響應(yīng)度，其缺點(diǎn)是受單晶大小的限制，受光面積小，響應(yīng)時(shí)間與光照強(qiáng)度有關(guān)，隨著光照強(qiáng)度減弱響應(yīng)時(shí)間也增加。

   硫化鉛(PbS)和硒化鉛(PbSe)光敏電阻

   這些器件多為多晶薄膜型，溫度對(duì)光電導(dǎo)的影響也很大，薄膜所處的溫度越高，熱激發(fā)的載流子越多，這和光照的作用相似。由于光照以前熱激發(fā)載流子已降低了勢(shì)壘高度，被陷的載流子很少；光照后勢(shì)壘降低再釋放的載流子就少了，載流子的遷移率變化也小了，光電導(dǎo)率變化就小。反之，降低器件的使用溫度，熱激發(fā)的載流變少，對(duì)勢(shì)壘高度下降不大。光照以后降低勢(shì)壘高度釋放載流子多，載流子遷移率變化大，光電導(dǎo)率變化也大，所以降低溫度可以提高光敏電阻的響應(yīng)度。