銻化銦( InSb)光敏電阻為單晶半導(dǎo)體， GA9102-2MC光激發(fā)是本征型的。它主要用于探測大氣第二個紅外透過窗口，波長3—5斗m，常溫下長波限可達(dá)7.3¨m；冷卻到77K時，長波限為4.4斗m（主要是材料禁帶寬度變寬）。通常工作于低溫狀態(tài)，它也能做成元列陣。

   砷化銦( InAs)光敏電阻在制冷到196K時，長波限能達(dá)到4I.Lm．峰值波長3.2pm。

   雜質(zhì)光電導(dǎo)檢測器

   雜質(zhì)光電導(dǎo)檢測器是基于非本征光電導(dǎo)效應(yīng)的光敏電阻。目前已制成許多鍺、硅及鍺硅金的雜質(zhì)紅外光電導(dǎo)器件。它們都工作于遠(yuǎn)紅外區(qū)8~ 40ym波段。

   由于雜質(zhì)光電導(dǎo)器件中施主和受主的電離能AE -般比本征半導(dǎo)體禁帶寬度△E。小得多，所以響應(yīng)波長比本征光電導(dǎo)器件要長。相比來說，雜質(zhì)原子的濃度比材料本身原子的濃度要小很多，在溫度較高時，熱激發(fā)載流子的濃度很高，為使光照時在雜質(zhì)能級上激發(fā)出較多的載流子，所以雜質(zhì)光電導(dǎo)器件都必須工作于低溫狀態(tài)。

   多元系本征光電導(dǎo)檢測器

   大氣的第三個窗口(8~ 14¨m)透過率高。常溫下許多物體的輻射光譜峰值都在lOI.Lm左右，這是紅外遙感、紅外軍事偵察等儀器的主要工作波段，也是大功率C02激光器的工作波段。人們希望有工作于常溫或不很低的低溫，且D*又高的本征型光電導(dǎo)器件。根據(jù)本征光電導(dǎo)工作原理，適合于8~ 14 pdm波段的本征半導(dǎo)體材料的禁帶寬度應(yīng)為0.09—0.05eV，但是已知所有單晶和化合物半導(dǎo)體材料中都不具有這么小的禁帶寬度。人們用多元化合物達(dá)到了這一目的。與單晶俸結(jié)構(gòu)相同而禁帶寬度不同的二元化合物配制成適當(dāng)組分的固溶體，如碲鎘汞( HgCd) Te和碲錫鉛(PbSn) Te就是這種本征光電導(dǎo)材料。