硅光電二極管
發(fā)布時間:2015/5/5 19:46:44 訪問次數(shù):853
硅光電二極管通常是用在反偏的光電導(dǎo)工作模式,它在無光照條件下, AD628ARM若給P-N結(jié)加一個適當(dāng)?shù)姆聪螂妷,則反向電壓加強了內(nèi)建電場,使P-N結(jié)空間電荷區(qū)拉寬,勢壘增大。
當(dāng)硅光電二極管被光照時.在結(jié)區(qū)產(chǎn)生的光生載流子將被加強了的內(nèi)建電場拉開,光生電子被拉向N區(qū),光生空穴被拉向P區(qū),于是形成以少數(shù)載流子漂移運動為主的光電流。顯然,光電流比無光照時的反向飽和電流大得多,如果光照越強,表示在同樣條件下產(chǎn)生的光生載流子越多,光電流就越大。
當(dāng)硅光電二極管與負(fù)載電阻RL串聯(lián)時,則在R。的兩端便可得到隨光照度變化的電壓信號,從而完成了將光信號轉(zhuǎn)變成電信號的轉(zhuǎn)換,如圖4 -22所示。
硅光電二極管通常是用在反偏的光電導(dǎo)工作模式,它在無光照條件下, AD628ARM若給P-N結(jié)加一個適當(dāng)?shù)姆聪螂妷,則反向電壓加強了內(nèi)建電場,使P-N結(jié)空間電荷區(qū)拉寬,勢壘增大。
當(dāng)硅光電二極管被光照時.在結(jié)區(qū)產(chǎn)生的光生載流子將被加強了的內(nèi)建電場拉開,光生電子被拉向N區(qū),光生空穴被拉向P區(qū),于是形成以少數(shù)載流子漂移運動為主的光電流。顯然,光電流比無光照時的反向飽和電流大得多,如果光照越強,表示在同樣條件下產(chǎn)生的光生載流子越多,光電流就越大。
當(dāng)硅光電二極管與負(fù)載電阻RL串聯(lián)時,則在R。的兩端便可得到隨光照度變化的電壓信號,從而完成了將光信號轉(zhuǎn)變成電信號的轉(zhuǎn)換,如圖4 -22所示。
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