在小晶粒和大晶粒交接處也會出現(xiàn)這種情況，晶粒由小變大處形成小丘，反之， LC6554H-4694則出現(xiàn)空洞。特別是在整個晶粒占據(jù)整個條寬時，更易出現(xiàn)斷條，所以膜中晶粒尺寸宜均勻。

   互連線上覆蓋介質(zhì)膜（鈍化層）后，不僅可防止鋁條的意外劃傷，防止腐蝕及離子沾污，也可提高其抗電遷移及電浪涌的能力。介質(zhì)膜能提高抗電遷移的能力，是因?yàn)槠浔砻?/span>覆蓋有介質(zhì)時可降低金屬離子從體內(nèi)向表面運(yùn)動的概率，抑制表面擴(kuò)散，也降低晶體內(nèi)部肖特基空位濃度。另外，表面的介質(zhì)膜可作為熱沉使金屬條自身產(chǎn)生的焦耳熱能從布線的雙面導(dǎo)出，降低金屬條的溫升及溫度梯度。

   鋁中參入Cu、Si等少量雜質(zhì)時，硅在鋁中溶解度低，大部分硅原子在晶粒邊界處沉積，且硅原子半徑比鋁大，降低了鋁離子沿晶界的擴(kuò)散作用，能提高鋁的抗電遷移能力。但是當(dāng)布線進(jìn)入亞微米量級時，絨條很細(xì)，雜質(zhì)在晶界處聚集使電阻率提高，產(chǎn)生電流擁擠效應(yīng)，這是一個新問題。

   電遷移討論中多針對電流是穩(wěn)定直流的情況，實(shí)際電路中的電流可是交流或處于脈沖工作狀態(tài)，此時其tMTF的預(yù)計(jì)值可根據(jù)電流密度的平均值，及電流密度絕對值來計(jì)算。