如前所述，微電子器件在生產(chǎn)、使用過程中不可避免地會涉及靜電損傷， HCPLV454別是當(dāng)電路規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，器件尺寸日益細(xì)微化時，對ESD也更加敏感。因此有必要確定某種方法或技術(shù)對器件進(jìn)行測試，以表征器件抗靜電的能力。抗靜電能力用靜電放電靈敏度( ESDS)表示，它采用人體模型進(jìn)行測量。所謂人體模型(HBM)是目前廣泛采用的一種靜電放電損傷模型。人體對地構(gòu)成靜電電容，容量約為lOOpF，人體內(nèi)部導(dǎo)電性較好，從手到腳間大約有數(shù)百歐，皮膚表面導(dǎo)電性不好，表面電阻為lO~Qlcmz，因此人體相當(dāng)于人體對地電容Cb和人體電阻風(fēng)相串聯(lián)。當(dāng)人體與器件接觸時，人體所帶能量經(jīng)過器件的引腳，通過器件內(nèi)部到地而放電，放電時常數(shù)r= Cb Rb，總能量E=O. 5Cb Ug。

   美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883C中方法3015.2規(guī)定了半導(dǎo)體器件ESDS進(jìn)行測定的方法與步驟。ESDS的測試線路及對放電波形的要求如圖4.23所示。如果放電波形沒有得到嚴(yán)格控制，不同測試設(shè)備對同樣的樣品測出的ESDS存在很寬的分布范圍，不能得出正確結(jié)論。這是因?yàn)闇y試線路中的寄生參數(shù)對高頻(100MHz)、離壓(kV有強(qiáng)烈影響，容易出現(xiàn)波形過沖和高頻振蕩。此外MOS電路的輸入保護(hù)電路響應(yīng)有一個延遲，如果波形上升過快，保護(hù)電路不起作用，因此，圖4. 23中￡。取10～15 ns，td取300ns。