靜電損傷模式
發(fā)布時間:2015/6/25 21:13:52 訪問次數(shù):1083
靜電損傷模式包括突發(fā)性失效和潛在性失效。
1．突發(fā)性失效
突發(fā)性失效使器件的一個或多個參數(shù)突然劣化，完全失去規(guī)定功能，HCPL-M611-500E通常表現(xiàn)為開路、短路或電參數(shù)嚴重漂移。如介質(zhì)擊穿，鋁條熔斷，PN結反向漏電增大甚至擊穿。對CMOS電路，可因靜電放電而觸發(fā)閂鎖效應，器件會因過大電流而燒毀。 。
2．潛在性失效
如帶電體的靜電勢或儲存的能量較低，或ESD回路中有限流電阻存在，一次ESD不足以引起器件發(fā)生突然失效，但它會在器件內(nèi)部造成一些損傷。這種損傷是累積性的，隨著ESD次數(shù)的增加，器件的損傷閾值（電壓或能量）在降低，其性能在逐漸劣化，這類損傷叫潛在性失效。它降低了器件的抗靜電能力。因此器件不能進行抗靜電篩選。
靜電損傷模式包括突發(fā)性失效和潛在性失效。
1．突發(fā)性失效
突發(fā)性失效使器件的一個或多個參數(shù)突然劣化，完全失去規(guī)定功能，HCPL-M611-500E通常表現(xiàn)為開路、短路或電參數(shù)嚴重漂移。如介質(zhì)擊穿，鋁條熔斷，PN結反向漏電增大甚至擊穿。對CMOS電路，可因靜電放電而觸發(fā)閂鎖效應，器件會因過大電流而燒毀。 。
2．潛在性失效
如帶電體的靜電勢或儲存的能量較低，或ESD回路中有限流電阻存在，一次ESD不足以引起器件發(fā)生突然失效，但它會在器件內(nèi)部造成一些損傷。這種損傷是累積性的，隨著ESD次數(shù)的增加，器件的損傷閾值（電壓或能量）在降低，其性能在逐漸劣化，這類損傷叫潛在性失效。它降低了器件的抗靜電能力。因此器件不能進行抗靜電篩選。
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