Zn0壓敏電阻器在交流或直流電壓的長期作用下，會發(fā)生漏電流會增大，伏安特性變差， HEF40106BT壓敏電壓不斷跌落等蛻變現(xiàn)象，以致性能變得越來越不穩(wěn)定，甚至導(dǎo)致熱擊穿。這種性能的蛻變是一種潛在的不安全因素，也是導(dǎo)致失效的主要原因。測試分析表明，蛻變現(xiàn)象發(fā)生在伏安特性的小電流范圍（預(yù)擊穿區(qū)），而預(yù)擊穿區(qū)的電流主要取決于反偏肖特基勢壘，因此，長期偏置出現(xiàn)的電流蠕變現(xiàn)象與反偏肖特基勢壘的蠕變有關(guān)，亦即與勢壘高度和寬度的變化有關(guān)。而勢壘蠕變又是由離子遷移造成的。在外電場作用下，Zn0晶粒表面層和晶界層中的易遷移離子做定向擴(kuò)散。當(dāng)達(dá)到新的平衡時(shí)，表面態(tài)密度下降，使勢壘高度下降，從而引起漏電流增加，伏安特性發(fā)生退化。在Zn0中，由于間隙Zri2+離子的擴(kuò)散活化能較低，在正常溫度和電場作用下容易發(fā)生遷移，而Zn0中的2n2+、02 -離子和其他雜質(zhì)離子的擴(kuò)散活化能大，因而不易遷移。要使壓敏電阻器性能穩(wěn)定，就要求材料中易遷移的離子少，同時(shí)使晶界相中離子電導(dǎo)率低。這可以通過熱處理使a、盧型B12 03轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>電導(dǎo)率低的y型。為減少易遷移的2n2+離子，而又不至于使電阻率串提高，可以在晶格中引入施主型雜質(zhì)（如Al3+、In3+、Ga3+離子等），用本征缺陷來控制。