由于近十年單晶硅工藝的砑究與發(fā)展很快，其工藝也應(yīng)用于多晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)，MTV412V比如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場(chǎng)、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極等工藝，。采用絲網(wǎng)印制技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50Um，高度達(dá)到151im以上，快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時(shí)間，單片熱工序時(shí)間可在一分鐘之內(nèi)完成，采用該工藝在lOOcrr12的多晶硅片上做出的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率超過(guò)14%。據(jù)報(bào)道，目前在50～60Um多晶硅襯底上制作的太陽(yáng)能電池效率超過(guò)16%。利用機(jī)械刻槽、絲網(wǎng)印制技術(shù)的lOOcrri2多晶硅片的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率超過(guò)17%，無(wú)機(jī)械刻槽在同樣面積上效率達(dá)到16%，采用埋柵結(jié)構(gòu)，機(jī)械刻槽的l30cm2多晶硅片的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到15.8%。

   非晶硅太陽(yáng)能電池

   開(kāi)發(fā)太陽(yáng)能電池的兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是：提高轉(zhuǎn)換效率和降低成本。由于非晶硅薄膜太陽(yáng)能池具有低的成本，便于大規(guī)模生產(chǎn)，普遍受到人們的重視并得到迅速發(fā)展。早在20世紀(jì)70年代初，Carlson等就已經(jīng)開(kāi)始了對(duì)非晶硅太陽(yáng)能電池的研制工作，近幾年它的研制工作得到了迅速發(fā)展，目前世界上已有許多家公司在生產(chǎn)該類太陽(yáng)能電池產(chǎn)品。非晶硅作為太陽(yáng)能材料盡管是一種很好的電池材料，但由于其光學(xué)帶隙為1.7eV，使得材料本身對(duì)太陽(yáng)輻射光譜的長(zhǎng)波區(qū)域不敏感，這樣一來(lái)就限制了非晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。此外，其光電效率會(huì)隨著光照時(shí)間的延續(xù)而衰減，即所謂的光致衰退效應(yīng)，使得太陽(yáng)能電池的性能不穩(wěn)定。解決這些問(wèn)題的途徑就是制備疊層太陽(yáng)能電池，疊層太陽(yáng)能電池是在制備的PiN層單結(jié)太陽(yáng)能電池上再沉積一個(gè)或多個(gè)PiN層電池制得的。