內(nèi)部連線水平的提高
發(fā)布時(shí)間:2015/10/22 20:44:43 訪問次數(shù):425
元件密度的增加帶來了連線問題、，IRFPG50PBF在住宅區(qū)的比喻中，用來增加密度的策略之一是減小街道的寬度，但是到一定的程度時(shí)街道對(duì)于汽車的通·行來說就太窄九同樣的事情也會(huì)發(fā)生在集成電路設(shè)汁中，元件密度的增加和緊密封裝減小廠連線所需的空間，解決方案是在元件形成的表面上使用多層絕緣層（見圖1. 13）和導(dǎo)電層相互疊加的多層連線（見第13章），
平坦化是在基片的有源晶體管和其他組件中形成的（通常是硅）．j在201 1年，英特爾公r列宣布r具有源晶體管的柵極堆疊在晶圓上的一個(gè)新的j維(3D)器件（見圖1.14）8，，該器件被稱為i柵晶體管、，通過增加?xùn)艠O的表面積，該器件的性能得以增強(qiáng)（見第16章）.
元件密度的增加帶來了連線問題、，IRFPG50PBF在住宅區(qū)的比喻中，用來增加密度的策略之一是減小街道的寬度，但是到一定的程度時(shí)街道對(duì)于汽車的通·行來說就太窄九同樣的事情也會(huì)發(fā)生在集成電路設(shè)汁中，元件密度的增加和緊密封裝減小廠連線所需的空間，解決方案是在元件形成的表面上使用多層絕緣層（見圖1. 13）和導(dǎo)電層相互疊加的多層連線（見第13章），
平坦化是在基片的有源晶體管和其他組件中形成的（通常是硅）．j在201 1年，英特爾公r列宣布r具有源晶體管的柵極堆疊在晶圓上的一個(gè)新的j維(3D)器件（見圖1.14）8，，該器件被稱為i柵晶體管、，通過增加?xùn)艠O的表面積，該器件的性能得以增強(qiáng)（見第16章）.
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