前面曾提到過(guò)， UA79M05CKVURG3在半導(dǎo)體材料中移動(dòng)一個(gè)電子比空穴要容易。在電路中，我們對(duì)載流子（空穴和電子）移動(dòng)所需能量和其移動(dòng)的速度都感興趣。移動(dòng)的速度稱為載流子遷移率( Carrier Mobility)，空穴比電子遷移率低。在為電路選擇特定半導(dǎo)體材料時(shí)，這是個(gè)非常值得考慮的重要因素。

   鍺和硅是兩種重要的半導(dǎo)俸，在固態(tài)器件時(shí)代之初，第一個(gè)晶體管是由鍺制造的。但是鍺在工藝和器件性能上有問(wèn)題。它的937℃熔點(diǎn)限制了高溫工藝，更重要的是，它表面缺少自然發(fā)生的氧化物，從而容易漏電。

   硅與二：氧化硅平面f藝的發(fā)展解決r集成電路的漏電問(wèn)題，使得電路表面輪廓更平坦并日．硅的1415℃的熔點(diǎn)允許更高溫的T藝，因此，如今世界}：超過(guò)r 90%的生產(chǎn)用品圓材料都是硅.