町以引起上述問題的污染物稱為呵移動離子污染物( MIC)。它們是在材料中以離子形態(tài)存在的金屬離子。而且，STP75NF75這些金屬離子在半導(dǎo)體材料中具有很強的可移動性。也就是說，即便在器件通過了電性能測試并且運送出去，金屬離子仍可在器件中移動從而造成器件失效．遺憾的是，能夠在硅器件中引起這些問題的金屬存在于絕大部分的化學(xué)物質(zhì)中（見圖5.4）。j所以，在一個晶圓卜，MIC污染物必須被控制在10Ⅲ原子/cm2的范圍內(nèi)甚至更少}，、

   鈉是在未經(jīng)處理的化學(xué)品中最常見的可移動離子污染物，同時也是硅中移動性最強的物質(zhì)。因此，對鈉的控制成為硅工藝的首要目標(biāo)。MIC的問題在MOS器件中表現(xiàn)最為嚴(yán)蘑，這一事實促使一些化學(xué)品生產(chǎn)商研制開發(fā)MOS級或低鈉級的化學(xué)品。超純水制造也要求減少MIC。

   化學(xué)物質(zhì)：在半導(dǎo)體I：藝領(lǐng)域第一大主要的污染物是不需要的化學(xué)物質(zhì)。丁藝過程中所用的化學(xué)品和水可能會受到對芯片工藝產(chǎn)生影響的痕量物質(zhì)的污染。它們將導(dǎo)致晶片表面受到不需要的刻蝕，在器件卜生成無法除去的化合物，或者引起不均勻的工藝過程氯就是這樣·種污染物，它在工藝過程中用到的化學(xué)品中的含量受到嚴(yán)格的控制。

   細(xì)菌：細(xì)菌是第4類的主要污染物。細(xì)菌是在水的系統(tǒng)中或不定期清洗的表面生成的有機物、細(xì)菌---曰在器件L-形成，會成為顆粒狀污染物或給器件表面引入不希望見到的金屬離子．

   空氣中分子污染：空氣中分子污染( AMC)是難捕捉之物的分子，它們從工藝設(shè)備，或化學(xué)品傳送系統(tǒng)，或由材料，或人帶人生產(chǎn)區(qū)域。晶圓從一個工藝設(shè)備傳送到另一個能將搭乘分子帶入下一個設(shè)備。AMC包括在生產(chǎn)區(qū)域使用的全部氣體、摻雜品、加工用化學(xué)．吊，這些町能是氧氣、潮氣、有機物、酸、堿及其他物質(zhì)-。

   它們在和靈敏的化學(xué)反應(yīng)相關(guān)的工藝中危害最大，例如在光刻工藝中光刻膠的曝光時其他問題包括刻蝕速率的偏離和不需要的雜質(zhì)，這些使器件的電參數(shù)漂移，改變刻蝕劑的濕法刻蝕特性，導(dǎo)致刻蝕不完善4；j。隨著自劫化將更多的設(shè)備和環(huán)境引入到制造工藝中，探測和控制AMC是不可缺少的。在國際半導(dǎo)！體技術(shù)路線圖( ITRS) 2011版中確定一個關(guān)注的來源，在良品率增強章節(jié)是前面開口通用容器( FOUP)、、在這些放晶圓容器中的塑料材料是排放AMC的一個來源。