這5種污染物在以下3個(gè)特定的功能領(lǐng)域?qū)に囘^(guò)程和器件產(chǎn)生影響它們是：

   1.器件工藝良品率

   2．器件性能

   3．器件可靠性

   器件工藝良品率：STP75NF75在一個(gè)污染環(huán)境中制成的器件會(huì)引起多種問(wèn)題。污染會(huì)改變器件的尺寸，改變表面的潔凈度，和／或造成有凹痕的表面。在晶片生產(chǎn)的過(guò)程中，有一系列的質(zhì)囂檢驗(yàn)和檢測(cè)，它們是為檢測(cè)出被污染的晶圓而特殊設(shè)計(jì)的。高度的污染使得僅有少量的晶圓能夠完成全工藝過(guò)程，從而導(dǎo)致成本升高（見(jiàn)第6章）。

   器件性能：一個(gè)更為嚴(yán)重的問(wèn)題是在工藝過(guò)程中漏檢的小污染。在工藝步驟中的不需要的化學(xué)物質(zhì)和AMC可能改變器件尺寸或材料質(zhì)量。在晶圓中高濃度的可移動(dòng)離子污染物口r能會(huì)改變器件的電性能。這個(gè)問(wèn)題通常是在晶圓制造工藝完成后的電測(cè)試（也稱為晶圓或芯片揀選）中顯現(xiàn)出來(lái)的（見(jiàn)第6章）。

   器件可靠性：最令人擔(dān)心的莫過(guò)于污染對(duì)器件可靠性的失效影響。小劑董的污染物町能會(huì)在1-藝過(guò)程中進(jìn)入晶圓，而未被通常的器件測(cè)試檢驗(yàn)出來(lái)。然而，這砦污染物會(huì)在器件內(nèi)部移動(dòng)，最終停留在電性敏感區(qū)域，從而引起器件失效。這一失效模式成為航天工、Ik和國(guó)防1二業(yè)的首要關(guān)注點(diǎn)。

   在這一章的余下部分，將討論對(duì)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中產(chǎn)生影響的各類污染的來(lái)源、性質(zhì)及其控制。隨著20世紀(jì)70年代LSI電路的出現(xiàn)，污染控制成為這一產(chǎn)業(yè)的基本問(wèn)題。從那時(shí)起，大量的關(guān)于污染控制的認(rèn)識(shí)逐漸發(fā)展起來(lái)。如今污染的控制本身已成為一學(xué)科，是制造固態(tài)器件必須掌握的關(guān)鍵技術(shù)之一。

   在這一章中，討論的污染控制問(wèn)題適用于芯片生產(chǎn)區(qū)域、掩膜生產(chǎn)區(qū)域、芯片封裝區(qū)域和其他…些生產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備和材料的區(qū)域。