在第5章中，摻雜被定義為4種基本工藝制造之一。摻雜需要在表面層上建立一些洞， K4H560838F-UCB3通過離子注入或擴散的方法把特定的摻雜物引入到暴露的晶圓表面。在硅技術(shù)里，最常見的表面層是二氧化硅（見圖7.2）。留在硅表面的二氧化硅能夠阻擋摻雜物浸入硅表面。在硅技術(shù)里用到的所有摻雜物，其在二氧化硅里的運行速度低于在硅中的運行速度。當(dāng)摻雜物在硅中穿行達(dá)到所要求的深度時，它在二氧化硅里才走了很短的路程。所以，只要一層相對薄的二氧化硅，就可以阻擋摻雜物浸入硅表面。

   圖7.2作為摻雜阻擋層的二氧化硅

   另一個鐘愛二氧化硅的原因，是因為它的熱膨脹系數(shù)與硅的熱膨脹系數(shù)很接近。在高溫氧化工藝、摻雜擴散或其他一些工藝中，晶圓會熱脹冷縮。二氧化硅與硅脹縮的速率接近，這就意味著，在加熱或冷卻時，晶圓不會發(fā)生彎曲。