第4章論及了半導(dǎo)體器件對(duì)污染的極端敏感性。當(dāng)一個(gè)半導(dǎo)體廠把主要精力放在控制及消除污染時(shí)，K4D553235F-GC33技術(shù)并不總是百分之百有效的。二氧化硅層在防止硅器件被污染方面起，重要作用。

   二氧化硅在以下兩個(gè)方面起重要作用：一是保護(hù)器件的表面及內(nèi)部。在表面形成的二氧化硅密度非常高（無(wú)孔），非常硬。因此二氧化硅層（見圖7.1）起污染阻擋層的作用，它可以阻擋環(huán)境中臟物質(zhì)侵入敏感的晶圓表面、．同時(shí)，它的硬度可防止晶圓表面在制造過(guò)程中被劃傷及增強(qiáng)晶圓在生產(chǎn)流程過(guò)程中的耐用性。

   另一方面，二氧化硅對(duì)器件的保護(hù)是源于其化學(xué)特性的。不管工藝過(guò)程多么潔凈，總有一些電特性活躍的污染物（移動(dòng)的離子污染）最終會(huì)進(jìn)入或落在晶圓表面，，在氧化過(guò)程中，硅的最卜一一層成為二氧化硅，污染在表面形成新的氧化層，遠(yuǎn)離電子活性表面。其他污染物被禁錮在二氧化硅膜中，在那里對(duì)器件而言傷害是很小的。在早期的MOS器件丁藝中，通常在晶圓氧化后和在進(jìn)行下一步工藝之前，要去除氧化物以去掉表面那些不需要的移動(dòng)離子污染物。