正膠和負(fù)膠的比較
發(fā)布時(shí)間:2015/10/30 22:18:51 訪問(wèn)次數(shù):4969
直到20世紀(jì)70年代中期，AD9923AXBCZ負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位。隨著超大規(guī)模集成電路( VLSI)和2—5 ht,m圖形尺寸范圍的出現(xiàn)使負(fù)膠的分辨率變得困難。正膠存在了20多年，但是它們的缺點(diǎn)是黏結(jié)能力差，而且它們的良好分辨率和防止針孑L能力在那時(shí)也并不需要。
到了20世紀(jì)80年代，正膠逐漸被接受。這個(gè)轉(zhuǎn)換過(guò)程是很不容易的。轉(zhuǎn)化到正膠需要改變掩模版的極性。遺憾的是，它不是簡(jiǎn)單的圖形反轉(zhuǎn)。用掩模版和兩種不同光刻膠結(jié)合而在晶圓表面光刻得到的尺寸是木同的（見圖8. 18）。由于光在圖形周圍會(huì)有衍射，用負(fù)膠和亮場(chǎng)掩模版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩模版E的圖形尺寸小。用正膠和暗場(chǎng)掩模版組合會(huì)使光刻膠層上的圖形尺寸變大。這些變化必須在掩模版／放大掩模版的制作和光刻J：藝的設(shè)計(jì)過(guò)程中考慮到。，換句話說(shuō)，光刻膠類型的轉(zhuǎn)變需要一個(gè)全新的光刻工藝.
直到20世紀(jì)70年代中期，AD9923AXBCZ負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位。隨著超大規(guī)模集成電路( VLSI)和2—5 ht,m圖形尺寸范圍的出現(xiàn)使負(fù)膠的分辨率變得困難。正膠存在了20多年，但是它們的缺點(diǎn)是黏結(jié)能力差，而且它們的良好分辨率和防止針孑L能力在那時(shí)也并不需要。
到了20世紀(jì)80年代，正膠逐漸被接受。這個(gè)轉(zhuǎn)換過(guò)程是很不容易的。轉(zhuǎn)化到正膠需要改變掩模版的極性。遺憾的是，它不是簡(jiǎn)單的圖形反轉(zhuǎn)。用掩模版和兩種不同光刻膠結(jié)合而在晶圓表面光刻得到的尺寸是木同的（見圖8. 18）。由于光在圖形周圍會(huì)有衍射，用負(fù)膠和亮場(chǎng)掩模版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩模版E的圖形尺寸小。用正膠和暗場(chǎng)掩模版組合會(huì)使光刻膠層上的圖形尺寸變大。這些變化必須在掩模版／放大掩模版的制作和光刻J：藝的設(shè)計(jì)過(guò)程中考慮到。，換句話說(shuō)，光刻膠類型的轉(zhuǎn)變需要一個(gè)全新的光刻工藝.
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