去除表面的污染和不期望的自然生長的氧化層對于一個，轉(zhuǎn)成功的氧化工藝來講是基本的。OPA336NA進入晶圓的污染會對器件產(chǎn)    圖7. 30氧化丁藝流程生電特性問題，對二氧化硅膜產(chǎn)生結(jié)構(gòu)完整性問題。自然生長的薄氧化層能改變厚度和氧化層生長的完整性。

   典型的前氧化工藝（見第5章）是從機械洗刷開始的，接著是RCA濕法清洗步驟，去掉有機物和非有機物污染，最后用氫氟酸( HF)或稀釋的氫氟酸刻蝕掉先天或化學生長的氧化層。這是氫氟酸的最后。F藝。

   晶圓的氧化.[藝分為幾個不同的步驟，如圖7.31流程圖所示。一旦晶圓進入清洗臺，這些晶圓將經(jīng)過徹底清洗。潔凈的晶圓對于制造過程的所有工藝來講都是基本的。對于在高溫工藝之前，此過程更為重要。

   一旦晶圓穩(wěn)定在JF確的溫度條件時，氣體控制器就會把流入的氣體轉(zhuǎn)到所選擇的氧化劑。對于厚于1200 A的氧化層，氧化劑通常是前面已討論過的一種蒸氣源。對于薄于1200 A的氧化層，通常采用純氧，因為其更佳的工藝控制和更潔凈，產(chǎn)生的氧化膜更致密。薄的MOS柵極氧化膜通常是在較低溫度(900℃)的氧氣中生長。然而，在反應爐中氧化工藝時問町能需要幾個小時。一個替代的方式是在濕氧環(huán)境中牛長薄柵氧膜以減少工藝時間，而羈．足減壓的情況下。降低壓力可以維持氧化膜的密度和結(jié)構(gòu)完整性2。薄的MOS柵氧化層要求非常潔凈的層。當在氧化過程中加入氯后，潔凈度和器件性能得到改善28。

   摻氯氧化循環(huán)可以在一步工藝中發(fā)生，也可以在于氧氧化反應前或干氧氧化反應后發(fā)生。當完成氧化循環(huán)后，爐管里的氣體回到充滿干燥氮氣的狀態(tài)。氮氣通過稀釋和去除氧化劑來結(jié)束硅的氧化。它也保護晶圓在撤出步驟中不被氧化。