選擇性是等離子體刻蝕工藝的一個(gè)主要的考慮事項(xiàng)，特別是當(dāng)需要迸行平衡過(guò)刻蝕時(shí)。EL1881CSZ-T7理想情況是，刻蝕時(shí)間可以通過(guò)要預(yù)計(jì)去除的膜厚度加上一點(diǎn)，以確保安全的過(guò)刻蝕時(shí)間來(lái)計(jì)算。遺憾的是，累計(jì)厚度和在高密度器件中多層膜( stack)組成物的變化提出了刻蝕一致性問(wèn)題。另外對(duì)于高密度器件，一個(gè)稱為微負(fù)載( microloading)的現(xiàn)象會(huì)引入刻蝕率的變化。微負(fù)載是相對(duì)于被刻蝕材料區(qū)域的本區(qū)域刻蝕率的變化。一個(gè)大的區(qū)域會(huì)以去掉的材料加載( load)于刻蝕過(guò)程，以減緩刻蝕速度，而小區(qū)域則會(huì)以較快的刻蝕率進(jìn)行。形貌問(wèn)題也會(huì)要求對(duì)過(guò)刻蝕的考慮。典型的情況是在器件／電路中薄區(qū)域與厚區(qū)域上的接觸孔開口（見第10章）。這些因素對(duì)于金屬刻蝕會(huì)導(dǎo)致50%~80%的過(guò)刻蝕”，對(duì)于氧化物和多晶硅刻蝕會(huì)高達(dá)200%H。。

   過(guò)刻蝕使得選擇性問(wèn)題變得非常關(guān)鍵。這里有兩個(gè)要考慮的因素：光刻膠和其下層膜 （通常是硅或氮化硅）。干法刻蝕較濕法刻蝕工藝對(duì)光刻膠有更高的去除率。，更薄的膜用于小尺寸圖形并在多層疊加膜中使用，使得光刻膠的選擇性變得十分關(guān)鍵�；旌线x擇性問(wèn)題是高深寬比的圖形。先進(jìn)的器件有達(dá)到4:1的深寬比的圖形�？着c其高度相比非常窄，以至于刻蝕在接近孔的底部會(huì)減慢或停止r15]。

   用于控制選擇性的4種方法是刻蝕氣體配比的選擇、刻蝕率、接近工藝結(jié)束時(shí)的氣體稀釋來(lái)減緩對(duì)下層的刻蝕，在系統(tǒng)中使用終點(diǎn)探測(cè)器。

   當(dāng)頂層膜已經(jīng)被去除時(shí)，要求系統(tǒng)內(nèi)置終點(diǎn)檢測(cè)器終止刻蝕。典型的是使用激光干涉儀。隨著刻蝕進(jìn)程，一束激光在晶圓表面被反射。以一種振蕩的模式返回到探測(cè)器，它隨被刻蝕的材料的種類而變。終點(diǎn)探測(cè)器對(duì)在尾氣流存在的刻蝕層材料敏感，并在探測(cè)不到被刻蝕材料時(shí)自動(dòng)發(fā)出信號(hào)來(lái)結(jié)束刻蝕。