污染、殘留物、腐蝕以及擁有成本(COO)：其他要關(guān)注的工藝問(wèn)題還有，微粒的產(chǎn)生、殘留物、刻蝕后腐蝕和擁有成本因素，尤其在亞微米的范圍內(nèi)。 EL1883ISZ一個(gè)減少微粒的嘗試是以靜電吸附晶圓固定器取代機(jī)械式固定器。機(jī)械式固定器產(chǎn)生微粒并可導(dǎo)致晶圓碎裂，并且?jiàn)A持器會(huì)遮擋住部分晶圓的表面。靜電吸附固定器以晶圓與固定器間的直流( DC)電勢(shì)來(lái)固定晶圓16j。

   等離子體刻蝕環(huán)境中有許多劇剽的化學(xué)反應(yīng)，光刻膠中的氫氧基團(tuán)與鹵化物氣體發(fā)生反應(yīng)，以形成穩(wěn)定的金屬鹵化物（如AIF，、WF，、WF。）和氧化物，例如Ti0，、Ti0和／或WO：這些殘留物產(chǎn)生污染問(wèn)題，并影響有選擇性的鎢淀積。

   刻蝕后腐蝕是由一些刻蝕后留在金屬圖形上的殘留物引起的。鋁中的銅添加物和鈦／鎢金屬化的使用增加了刻蝕后因殘留氯化物而引起的腐蝕問(wèn)題。將這些問(wèn)題減到最小，包括以氯基刻蝕劑替代氟基的刻蝕劑，鈍化側(cè)壁和刻蝕后工藝，如去除殘留氯化物或使用氧化來(lái)鈍化表面坶。其他解決方案包括氧氣等離子體處理，發(fā)煙硝酸和濕法光刻膠去除工藝步驟1 181。擁有成本因素在第15章中有詳細(xì)描述。

   圖9.23列出了用于不同材料的一般的刻蝕氣體。硅和二氧化硅工藝常用氟基的刻蝕劑，鋁刻蝕一般使用氯基的氣體。