淀積（也稱為predeposition，dep或predep）在爐管中進行，晶圓位于爐管的恒溫區(qū)中。 AD6620AS摻雜源位于雜質(zhì)源箱中，它們的蒸氣以所需的濃度被送到爐管中（見圖11.9）。使用的摻雜劑有液態(tài)源、氣態(tài)源和固態(tài)源。

   在爐管中，雜質(zhì)原子擴散到裸露的晶圓中。在晶圓內(nèi)部，摻雜原子以兩種不同的機制運動：空位模式和間隙模式。在空位模式中[見圖11. lO(a)]，摻雜原子通過占據(jù)晶格空位來運動，稱為填空雜質(zhì)( vacancy)。第二種模式[見圖11. 10( b)]依賴于雜質(zhì)的間隙運動i1。在這種模式中，摻雜原子在晶格間（即間隙位置）運動。

   圖11. 10擴散模式。(a)窄位模式；(b)間隙模式