刻蝕之后，圖形成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要r，EL2020CM而要從表面去掉。傳統(tǒng)的方法是用濕法化學工藝將其去除。盡管有一些問題，濕法化學液在前端工藝線( FEOL)中是較受歡迎的方法，因為表面和MOS柵極暴露并易于受到等離子體損傷。2㈠。，氧氣等離子體去除光刻膠層的使用正在增加，它主要用于后端工藝線( BEOL)中，這是因為敏感器件被介質(zhì)和金屬表層覆蓋住了。

   有許多不同的化學品被用于去除工藝。對它們的選擇依據(jù)晶圓表層（在光刻膠層下）、產(chǎn)晶考慮、光刻膠極性和光刻膠狀態(tài)（見圖9. 25）。一系列不同的工藝：濕法刻蝕、干法刻蝕和離子注入之后，晶圓表層的光刻膠都需要去掉。根據(jù)先前工藝的不同會有不同程度的困難。高溫硬烘焙、等離子體刻蝕的殘留物和側(cè)壁聚合物，以及由離子注入導(dǎo)致的硬殼都會對光刻膠去除工藝帶來挑戰(zhàn)。

   一般地，光刻膠去除劑被分成綜合去除劑和專用于正光刻膠及負光刻膠的去除劑。它們也根據(jù)晶圓表層類型被分為有金屬的和無金屬的。

   由于以下原因，濕法去除受到青睞：

   1．有很長的工藝歷史。

   2．成本有效性好。

   3．可有效去除金屬離子。

   4．低溫度工藝，并且不會將晶圓暴露于可能的損傷性輻射。