擴(kuò)散形成的摻雜區(qū)和結(jié)
發(fā)布時(shí)間:2015/11/4 22:25:30 訪問(wèn)次數(shù):753
擴(kuò)散工藝摻雜后的晶圓中雜質(zhì)的檢查，顯示了摻雜區(qū)和結(jié)的形成。初始時(shí)的情況顯示在圖11.3中。ADS7881IPFBT顯示的晶圓來(lái)自P型晶體。圖中的“+”號(hào)代表單晶生長(zhǎng)過(guò)程中引進(jìn)的P型雜質(zhì)。它們均勻地分布在整片晶圓中。
晶圓經(jīng)過(guò)熱氧化及圖形化工藝后，氧化層上面會(huì)留出孔洞。在擴(kuò)散爐管里，晶圓在高溫條件下暴露于一定濃度的N型雜質(zhì)中（見(jiàn)圖11.4中的“一”號(hào)）。N型雜質(zhì)透過(guò)氧化層上的孔洞擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部。
圖11,3準(zhǔn)備擴(kuò)散的P型晶圓 圖11.4擴(kuò)散工藝的開(kāi)始
對(duì)晶圓不同深度處發(fā)生的變化的檢查結(jié)果說(shuō)明了摻雜在晶圓內(nèi)部引起的變化。擴(kuò)散爐管中的條件設(shè)置使得擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部的N型雜質(zhì)原子數(shù)量高于第一層中P型原子的數(shù)量。在此演示中，N型原子比P型原子多7個(gè)，從而使其從P型轉(zhuǎn)換為N型導(dǎo)電層。
擴(kuò)散工藝摻雜后的晶圓中雜質(zhì)的檢查，顯示了摻雜區(qū)和結(jié)的形成。初始時(shí)的情況顯示在圖11.3中。ADS7881IPFBT顯示的晶圓來(lái)自P型晶體。圖中的“+”號(hào)代表單晶生長(zhǎng)過(guò)程中引進(jìn)的P型雜質(zhì)。它們均勻地分布在整片晶圓中。
晶圓經(jīng)過(guò)熱氧化及圖形化工藝后，氧化層上面會(huì)留出孔洞。在擴(kuò)散爐管里，晶圓在高溫條件下暴露于一定濃度的N型雜質(zhì)中（見(jiàn)圖11.4中的“一”號(hào)）。N型雜質(zhì)透過(guò)氧化層上的孔洞擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部。
圖11,3準(zhǔn)備擴(kuò)散的P型晶圓 圖11.4擴(kuò)散工藝的開(kāi)始
對(duì)晶圓不同深度處發(fā)生的變化的檢查結(jié)果說(shuō)明了摻雜在晶圓內(nèi)部引起的變化。擴(kuò)散爐管中的條件設(shè)置使得擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部的N型雜質(zhì)原子數(shù)量高于第一層中P型原子的數(shù)量。在此演示中，N型原子比P型原子多7個(gè)，從而使其從P型轉(zhuǎn)換為N型導(dǎo)電層。
上一篇：擴(kuò)散的概念
相關(guān)技術(shù)資料- 11-4擴(kuò)散形成的摻雜區(qū)和結(jié)
熱門點(diǎn)擊
- 雙大馬士革工藝
- 濺射工藝的原理
- 步進(jìn)式光刻機(jī)
- 離子束刻蝕
- 眩光的產(chǎn)生分直射和反射兩種
- 管、盒跨接地線
- 電力電纜接頭的布置應(yīng)符合下列要求
- 干氧氧化( dryox)
- 隧道照明LED工程設(shè)計(jì)實(shí)例2
- 半導(dǎo)體材料的獨(dú)特性質(zhì)之一
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺(tái)儀器中同時(shí)實(shí)現(xiàn)時(shí)域和頻域分析，DS... [詳細(xì)]
- 全集成直接飛行時(shí)間（dToF）傳感器
- 2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)未
- GW2A系列FPGA芯片應(yīng)用參數(shù)
- DDR類儲(chǔ)存器接口解決方案
- 2.5G bps MIPI D
- 新一代 Arora-V系列FPGA產(chǎn)品詳情
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
