在第4層中，N型原子與P型原子的數(shù)量恰好完全相同。這一層就是NP結(jié)的所在。NP結(jié)的定義是指N型與P型雜質(zhì)原子數(shù)量相同的地方。注意在結(jié)下方的第5層，ADS7884SDBVT只有3個(gè)N型原子，不足以將該層改變?yōu)镹型。

   NP結(jié)的定義指出，在摻雜區(qū)中，N型原子的濃度較高。PN結(jié)意味著摻雜區(qū)域中P型雜質(zhì)的濃度較高。

   電流通過半導(dǎo)體結(jié)的特征行為造成單個(gè)半導(dǎo)體器件的特殊性能表現(xiàn)，這是第14章的討論內(nèi)容。本章的蘑點(diǎn)放在晶圓摻雜區(qū)的形成與特征上。

  摻雜工藝的目的

   擴(kuò)散工藝（熱擴(kuò)散或離子注入）的目的有如下3個(gè)：

   1．在晶圓表面產(chǎn)生具體摻雜原子的數(shù)量（濃度）。

   2．在晶圓表面下的持定位置處形成NP結(jié)或PN結(jié)。

   3．在晶圓表面層形成特定的摻雜原子濃度和分布。

    結(jié)的圖形表示

   在半導(dǎo)體器件的截面圖中（見圖11.9），NP結(jié)被簡單地表示為器件內(nèi)部的區(qū)域，沒有圖形代表N型或P型區(qū)域。截面圖僅僅顯示摻雜區(qū)域和結(jié)的相對(duì)位置。這種類型的圖基本不提供雜質(zhì)原子濃度的信息而僅僅估計(jì)區(qū)域的實(shí)際尺寸。在圖中，20 mm厚的晶圓上只有2ht,m r深的結(jié)，當(dāng)晶圓厚度按比例變?yōu)?英尺時(shí)，結(jié)深僅僅變?yōu)?.4英寸。