毫無疑問，淀積薄G2997F6U膜的數(shù)量和種類的增加促進(jìn)了許多淀積技術(shù)的問世。20世紀(jì)60年代的藝師只能選擇常壓化學(xué)氣相淀積( CVD)，而今天的工藝師則有更多的選擇（見圖12.4）。這些技術(shù)在_F文中進(jìn)行描述。

   至此，我們已經(jīng)多次使用r淀積( deposition)和CVD等術(shù)語，但沒有給出進(jìn)一步的解釋。在半導(dǎo)體工藝中，淀積指一種材料以物理方式沉積在晶圓表面上的工藝過程；而生長膜，如二：：氧化硅，是從晶圓表面的材料上生長形成的。大多數(shù)薄膜是采用CVD技術(shù)淀積而成的。從概念上講，其T藝較為簡單（見圖12.5）：含有薄膜所需的原子或分子的化學(xué)物質(zhì)在反應(yīng)審內(nèi)混合并在氣態(tài)下發(fā)生反應(yīng)，其原子或分子淀積在晶圓表面并聚集，形成薄膜。圖12.5示意出四氯化硅( S1Cl4)與氫(H_)反應(yīng)，在晶圓上形成的淀積為硅層。在進(jìn)行CVD反應(yīng)時(shí)，反應(yīng)系統(tǒng)需要額外的能量，用于加熱反應(yīng)室或晶圓。

   發(fā)生的化學(xué)庋應(yīng)可以分為4種類型：高溫分解反應(yīng)、還原反應(yīng)、氧化反應(yīng)和氮化反應(yīng)（見圖12.6）．，高溫分解(pyrolysis)反應(yīng)是僅受熱量驅(qū)動(dòng)的化學(xué)反應(yīng)過程。還原反應(yīng)(reduction)是分子和氫氣的化學(xué)反應(yīng)過程。氧化反應(yīng)( oxidation)是原子或分子和氧氣的化學(xué)反應(yīng)過程，氮化反應(yīng)（nitridation）是形成氮化硅的化學(xué)工藝過程。