淀積薄膜的生長(zhǎng)需要幾個(gè)不同的階段（見(jiàn)圖12.7）。第一階段是成核過(guò)程(nucleation)。G5258A2該過(guò)程非常重要，并且與襯底的質(zhì)量密切相關(guān)。起初，晶核在淀積了幾個(gè)原子或分子的表面L形成。j然后，這些原子或分子形成許多個(gè)小島，進(jìn)而長(zhǎng)成為較大的島。在第i階段，這砦島向外擴(kuò)散，最后形成連續(xù)的薄膜。薄膜長(zhǎng)成特定的幾百埃的階段就是這樣一個(gè)傳輸過(guò)程。傳輸過(guò)程的薄膜與最終的較厚的薄膜“體”有著不同的物理和化學(xué)性質(zhì)。

   在傳輸膜形成之后，薄膜體開(kāi)始生長(zhǎng)。人們?cè)O(shè)計(jì)出廠(chǎng)多種【藝，用以形成下面的3種結(jié)構(gòu)：非晶體、多晶體和單晶體（見(jiàn)圖12.8）。這些術(shù)語(yǔ)已經(jīng)在前面的章節(jié)中闡述過(guò)了。對(duì)工藝的設(shè)置不當(dāng)和控制不良，將導(dǎo)致薄膜結(jié)構(gòu)上的錯(cuò)誤。例如，在晶圓上生長(zhǎng)單晶外延膜，但在晶圓的氧化物未被去除干凈的島區(qū)，結(jié)果會(huì)在生長(zhǎng)的薄膜當(dāng)中生成多晶區(qū)域。